IXTA2N100P

IXTA2N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 2A TO263

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение (V_DS) – 1000В
• Номинальный ток (I_D) – 2А
• Тип – N-канальный MOSFET
• Компактный корпус TO263
• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность
• Низкое значение тока дrain-to-source (R_DS(on)) при номинальном токе
• Устойчивость к перегреву благодаря конструкции корпуса
• Малый размер и легкость, что удобно для компактного дизайна устройств
• Минусы:
• Высокие затраты на производство по сравнению с другими типами транзисторов
• Необходимость дополнительных теплоотводящих систем из-за высокой теплопроводности корпуса
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения
• Переключение электрических цепей
• Уменьшение потерь энергии в электронных устройствах
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы
• Системы питания
• Инверторы
• Источники питания
• Промышленные контроллеры и преобразователи