Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPL60R180P6AUMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPL60R180P6AUMA1

IPL60R180P6AUMA1

IPL60R180P6AUMA1
;
IPL60R180P6AUMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPL60R180P6AUMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSONВсе характеристики

Минимальная цена IPL60R180P6AUMA1 при покупке от 1 шт 597.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPL60R180P6AUMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPL60R180P6AUMA1

IPL60R180P6AUMA1 — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) производства Infineon Technologies. Этот тип транзистора предназначен для применения в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 600 В
    • Номинальный ток проводимости: 22.4 А
    • Ток тока срабатывания: 4 В
    • Стандартная оболочка: 4ВSON
  • Плюсы:
    • Высокое значение номинального напряжения блокировки (600 В), что позволяет использовать его в высоковольтных приложениях.
    • Высокий ток проводимости (22.4 А), обеспечивающий эффективную работу в больших нагрузках.
    • Малый ток тока срабатывания (4 В), что уменьшает энергопотребление и тепловыделение при работе.
    • Прочная конструкция и надежность.
  • Минусы:
    • Требуется соблюдение правильной термостабильности для предотвращения перегрева.
    • Работа в условиях высокой температуры может снижать срок службы.
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях и инверторах.
    • Применение в системах управления двигателей.
    • Работа в источниках питания различного назначения.
    • Устройствах с регулируемым напряжением.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания и управления.
    • Системах энергоснабжения зданий.
    • Промышленных преобразователях и инверторах.
    • Устройствах бытовой техники с высокими потребностями в мощности.
Выбрано: Показать

Характеристики IPL60R180P6AUMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    22.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 750µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    44 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2080 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    176W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-VSON-4
  • Корпус
    4-PowerTSFN
  • Base Product Number
    IPL60R

Техническая документация

 IPL60R180P6AUMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 3881 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    597 ₽
  • 10
    427 ₽
  • 100
    337 ₽
  • 500
    311 ₽
  • 1000
    291 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPL60R180P6AUMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSONВсе характеристики

Минимальная цена IPL60R180P6AUMA1 при покупке от 1 шт 597.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPL60R180P6AUMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPL60R180P6AUMA1

IPL60R180P6AUMA1 — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) производства Infineon Technologies. Этот тип транзистора предназначен для применения в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 600 В
    • Номинальный ток проводимости: 22.4 А
    • Ток тока срабатывания: 4 В
    • Стандартная оболочка: 4ВSON
  • Плюсы:
    • Высокое значение номинального напряжения блокировки (600 В), что позволяет использовать его в высоковольтных приложениях.
    • Высокий ток проводимости (22.4 А), обеспечивающий эффективную работу в больших нагрузках.
    • Малый ток тока срабатывания (4 В), что уменьшает энергопотребление и тепловыделение при работе.
    • Прочная конструкция и надежность.
  • Минусы:
    • Требуется соблюдение правильной термостабильности для предотвращения перегрева.
    • Работа в условиях высокой температуры может снижать срок службы.
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях и инверторах.
    • Применение в системах управления двигателей.
    • Работа в источниках питания различного назначения.
    • Устройствах с регулируемым напряжением.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания и управления.
    • Системах энергоснабжения зданий.
    • Промышленных преобразователях и инверторах.
    • Устройствах бытовой техники с высокими потребностями в мощности.
Выбрано: Показать

Характеристики IPL60R180P6AUMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    22.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 750µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    44 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2080 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    176W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-VSON-4
  • Корпус
    4-PowerTSFN
  • Base Product Number
    IPL60R

Техническая документация

 IPL60R180P6AUMA1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPZ60R099C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
    1 149Кешбэк 172 балла
    AUIRF2804STRL7PMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
    1 157Кешбэк 173 балла
    IPI075N15N3GXKSA1MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
    1 163Кешбэк 174 балла
    IPB117N20NFDATMA1MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
    1 165Кешбэк 174 балла
    IPB020N10N5ATMA1MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    1 181Кешбэк 177 баллов
    IPB180N10S402ATMA1MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    1 197Кешбэк 179 баллов
    IPW65R095C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 24A TO247
    1 203Кешбэк 180 баллов
    IPA60R165CPMOSFET N-CH 600V 21A TO220
    1 205Кешбэк 180 баллов
    IPP60R099CPAAKSA1MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
    1 209Кешбэк 181 балл
    IPB017N10N5ATMA1MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    1 225Кешбэк 183 балла
    IRF7779L2TRPBFMOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
    1 247Кешбэк 187 баллов
    IPW60R060C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
    1 249Кешбэк 187 баллов
    IPB100N10S305ATMA1MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
    1 267Кешбэк 190 баллов
    IPW60R070P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
    1 273Кешбэк 190 баллов
    IPB65R110CFDAATMA1MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
    1 287Кешбэк 193 балла
    IPT007N06NATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
    1 315Кешбэк 197 баллов
    IPA60R125CPXKSA1MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP
    1 325Кешбэк 198 баллов
    IPP65R065C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
    1 438Кешбэк 215 баллов
    IPA65R065C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP
    1 438Кешбэк 215 баллов
    IPW65R110CFDAFKSA1MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
    1 438Кешбэк 215 баллов
    IPP60R060C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
    1 466Кешбэк 219 баллов
    IPA60R060C7XKSA1
    1 466Кешбэк 219 баллов
    IPW65R065C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
    1 474Кешбэк 221 балл
    BTS282ZE3230AKSA2MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
    1 526Кешбэк 228 баллов
    IPW60R099CPAFKSA1MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
    1 526Кешбэк 228 баллов
    BTS282ZE3180AATMA2MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
    1 542Кешбэк 231 балл
    IPZ65R065C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
    1 578Кешбэк 236 баллов
    AUIRFB8407MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
    1 590Кешбэк 238 баллов
    SPW32N50C3FKSA1MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3
    1 606Кешбэк 240 баллов
    IPW65R048CFDAFKSA1MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3
    1 614Кешбэк 242 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторные модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП