Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
JANTX2N4859
JANTX2N4859

JANTX2N4859

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microsemi Corporation
  • Артикул:
    JANTX2N4859
  • Описание:
    JFET N-CH 30V 360MW TO-18Все характеристики

Минимальная цена JANTX2N4859 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить JANTX2N4859 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики JANTX2N4859

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    175 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    10 V @ 500 pA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    18pF @ 10V (VGS)
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    25 Ohms
  • Рассеивание мощности
    360 mW
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Исполнение корпуса
    TO-18
  • Base Product Number
    2N4859
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microsemi Corporation
  • Артикул:
    JANTX2N4859
  • Описание:
    JFET N-CH 30V 360MW TO-18Все характеристики

Минимальная цена JANTX2N4859 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить JANTX2N4859 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики JANTX2N4859

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    175 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    10 V @ 500 pA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    18pF @ 10V (VGS)
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    25 Ohms
  • Рассеивание мощности
    360 mW
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Исполнение корпуса
    TO-18
  • Base Product Number
    2N4859

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    JANTX2N4092UBJFET N-CH 40V 0.36W SMD
    22 477Кешбэк 3 371 балл
    MMBF5434JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23
    81Кешбэк 12 баллов
    MMBFJ270Тиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    112Кешбэк 16 баллов
    MMBFJ108Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SSOT3
    95Кешбэк 14 баллов
    SMMBFJ177LT1GТиристор: TRANS JFET P-CH SOT23
    61Кешбэк 9 баллов
    MMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    64Кешбэк 9 баллов
    MMBF4117JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
    107Кешбэк 16 баллов
    JANTX2N4093UBJFET N-CH 40V 0.36W SMD
    23 136Кешбэк 3 470 баллов
    2N4391N CHANNEL J-FET T0-18
    2 827Кешбэк 424 балла
    J111SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    81Кешбэк 12 баллов
    MMBFJ177LT1GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
    21.3Кешбэк 3 балла
    2SK880-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    161Кешбэк 24 балла
    MMBFJ176Тиристор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    126Кешбэк 18 баллов
    2SK880-BL(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    166Кешбэк 24 балла
    MMBF5103Тиристор: JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23
    19.8Кешбэк 2 балла
    MMBFJ110JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT
    126Кешбэк 18 баллов
    MMBFJ112Тиристор: JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23
    83Кешбэк 12 баллов
    2SK2145-Y(TE85L,F)MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
    190Кешбэк 28 баллов
    MCH3914-7-TL-HJFET N-CH 50MA 300MW SC70FL/MCPH
    182Кешбэк 27 баллов
    2N5116P-CHANNEL MOSFET TO-18
    2 912Кешбэк 436 баллов
    MMBFJ201Тиристор: JFET N-CH 40V 350MW SOT23
    21Кешбэк 3 балла
    MMBFJ175LT1GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
    20.7Кешбэк 3 балла
    2SK879-GR(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    103Кешбэк 15 баллов
    CPH3910-TL-EТиристор: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
    112Кешбэк 16 баллов
    MMBFJ111Тиристор: JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3
    93Кешбэк 13 баллов
    MMBFU310LT1GJFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3
    78Кешбэк 11 баллов
    2SK208-GR(TE85L,F)JFET N-CH 50V SC59
    118Кешбэк 17 баллов
    J113SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    81Кешбэк 12 баллов
    2N4393N CHANNEL J-FET T0-18
    2 402Кешбэк 360 баллов
    TF412ST5GТиристор: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
    81Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП