Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
J176-D74Z
  • В избранное
  • В сравнение
J176-D74Z

J176-D74Z

J176-D74Z
;
J176-D74Z

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    J176-D74Z
  • Описание:
    JFET P-CH 30V 0.35W TO92Все характеристики

Минимальная цена J176-D74Z при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить J176-D74Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание J176-D74Z

Маркировка J176-D74Z, производитель ONSEMI, описание JFET P-CH 30V 0.35W TO92.

  • Основные параметры:
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Тип поля: P-канальный
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальная мощность: 0.35Вт
    • Объем: TO92
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность при изменении температуры
    • Высокая частота работы
    • Простота в использовании
    • Низкий уровень шума
  • Минусы:
    • Уступает транзисторам по мощности при больших токах
    • Необходимо учитывать влияние температуры на характеристики
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Усилители низкого уровня
    • Коммутационные элементы в цифровых схемах
    • Измерительные приборы
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Планшеты
    • Автомобильные системы
    • Периферийное оборудование
    • Производственное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики J176-D74Z

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    1 V @ 10 nA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    250 Ohms
  • Рассеивание мощности
    350 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Base Product Number
    J176
  • 1421 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    72 ₽
  • 100
    45 ₽
  • 500
    27.6 ₽
  • 2000
    25.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    J176-D74Z
  • Описание:
    JFET P-CH 30V 0.35W TO92Все характеристики

Минимальная цена J176-D74Z при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить J176-D74Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание J176-D74Z

Маркировка J176-D74Z, производитель ONSEMI, описание JFET P-CH 30V 0.35W TO92.

  • Основные параметры:
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Тип поля: P-канальный
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальная мощность: 0.35Вт
    • Объем: TO92
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность при изменении температуры
    • Высокая частота работы
    • Простота в использовании
    • Низкий уровень шума
  • Минусы:
    • Уступает транзисторам по мощности при больших токах
    • Необходимо учитывать влияние температуры на характеристики
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Усилители низкого уровня
    • Коммутационные элементы в цифровых схемах
    • Измерительные приборы
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Планшеты
    • Автомобильные системы
    • Периферийное оборудование
    • Производственное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики J176-D74Z

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    1 V @ 10 nA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    250 Ohms
  • Рассеивание мощности
    350 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Base Product Number
    J176

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSVJ6904DSB6T1GТиристор: JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
    235Кешбэк 35 баллов
    NSVJ2394SA3T1GТиристор: IC JFET N-CH LNA SC59-3
    80Кешбэк 12 баллов
    J109-D26ZJFET N-CH 25V 625MW TO92
    113Кешбэк 16 баллов
    UJ3N120035K3S1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
    5 395Кешбэк 809 баллов
    NSVJ5908DSG5T1GNCH+NCH J-FET
    133Кешбэк 19 баллов
    UJ3N120065K3S1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3
    3 909Кешбэк 586 баллов
    UJ3N065080K3SТиристор: 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
    2 094Кешбэк 314 баллов
    UJ3N120070K3SТиристор: 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
    3 666Кешбэк 549 баллов
    J176-D74ZJFET P-CH 30V 0.35W TO92
    72Кешбэк 10 баллов
    UJ3N065025K3S650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
    3 794Кешбэк 569 баллов
    SST402 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    753Кешбэк 112 баллов
    LS3958 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 623Кешбэк 243 балла
    LS5911 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 320Кешбэк 348 баллов
    LS5911 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 320Кешбэк 348 баллов
    LSBF510 SOT-23 3L ROHSHIGH GAIN, SINGLE N-CHANNEL JFET
    924Кешбэк 138 баллов
    LS845 SOT-23 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    1 645Кешбэк 246 баллов
    SST204 SOT-23 3LLOW NOISE, SINGLE, N-CHANNEL JFE
    924Кешбэк 138 баллов
    LS841 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 936Кешбэк 290 баллов
    LS842 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 849Кешбэк 277 баллов
    SST441 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 392Кешбэк 358 баллов
    SST401 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 714Кешбэк 257 баллов
    LS3954 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 814Кешбэк 272 балла
    LS5912 TO-78 6LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 562Кешбэк 384 балла
    U403 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 825Кешбэк 273 балла
    LS842 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    2 012Кешбэк 301 балл
    2N5115 TO-18 3LP-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
    1 477Кешбэк 221 балл
    LS320 TO-72 4LBIFET AMPLIFIER - HIGH INPUT Z A
    1 729Кешбэк 259 баллов
    U406 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 634Кешбэк 245 баллов
    LSK389C SOIC 8LLOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    1 853Кешбэк 277 баллов
    LS5912 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 205Кешбэк 330 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП