Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPD038N06N3GATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPD038N06N3GATMA1

IPD038N06N3GATMA1

IPD038N06N3GATMA1
;
IPD038N06N3GATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD038N06N3GATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD038N06N3GATMA1 при покупке от 1 шт 446.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD038N06N3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD038N06N3GATMA1

IPD038N06N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 60 В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 90 А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Малый сопротивление в наntag
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Возможное возникновение эффекта channeling при высоких токах
    • Необходимо учитывать тепловые потери и охлаждение
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Работа в источниках питания
    • Применение в инверторах и других электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для домашнего использования
    • Системы снабжения электропитанием серверных шкафов
    • Силовые преобразователи для промышленного оборудования
Выбрано: Показать

Характеристики IPD038N06N3GATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8mOhm @ 90A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 90µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    98 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8000 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    188W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD038

Техническая документация

 IPD038N06N3GATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 108 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    446 ₽
  • 10
    286 ₽
  • 100
    195 ₽
  • 500
    156 ₽
  • 2500
    126 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD038N06N3GATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD038N06N3GATMA1 при покупке от 1 шт 446.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD038N06N3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD038N06N3GATMA1

IPD038N06N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 60 В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 90 А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Малый сопротивление в наntag
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Возможное возникновение эффекта channeling при высоких токах
    • Необходимо учитывать тепловые потери и охлаждение
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Работа в источниках питания
    • Применение в инверторах и других электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для домашнего использования
    • Системы снабжения электропитанием серверных шкафов
    • Силовые преобразователи для промышленного оборудования
Выбрано: Показать

Характеристики IPD038N06N3GATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8mOhm @ 90A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 90µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    98 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8000 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    188W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD038

Техническая документация

 IPD038N06N3GATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPD042P03L3GATMA1MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
    437Кешбэк 65 баллов
    SPD06N80C3ATMA1MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
    437Кешбэк 65 баллов
    IRFB7534PBFMOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
    437Кешбэк 65 баллов
    IRFB7740PBFMOSFET N-CH 75V 87A TO220AB
    437Кешбэк 65 баллов
    IRFP4229PBFMOSFET N-CH 250V 44A TO247AC
    437Кешбэк 65 баллов
    IRFB7537PBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB
    438Кешбэк 65 баллов
    IPB100N04S303ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
    440Кешбэк 66 баллов
    IRF9540NSTRLPBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
    440Кешбэк 66 баллов
    BSP135H6906XTSA1MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
    442Кешбэк 66 баллов
    IRF1407STRLPBFMOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
    442Кешбэк 66 баллов
    IRFH6200TRPBFMOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
    442Кешбэк 66 баллов
    BSC009NE2LS5IATMA1MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
    444Кешбэк 66 баллов
    IRF1405PBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
    444Кешбэк 66 баллов
    IPD038N06N3GATMA1MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
    444Кешбэк 66 баллов
    IRLB3036PBFMOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
    444Кешбэк 66 баллов
    IRFB4227PBFMOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
    446Кешбэк 66 баллов
    IRF1324PBFMOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
    446Кешбэк 66 баллов
    IPP048N04NGXKSA1MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
    448Кешбэк 67 баллов
    IPD50N03S2L06ATMA1MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
    450Кешбэк 67 баллов
    IPA60R230P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-FP
    450Кешбэк 67 баллов
    IRFB7734PBFMOSFET N-CH 75V 183A TO220AB
    450Кешбэк 67 баллов
    IRF2807ZPBFТранзистор: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
    450Кешбэк 67 баллов
    IRF7855TRPBFMOSFET N-CH 60V 12A 8SO
    452Кешбэк 67 баллов
    IRLR3110ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 42A DPAK
    452Кешбэк 67 баллов
    IRF60B217Транзистор: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
    452Кешбэк 67 баллов
    IRF640NSTRRPBFMOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
    452Кешбэк 67 баллов
    IPA060N06NXKSA1MOSFET N-CH 60V 45A TO220-FP
    452Кешбэк 67 баллов
    IPP200N15N3GXKSA1MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
    454Кешбэк 68 баллов
    IPP65R225C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
    454Кешбэк 68 баллов
    IRFR4620TRLPBFMOSFET N-CH 200V 24A DPAK
    455Кешбэк 68 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторные модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули триодных тиристоров
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП