Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
IPW65R115CFD7AXKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPW65R115CFD7AXKSA1

IPW65R115CFD7AXKSA1

IPW65R115CFD7AXKSA1
;
IPW65R115CFD7AXKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPW65R115CFD7AXKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41Все характеристики

Минимальная цена IPW65R115CFD7AXKSA1 при покупке от 1 шт 1155.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPW65R115CFD7AXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPW65R115CFD7AXKSA1

IPW65R115CFD7AXKSA1 — это MOSFET (MOS-полупроводниковый транзистор) производства Infineon Technologies. Этот тип транзистора относится к категории N-канальных полевых транзисторов с напряжением разрыва 650В.

  • Основные параметры:
    • Напряжение разрыва (VDS) - 650В
    • Разрядный ток (ID(on)) - 21А
    • Коллектор-эмиттерное сопротивление при отключенном транзисторе (RDS(on)) - 115 мОм
    • Температурный коэффициент RDS(on) - -3 мОм/°C
    • Пакет - TO247-3-41

Плюсы:

  • Высокая проводимость в режиме насыщения благодаря низкому сопротивлению RDS(on).
  • Устойчивость к перенапряжениям благодаря высокому напряжению разрыва.
  • Малый тепловыделение из-за эффективного охлаждения.
  • Стабильность характеристик при изменении температуры.

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами MOSFET.
  • Необходимо соблюдать правила установки и охлаждения для предотвращения перегрева.

Общее назначение:

  • Использование в электронных устройствах для управления током.
  • Применяется в системах питания, преобразователях мощности, инверторах.
  • Подходит для применения в автомобилях и промышленных устройствах.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания и управления двигателем.
  • Преобразователи напряжения для электронных устройств.
  • Инверторы для кондиционеров и других бытовых приборов.
  • Системы управления в промышленной электронике.
Выбрано: Показать

Характеристики IPW65R115CFD7AXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    115mOhm @ 9.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 490µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    41 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1950 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    114W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3-41
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IPW65R115

Техническая документация

 IPW65R115CFD7AXKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 215 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 155 ₽
  • 10
    806 ₽
  • 100
    652 ₽
  • 480
    581 ₽
  • 1200
    497 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPW65R115CFD7AXKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41Все характеристики

Минимальная цена IPW65R115CFD7AXKSA1 при покупке от 1 шт 1155.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPW65R115CFD7AXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPW65R115CFD7AXKSA1

IPW65R115CFD7AXKSA1 — это MOSFET (MOS-полупроводниковый транзистор) производства Infineon Technologies. Этот тип транзистора относится к категории N-канальных полевых транзисторов с напряжением разрыва 650В.

  • Основные параметры:
    • Напряжение разрыва (VDS) - 650В
    • Разрядный ток (ID(on)) - 21А
    • Коллектор-эмиттерное сопротивление при отключенном транзисторе (RDS(on)) - 115 мОм
    • Температурный коэффициент RDS(on) - -3 мОм/°C
    • Пакет - TO247-3-41

Плюсы:

  • Высокая проводимость в режиме насыщения благодаря низкому сопротивлению RDS(on).
  • Устойчивость к перенапряжениям благодаря высокому напряжению разрыва.
  • Малый тепловыделение из-за эффективного охлаждения.
  • Стабильность характеристик при изменении температуры.

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами MOSFET.
  • Необходимо соблюдать правила установки и охлаждения для предотвращения перегрева.

Общее назначение:

  • Использование в электронных устройствах для управления током.
  • Применяется в системах питания, преобразователях мощности, инверторах.
  • Подходит для применения в автомобилях и промышленных устройствах.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания и управления двигателем.
  • Преобразователи напряжения для электронных устройств.
  • Инверторы для кондиционеров и других бытовых приборов.
  • Системы управления в промышленной электронике.
Выбрано: Показать

Характеристики IPW65R115CFD7AXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    115mOhm @ 9.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 490µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    41 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1950 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    114W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3-41
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IPW65R115

Техническая документация

 IPW65R115CFD7AXKSA1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSC220N20NSFDATMA1MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
    1 117Кешбэк 167 баллов
    IPTG011N08NM5ATMA1MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8
    1 121Кешбэк 168 баллов
    IMBF170R650M1XTMA1SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
    1 129Кешбэк 169 баллов
    IPZ65R095C7IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
    1 135Кешбэк 170 баллов
    IPB015N04LGATMA1MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
    1 139Кешбэк 170 баллов
    IMBG120R220M1HXTMA1SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
    1 145Кешбэк 171 балл
    IMW65R107M1HXKSA1MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
    1 153Кешбэк 172 балла
    IPB044N15N5ATMA1MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
    1 155Кешбэк 173 балла
    IPW65R115CFD7AXKSA1MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
    1 155Кешбэк 173 балла
    IPL60R065P7AUMA1MOSFET N-CH 650V 41A 4VSON
    1 157Кешбэк 173 балла
    IAUT300N10S5N015ATMA1MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
    1 165Кешбэк 174 балла
    IPP60R070CFD7XKSA1MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
    1 173Кешбэк 175 баллов
    IPT039N15N5ATMA1OPTIMOS 5 POWER MOSFET
    1 175Кешбэк 176 баллов
    IPW65R110CFDFKSA2MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
    1 175Кешбэк 176 баллов
    IPP65R110CFDXKSA2MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
    1 177Кешбэк 176 баллов
    IPBE65R099CFD7AATMA1MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
    1 181Кешбэк 177 баллов
    IPB025N10N3GATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    1 187Кешбэк 178 баллов
    IAUS260N10S5N019TATMA1MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
    1 189Кешбэк 178 баллов
    IPT014N08NM5ATMA1MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
    1 195Кешбэк 179 баллов
    IAUT300N08S5N011ATMA1MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
    1 199Кешбэк 179 баллов
    IMW120R220M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
    1 199Кешбэк 179 баллов
    IPP200N25N3GXKSA1MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
    1 199Кешбэк 179 баллов
    IPW60R060P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
    1 213Кешбэк 181 балл
    IPB65R110CFDATMA2MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
    1 213Кешбэк 181 балл
    SPW24N60C3FKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 24.3A TO247-3
    1 213Кешбэк 181 балл
    IPDD60R075CFD7XTMA1MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10
    1 223Кешбэк 183 балла
    IRFSL4127PBFMOSFET N-CH 200V 72A TO262
    1 227Кешбэк 184 балла
    IPB020N10N5LFATMA1MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
    1 229Кешбэк 184 балла
    IPW60R070P6600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,
    1 231Кешбэк 184 балла
    IPA075N15N3GXKSA1MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
    1 241Кешбэк 186 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторные модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП