
Войдите в профиль
Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения
Москва


Минимальная цена ISL9V3040D3ST-F085C при покупке от 1 шт 482.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ISL9V3040D3ST-F085C с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Разрешенные теги:
,
Маркировка ISL9V3040D3ST-F085C: Это маркировка транзистора производства ON Semiconductor.
Тип транзистора: ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252. Это комбинированный транзистор, который объединяет функциональность IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) и MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
Основные параметры:
Вольтаж ввода: 9V
Предел тока: 30A
Частота работы: до 100kHz
Класс термостабильности: ST
Номер корпуса: F085C (TO252)
Плюсы:
Высокая эффективность
Низкий коэффициент потерь при работе
Устойчивость к перегреву
Малый размер корпуса (TO252)
Высокая надежность
Минусы:
Высокие цены по сравнению с обычными транзисторами
Требуют более сложной схемотехники для управления
Общее назначение: Используется в различных приборах и устройствах, где требуется высокая эффективность и низкие потери при работе, такие как:
- Питание ноутбуков и других портативных устройств
- Инверторы напряжения
- Электроприводы
- Автомобильные системы питания
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
Минимальная цена ISL9V3040D3ST-F085C при покупке от 1 шт 482.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ISL9V3040D3ST-F085C с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Разрешенные теги:
,
Маркировка ISL9V3040D3ST-F085C: Это маркировка транзистора производства ON Semiconductor.
Тип транзистора: ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252. Это комбинированный транзистор, который объединяет функциональность IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) и MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
Основные параметры:
Вольтаж ввода: 9V
Предел тока: 30A
Частота работы: до 100kHz
Класс термостабильности: ST
Номер корпуса: F085C (TO252)
Плюсы:
Высокая эффективность
Низкий коэффициент потерь при работе
Устойчивость к перегреву
Малый размер корпуса (TO252)
Высокая надежность
Минусы:
Высокие цены по сравнению с обычными транзисторами
Требуют более сложной схемотехники для управления
Общее назначение: Используется в различных приборах и устройствах, где требуется высокая эффективность и низкие потери при работе, такие как:
- Питание ноутбуков и других портативных устройств
- Инверторы напряжения
- Электроприводы
- Автомобильные системы питания
