Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IPP60R070CFD7XKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPP60R070CFD7XKSA1

IPP60R070CFD7XKSA1

IPP60R070CFD7XKSA1
;
IPP60R070CFD7XKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPP60R070CFD7XKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IPP60R070CFD7XKSA1 при покупке от 1 шт 1089.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP60R070CFD7XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP60R070CFD7XKSA1

IPP60R070CFD7XKSA1 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства Infineon Technologies с характеристиками:

  • Номинальное напряжение (VGS(th)): 7 V
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 31 A
  • Номинальное напряжение (VDS(max)): 650 V
  • Пакет: TO220-3

Основные плюсы:

  • Высокая токовая способность: до 31 А.
  • Высокое напряжения: 650 В.
  • Низкий ток утечки: обеспечивает эффективное использование энергии.
  • Малый размер: благодаря компактному пакету TO220-3.

Основные минусы:

  • Высокий входной сопротивление: может вызывать увеличение энергопотерь при работе.
  • Требует дополнительного охлаждения: особенно при высоких нагрузках.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных устройствах.
  • Контроль тока в источниках питания.
  • Применяется в преобразователях напряжения.
  • Используется в инверторах для управления электрическими машинами.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах питания.
  • Системах управления двигателем.
  • Преобразователях напряжения для бытовой техники.
  • Устройствах для управления электродвигателями.
Выбрано: Показать

Характеристики IPP60R070CFD7XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    31A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70mOhm @ 15.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 760µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    67 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2721 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    156W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP60R070

Техническая документация

 IPP60R070CFD7XKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 196 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 089 ₽
  • 50
    562 ₽
  • 100
    537 ₽
  • 500
    437 ₽
  • 1000
    433 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPP60R070CFD7XKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IPP60R070CFD7XKSA1 при покупке от 1 шт 1089.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP60R070CFD7XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP60R070CFD7XKSA1

IPP60R070CFD7XKSA1 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства Infineon Technologies с характеристиками:

  • Номинальное напряжение (VGS(th)): 7 V
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 31 A
  • Номинальное напряжение (VDS(max)): 650 V
  • Пакет: TO220-3

Основные плюсы:

  • Высокая токовая способность: до 31 А.
  • Высокое напряжения: 650 В.
  • Низкий ток утечки: обеспечивает эффективное использование энергии.
  • Малый размер: благодаря компактному пакету TO220-3.

Основные минусы:

  • Высокий входной сопротивление: может вызывать увеличение энергопотерь при работе.
  • Требует дополнительного охлаждения: особенно при высоких нагрузках.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных устройствах.
  • Контроль тока в источниках питания.
  • Применяется в преобразователях напряжения.
  • Используется в инверторах для управления электрическими машинами.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах питания.
  • Системах управления двигателем.
  • Преобразователях напряжения для бытовой техники.
  • Устройствах для управления электродвигателями.
Выбрано: Показать

Характеристики IPP60R070CFD7XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    31A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70mOhm @ 15.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 760µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    67 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2721 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    156W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP60R070

Техническая документация

 IPP60R070CFD7XKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STW24N60M6MOSFET N-CH 600V TO247
    754Кешбэк 113 баллов
    NVMTS0D7N06CTXGMOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
    2 081Кешбэк 312 баллов
    SUM90220E-GE3MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
    413Кешбэк 61 балл
    AOTF190A60CLMOSFET N-CH 600V 20A TO220F
    595Кешбэк 89 баллов
    IPB65R150CFDATMA2MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
    797Кешбэк 119 баллов
    IRFF211N-CHANNEL POWER MOSFET
    315Кешбэк 47 баллов
    IPB60R099P7ATMA1MOSFET N-CH 650V 31A D2PAK
    798Кешбэк 119 баллов
    SPW15N60C3FKSA1MOSFET N-CH 650V 15A TO247-3
    1 009Кешбэк 151 балл
    SQD10N30-330H_GE3MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
    328Кешбэк 49 баллов
    NTHL160N120SC1SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
    1 104Кешбэк 165 баллов
    SIHA21N80AEF-GE3EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
    272Кешбэк 40 баллов
    G3R60MT07D750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
    1 879Кешбэк 281 балл
    NTTFS024N06CTAGMOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
    132Кешбэк 19 баллов
    SPB11N60C3ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
    872Кешбэк 130 баллов
    DMTH8012LPSW-13MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
    241Кешбэк 36 баллов
    XP151A12A2MR-GMOSFET N-CH 20V 1A SOT23
    143Кешбэк 21 балл
    C3M0045065DGEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
    2 464Кешбэк 369 баллов
    2SK2935-93-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    728Кешбэк 109 баллов
    RQ5E070BNTCLMOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
    111Кешбэк 16 баллов
    FDBL86063-F085MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
    1 451Кешбэк 217 баллов
    UF3SC120016K3SТранзистор: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
    10 456Кешбэк 1 568 баллов
    IPB70N10S312ATMA1MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
    685Кешбэк 102 балла
    2SJ135-AZP-CHANNEL POWER MOSFET
    452Кешбэк 67 баллов
    SIHFR9310TRR-GE3MOSFET P-CHANNEL 400V
    222Кешбэк 33 балла
    BSS84-TPТранзистор: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23
    37.5Кешбэк 5 баллов
    IPP024N08NF2SAKMA1TRENCH 40<-<100V
    621Кешбэк 93 балла
    IPB80N06S407ATMA2MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
    333Кешбэк 49 баллов
    TSM2301ACX RFGMOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
    114Кешбэк 17 баллов
    SQ2319ADS-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
    204Кешбэк 30 баллов
    NVBG160N120SC1SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
    2 177Кешбэк 326 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП