Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN44N80Q3
  • В избранное
  • В сравнение
IXFN44N80Q3

IXFN44N80Q3

IXFN44N80Q3
;
IXFN44N80Q3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN44N80Q3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 37A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN44N80Q3 при покупке от 1 шт 11646.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN44N80Q3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN44N80Q3

IXFN44N80Q3 IXYS MOSFET N-Ч 800В 37А SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 800В
    • Номинальный ток (ID(on)): 37А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый сопротивление на проводимость (RD(on))
    • Низкое сопротивление при отрицательных температурах
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Необходимость дополнительной охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления током
    • Работа в источниках питания
    • Применение в инверторах и преобразователях частоты
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленном оборудовании
    • Энергосберегающих приборах
    • Мощных источниках питания
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN44N80Q3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    37A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 22A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    185 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9840 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    780W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN44

Техническая документация

 IXFN44N80Q3.pdf
pdf. 0 kb
  • 10 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    11 646 ₽
  • 10
    8 912 ₽
  • 100
    8 697 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN44N80Q3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 37A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN44N80Q3 при покупке от 1 шт 11646.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN44N80Q3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN44N80Q3

IXFN44N80Q3 IXYS MOSFET N-Ч 800В 37А SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 800В
    • Номинальный ток (ID(on)): 37А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый сопротивление на проводимость (RD(on))
    • Низкое сопротивление при отрицательных температурах
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Необходимость дополнительной охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления током
    • Работа в источниках питания
    • Применение в инверторах и преобразователях частоты
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленном оборудовании
    • Энергосберегающих приборах
    • Мощных источниках питания
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN44N80Q3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    37A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 22A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    185 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9840 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    780W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN44

Техническая документация

 IXFN44N80Q3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    APT47M60JMOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP
    5 779Кешбэк 866 баллов
    APT17F120JMOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOP
    5 891Кешбэк 883 балла
    APT50M65JLLMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
    8 387Кешбэк 1 258 баллов
    APT50M65JFLLMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
    8 556Кешбэк 1 283 балла
    APT10045JLLMOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
    8 755Кешбэк 1 313 баллов
    APT80M60JMOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP
    9 922Кешбэк 1 488 баллов
    APT41F100JMOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP
    11 160Кешбэк 1 674 балла
    APL502JMOSFET N-CH 500V 52A ISOTOP
    11 295Кешбэк 1 694 балла
    APT58M80JMOSFET N-CH 800V 60A SOT227
    11 396Кешбэк 1 709 баллов
    APT50M38JLLMOSFET N-CH 500V 88A ISOTOP
    14 589Кешбэк 2 188 баллов
    APT60M60JLLMOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
    17 999Кешбэк 2 699 баллов
    APT10021JFLLMOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP
    19 224Кешбэк 2 883 балла
    APTM50HM65FT3GТранзистор: MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3
    22 026Кешбэк 3 303 балла
    APTML100U60R020T1AGMOSFET N-CH 1000V 20A SP1
    26 243Кешбэк 3 936 баллов
    APTM20AM04FGТранзистор: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
    48 428Кешбэк 7 264 балла
    IXFN230N20TMOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
    7 238Кешбэк 1 085 баллов
    FD6M033N06Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    891Кешбэк 133 балла
    FD6M045N06Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    1 328Кешбэк 199 баллов
    APT38M50JMOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
    7 404Кешбэк 1 110 баллов
    APT39M60JMOSFET N-CH 600V 42A ISOTOP
    7 769Кешбэк 1 165 баллов
    APT21M100JMOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
    8 155Кешбэк 1 223 балла
    IXTN60N50L2MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
    9 312Кешбэк 1 396 баллов
    BSM120D12P2C005Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
    79 842Кешбэк 11 976 баллов
    BSM180D12P2C101Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
    84 867Кешбэк 12 730 баллов
    CAS300M17BM2Транзистор: MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE
    189 367Кешбэк 28 405 баллов
    APT30M19JVFRMOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP
    12 534Кешбэк 1 880 баллов
    CAS120M12BM2Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
    96 380Кешбэк 14 457 баллов
    CCS050M12CM2Транзистор: MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE
    102 406Кешбэк 15 360 баллов
    CAS300M12BM2Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE
    148 357Кешбэк 22 253 балла
    IXFN20N120PMOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
    3 043Кешбэк 456 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторные модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП