Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPW60R099CPAFKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPW60R099CPAFKSA1

IPW60R099CPAFKSA1

IPW60R099CPAFKSA1
;
IPW60R099CPAFKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPW60R099CPAFKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IPW60R099CPAFKSA1 при покупке от 1 шт 1493.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPW60R099CPAFKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPW60R099CPAFKSA1

IPW60R099CPAFKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Номинальный ток при VDS(on): 31А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективная работа при высоких температурах
    • Малый динамический ток
    • Хорошая тепловая conducting способность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Сложность в выборе оптимальных параметров для конкретного применения
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
    • Зарядное оборудование
    • Автомобильные системы
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленное оборудование
    • Автомобили
    • Портативные зарядные устройства
    • Электроприборы
Выбрано: Показать

Характеристики IPW60R099CPAFKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    31A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105mOhm @ 18A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 1.2mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2800 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    255W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IPW60R099

Техническая документация

 IPW60R099CPAFKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 260 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 493 ₽
  • 25
    904 ₽
  • 100
    804 ₽
  • 240
    780 ₽
  • 480
    730 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPW60R099CPAFKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IPW60R099CPAFKSA1 при покупке от 1 шт 1493.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPW60R099CPAFKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPW60R099CPAFKSA1

IPW60R099CPAFKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Номинальный ток при VDS(on): 31А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективная работа при высоких температурах
    • Малый динамический ток
    • Хорошая тепловая conducting способность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Сложность в выборе оптимальных параметров для конкретного применения
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
    • Зарядное оборудование
    • Автомобильные системы
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленное оборудование
    • Автомобили
    • Портативные зарядные устройства
    • Электроприборы
Выбрано: Показать

Характеристики IPW60R099CPAFKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    31A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105mOhm @ 18A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 1.2mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2800 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    255W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IPW60R099

Техническая документация

 IPW60R099CPAFKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDD6680AMOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
    322Кешбэк 48 баллов
    FDD6680MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
    322Кешбэк 48 баллов
    FDFS2P102AMOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
    295Кешбэк 44 балла
    FDW262PMOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
    156Кешбэк 23 балла
    FQD7N10TMMOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
    124Кешбэк 18 баллов
    HUF75229P3MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
    215Кешбэк 32 балла
    FDD8782MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
    139Кешбэк 20 баллов
    FDD8444LMOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
    332Кешбэк 49 баллов
    FDZ202PMOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
    80Кешбэк 12 баллов
    HUF76013D3STMOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
    83Кешбэк 12 баллов
    FDMS8674MOSFET N-CH 30V 17A/21A 8PQFN
    156Кешбэк 23 балла
    FDMS8660ASMOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN
    258Кешбэк 38 баллов
    FDD6778AMOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
    119Кешбэк 17 баллов
    SFR9110TFMOSFET P-CH 100V 2.8A DPAK
    154Кешбэк 23 балла
    FDU8896Транзистор: MOSFET N-CH 30V 17A/94A IPAK
    163Кешбэк 24 балла
    FDS9412MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
    61Кешбэк 9 баллов
    NDS9430MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
    174Кешбэк 26 баллов
    SSN1N45BBUMOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
    46Кешбэк 6 баллов
    FDN372SMOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
    43Кешбэк 6 баллов
    FQPF9N50CFMOSFET N-CH 500V 9A TO220F
    198Кешбэк 29 баллов
    HUFA75344G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
    446Кешбэк 66 баллов
    FDS7096N3MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
    232Кешбэк 34 балла
    FDW258PMOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP
    258Кешбэк 38 баллов
    FDD8770MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
    109Кешбэк 16 баллов
    FDMA7628FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5
    85Кешбэк 12 баллов
    IRFS540AMOSFET N-CH 100V 17A TO220F
    193Кешбэк 28 баллов
    FQP2N60MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
    267Кешбэк 40 баллов
    FDD2570MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
    256Кешбэк 38 баллов
    FDU6680MOSFET N-CH 30V 12A/46A IPAK
    148Кешбэк 22 балла
    FDD6782AMOSFET N-CH 25V 20A DPAK
    107Кешбэк 16 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП