Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRLR3110ZTRLPBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRLR3110ZTRLPBF

IRLR3110ZTRLPBF

IRLR3110ZTRLPBF
;
IRLR3110ZTRLPBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IRLR3110ZTRLPBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 42A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена IRLR3110ZTRLPBF при покупке от 1 шт 478.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRLR3110ZTRLPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRLR3110ZTRLPBF

IRLR3110ZTRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100В 42А DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 100В
    • Номинальный ток при VDS(on): 42А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Малое энергопотребление
    • Высокая надежность
    • Удобство монтажа благодаря компактному пакету DPAK
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не подходит для высокочастотных применений без использования бутстреп-обмотки
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Контроль работы других компонентов
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Системах управления двигателем
    • Измерительной и тестовой технике
    • Электроприборах
Выбрано: Показать

Характеристики IRLR3110ZTRLPBF

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    42A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14mOhm @ 38A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3980 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    140W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D-Pak
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IRLR3110

Техническая документация

 IRLR3110ZTRLPBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 5950 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    478 ₽
  • 10
    309 ₽
  • 100
    212 ₽
  • 500
    170 ₽
  • 3000
    143 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IRLR3110ZTRLPBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 42A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена IRLR3110ZTRLPBF при покупке от 1 шт 478.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRLR3110ZTRLPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRLR3110ZTRLPBF

IRLR3110ZTRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100В 42А DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 100В
    • Номинальный ток при VDS(on): 42А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Малое энергопотребление
    • Высокая надежность
    • Удобство монтажа благодаря компактному пакету DPAK
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не подходит для высокочастотных применений без использования бутстреп-обмотки
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Контроль работы других компонентов
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Системах управления двигателем
    • Измерительной и тестовой технике
    • Электроприборах
Выбрано: Показать

Характеристики IRLR3110ZTRLPBF

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    42A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14mOhm @ 38A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3980 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    140W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D-Pak
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IRLR3110

Техническая документация

 IRLR3110ZTRLPBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPD042P03L3GATMA1MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
    437Кешбэк 65 баллов
    SPD06N80C3ATMA1MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
    437Кешбэк 65 баллов
    IRFB7534PBFMOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
    437Кешбэк 65 баллов
    IRFB7740PBFMOSFET N-CH 75V 87A TO220AB
    437Кешбэк 65 баллов
    IRFP4229PBFMOSFET N-CH 250V 44A TO247AC
    437Кешбэк 65 баллов
    IRFB7537PBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB
    438Кешбэк 65 баллов
    IPB100N04S303ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
    440Кешбэк 66 баллов
    IRF9540NSTRLPBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
    440Кешбэк 66 баллов
    BSP135H6906XTSA1MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
    442Кешбэк 66 баллов
    IRF1407STRLPBFMOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
    442Кешбэк 66 баллов
    IRFH6200TRPBFMOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
    442Кешбэк 66 баллов
    BSC009NE2LS5IATMA1MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
    444Кешбэк 66 баллов
    IRF1405PBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
    444Кешбэк 66 баллов
    IPD038N06N3GATMA1MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
    444Кешбэк 66 баллов
    IRLB3036PBFMOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
    444Кешбэк 66 баллов
    IRFB4227PBFMOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
    446Кешбэк 66 баллов
    IRF1324PBFMOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
    446Кешбэк 66 баллов
    IPP048N04NGXKSA1MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
    448Кешбэк 67 баллов
    IPD50N03S2L06ATMA1MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
    450Кешбэк 67 баллов
    IPA60R230P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-FP
    450Кешбэк 67 баллов
    IRFB7734PBFMOSFET N-CH 75V 183A TO220AB
    450Кешбэк 67 баллов
    IRF2807ZPBFТранзистор: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
    450Кешбэк 67 баллов
    IRF7855TRPBFMOSFET N-CH 60V 12A 8SO
    452Кешбэк 67 баллов
    IRLR3110ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 42A DPAK
    452Кешбэк 67 баллов
    IRF60B217Транзистор: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
    452Кешбэк 67 баллов
    IRF640NSTRRPBFMOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
    452Кешбэк 67 баллов
    IPA060N06NXKSA1MOSFET N-CH 60V 45A TO220-FP
    452Кешбэк 67 баллов
    IPP200N15N3GXKSA1MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
    454Кешбэк 68 баллов
    IPP65R225C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
    454Кешбэк 68 баллов
    IRFR4620TRLPBFMOSFET N-CH 200V 24A DPAK
    455Кешбэк 68 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули триодных тиристоров
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторные модули
    Симисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП