Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPD042P03L3GATMA1

IPD042P03L3GATMA1

IPD042P03L3GATMA1
;
IPD042P03L3GATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPD042P03L3GATMA1 при покупке от 1 шт 438.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD042P03L3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD042P03L3GATMA1

IPD042P03L3GATMA1 — это полупроводниковый транзистор MOSFET от компании Infineon Technologies с параметрами P-канала (P-CH), напряжением РДС(SON) 30В и током РДС(SON) 70А, упаковкой TO252-3.

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канала
    • Напряжение РДС(SON): 30В
    • Ток РДС(SON): 70А
    • Упаковка: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малое энергетическое затухание
    • Низкое сопротивление в ON-режиме
    • Прочность конструкции и надежность
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения из-за возможного нагрева
    • Наличие обратного барьерного диода может влиять на работу в некоторых схемах
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах для управления токами
    • Регулирование напряжений и мощностей
    • Замена механических выключателей в автоматических системах
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильная электроника
    • Мощные источники питания
    • Инверторы
    • Электродвигатели
    • Устройства с высокими требованиями к управляемости и скорости отклика
Выбрано: Показать

Характеристики IPD042P03L3GATMA1

Техническая документация

IPD042P03L3GATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 15500 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    438 ₽
  • 10
    281 ₽
  • 100
    191 ₽
  • 500
    153 ₽
  • 2500
    127 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPD042P03L3GATMA1 при покупке от 1 шт 438.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD042P03L3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD042P03L3GATMA1

IPD042P03L3GATMA1 — это полупроводниковый транзистор MOSFET от компании Infineon Technologies с параметрами P-канала (P-CH), напряжением РДС(SON) 30В и током РДС(SON) 70А, упаковкой TO252-3.

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канала
    • Напряжение РДС(SON): 30В
    • Ток РДС(SON): 70А
    • Упаковка: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малое энергетическое затухание
    • Низкое сопротивление в ON-режиме
    • Прочность конструкции и надежность
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения из-за возможного нагрева
    • Наличие обратного барьерного диода может влиять на работу в некоторых схемах
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах для управления токами
    • Регулирование напряжений и мощностей
    • Замена механических выключателей в автоматических системах
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильная электроника
    • Мощные источники питания
    • Инверторы
    • Электродвигатели
    • Устройства с высокими требованиями к управляемости и скорости отклика
Выбрано: Показать

Характеристики IPD042P03L3GATMA1

Техническая документация

IPD042P03L3GATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории