Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPP200N15N3GXKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPP200N15N3GXKSA1

IPP200N15N3GXKSA1

IPP200N15N3GXKSA1
;
IPP200N15N3GXKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IPP200N15N3GXKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IPP200N15N3GXKSA1 при покупке от 1 шт 455.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP200N15N3GXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP200N15N3GXKSA1

Информация о MOSFET IPP200N15N3GXKSA1 Infineon Technologies:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 150 В
  • Максимальный ток (ID(on)): 50 А
  • Контактная площадка: TO220-3

Основные параметры:

  • Практически полный включенный ток (ID(on)): 50 А
  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 150 В
  • Коэффициент сопротивления при включенном состоянии (RD(on)): 0,084 Ω (при 25°C)
  • Предел температуры (TJ(max)): 175°C

Плюсы:

  • Высокая токовая способность
  • Низкое сопротивление при включенном состоянии
  • Стабильная работа в широком диапазоне температур
  • Малый размер и легкость благодаря использованию TO220-3 корпуса

Минусы:

  • Высокие потери тепла при работе в режиме включения
  • Требует дополнительного охлаждения для работы при высоких нагрузках

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Применение в системах управления двигателей
  • Работа в электронных устройствах с высокими требованиями к мощности

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания
  • Системы управления промышленным оборудованием
  • Источники бесперебойного питания
  • Промышленные преобразователи
  • Мощные конвертеры
Выбрано: Показать

Характеристики IPP200N15N3GXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 90µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1820 pF @ 75 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP200

Техническая документация

 IPP200N15N3GXKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 492 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    455 ₽
  • 50
    237 ₽
  • 500
    224 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IPP200N15N3GXKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IPP200N15N3GXKSA1 при покупке от 1 шт 455.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP200N15N3GXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP200N15N3GXKSA1

Информация о MOSFET IPP200N15N3GXKSA1 Infineon Technologies:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 150 В
  • Максимальный ток (ID(on)): 50 А
  • Контактная площадка: TO220-3

Основные параметры:

  • Практически полный включенный ток (ID(on)): 50 А
  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 150 В
  • Коэффициент сопротивления при включенном состоянии (RD(on)): 0,084 Ω (при 25°C)
  • Предел температуры (TJ(max)): 175°C

Плюсы:

  • Высокая токовая способность
  • Низкое сопротивление при включенном состоянии
  • Стабильная работа в широком диапазоне температур
  • Малый размер и легкость благодаря использованию TO220-3 корпуса

Минусы:

  • Высокие потери тепла при работе в режиме включения
  • Требует дополнительного охлаждения для работы при высоких нагрузках

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Применение в системах управления двигателей
  • Работа в электронных устройствах с высокими требованиями к мощности

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания
  • Системы управления промышленным оборудованием
  • Источники бесперебойного питания
  • Промышленные преобразователи
  • Мощные конвертеры
Выбрано: Показать

Характеристики IPP200N15N3GXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 90µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1820 pF @ 75 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP200

Техническая документация

 IPP200N15N3GXKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPD042P03L3GATMA1MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
    437Кешбэк 65 баллов
    SPD06N80C3ATMA1MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
    437Кешбэк 65 баллов
    IRFB7534PBFMOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
    437Кешбэк 65 баллов
    IRFB7740PBFMOSFET N-CH 75V 87A TO220AB
    437Кешбэк 65 баллов
    IRFP4229PBFMOSFET N-CH 250V 44A TO247AC
    437Кешбэк 65 баллов
    IRFB7537PBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB
    438Кешбэк 65 баллов
    IPB100N04S303ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
    440Кешбэк 66 баллов
    IRF9540NSTRLPBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
    440Кешбэк 66 баллов
    BSP135H6906XTSA1MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
    442Кешбэк 66 баллов
    IRF1407STRLPBFMOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
    442Кешбэк 66 баллов
    IRFH6200TRPBFMOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
    442Кешбэк 66 баллов
    BSC009NE2LS5IATMA1MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
    444Кешбэк 66 баллов
    IRF1405PBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
    444Кешбэк 66 баллов
    IPD038N06N3GATMA1MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
    444Кешбэк 66 баллов
    IRLB3036PBFMOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
    444Кешбэк 66 баллов
    IRFB4227PBFMOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
    446Кешбэк 66 баллов
    IRF1324PBFMOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
    446Кешбэк 66 баллов
    IPP048N04NGXKSA1MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
    448Кешбэк 67 баллов
    IPD50N03S2L06ATMA1MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
    450Кешбэк 67 баллов
    IPA60R230P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-FP
    450Кешбэк 67 баллов
    IRFB7734PBFMOSFET N-CH 75V 183A TO220AB
    450Кешбэк 67 баллов
    IRF2807ZPBFТранзистор: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
    450Кешбэк 67 баллов
    IRF7855TRPBFMOSFET N-CH 60V 12A 8SO
    452Кешбэк 67 баллов
    IRLR3110ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 42A DPAK
    452Кешбэк 67 баллов
    IRF60B217Транзистор: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
    452Кешбэк 67 баллов
    IRF640NSTRRPBFMOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
    452Кешбэк 67 баллов
    IPA060N06NXKSA1MOSFET N-CH 60V 45A TO220-FP
    452Кешбэк 67 баллов
    IPP200N15N3GXKSA1MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
    454Кешбэк 68 баллов
    IPP65R225C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
    454Кешбэк 68 баллов
    IRFR4620TRLPBFMOSFET N-CH 200V 24A DPAK
    455Кешбэк 68 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторные модули
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - мостовые выпрямители
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП