IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1 — это MOSFET (Массивный транзистор с полупроводниковым эмиттером) производства Infineon Technologies. MOSFET является ненаправленным полупроводниковым транзистором, используемым для управления электрическим потоком.

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение блокировки (V_GS(th)): 10 В
• Номинальная токовая способность (I_D(on)): 180 А
• Номинальное напряжение блокировки (V_DS): 100 В
• Контактный тип: N-канальный
• Оболочка: TO263-7

• Плюсы:
• Высокая токовая способность (180 А), позволяющая передавать значительные электрические токи.
• Высокое напряжение блокировки (100 В), обеспечивающее надежную работу в различных условиях.
• Устойчивость к перегреву благодаря оболочке TO263-7.
• Низкий коэффициент динамического сопротивления, что улучшает эффективность работы.

• Минусы:
• Требует дополнительного охлаждения из-за высокой токовой способности.
• Стоимость может быть выше, чем у более простых MOSFET моделей.

• Общее назначение:
• Используется в различных приборах и системах, требующих передачи больших токов при номинальных напряжениях до 100 В.
• Подходит для применения в инверторах, преобразователях питания, электронных регуляторах и других устройствах, где важна высокая проводимость и надежность.

• Применение:
• Автомобильная электроника
• Промышленные преобразователи питания
• Инверторы
• Электронные регуляторы
• Стабилизаторы напряжения