Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
LS845 SOT-23 6L
  • В избранное
  • В сравнение
LS845 SOT-23 6L

LS845 SOT-23 6L

LS845 SOT-23 6L
;
LS845 SOT-23 6L

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Linear Integrated Systems, Inc.
  • Артикул:
    LS845 SOT-23 6L
  • Описание:
    LOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACIВсе характеристики

Минимальная цена LS845 SOT-23 6L при покупке от 1 шт 1645.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить LS845 SOT-23 6L с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание LS845 SOT-23 6L

LS845 SOT-23 6L Linear Integrated Systems, Inc.

  • Назначение: Цифровой усилитель с низким шумом и дрейфом
  • Основные параметры:
    • Низкий шум
    • Низкий дрейф
    • Низкая емкость
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность
    • Низкий уровень шума
    • Низкий дрейф
    • Маленький размер корпуса (SOT-23)
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными решениями
    • Требует точного регулирования питания
  • Общее назначение: Используется для усиления слабых сигналов в цифровых системах, где требуется высокая точность и низкий уровень шума
  • Применение:
    • Цифровые радиоприемники
    • Мобильные устройства
    • Инженерное оборудование
    • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики LS845 SOT-23 6L

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    60 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    1.5 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    1 V @ 1 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    400 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3

Техническая документация

 LS845 SOT-23 6L.pdf
pdf. 0 kb
  • 3000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 645 ₽
  • 10
    1 125 ₽
  • 100
    831 ₽
  • 500
    817 ₽
  • 3000
    729 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Linear Integrated Systems, Inc.
  • Артикул:
    LS845 SOT-23 6L
  • Описание:
    LOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACIВсе характеристики

Минимальная цена LS845 SOT-23 6L при покупке от 1 шт 1645.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить LS845 SOT-23 6L с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание LS845 SOT-23 6L

LS845 SOT-23 6L Linear Integrated Systems, Inc.

  • Назначение: Цифровой усилитель с низким шумом и дрейфом
  • Основные параметры:
    • Низкий шум
    • Низкий дрейф
    • Низкая емкость
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность
    • Низкий уровень шума
    • Низкий дрейф
    • Маленький размер корпуса (SOT-23)
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными решениями
    • Требует точного регулирования питания
  • Общее назначение: Используется для усиления слабых сигналов в цифровых системах, где требуется высокая точность и низкий уровень шума
  • Применение:
    • Цифровые радиоприемники
    • Мобильные устройства
    • Инженерное оборудование
    • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики LS845 SOT-23 6L

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    60 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    1.5 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    1 V @ 1 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    400 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3

Техническая документация

 LS845 SOT-23 6L.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSVJ6904DSB6T1GТиристор: JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
    235Кешбэк 35 баллов
    NSVJ2394SA3T1GТиристор: IC JFET N-CH LNA SC59-3
    80Кешбэк 12 баллов
    J109-D26ZJFET N-CH 25V 625MW TO92
    113Кешбэк 16 баллов
    UJ3N120035K3S1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
    5 395Кешбэк 809 баллов
    NSVJ5908DSG5T1GNCH+NCH J-FET
    133Кешбэк 19 баллов
    UJ3N120065K3S1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3
    3 909Кешбэк 586 баллов
    UJ3N065080K3SТиристор: 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
    2 094Кешбэк 314 баллов
    UJ3N120070K3SТиристор: 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
    3 666Кешбэк 549 баллов
    J176-D74ZJFET P-CH 30V 0.35W TO92
    72Кешбэк 10 баллов
    UJ3N065025K3S650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
    3 794Кешбэк 569 баллов
    SST402 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    753Кешбэк 112 баллов
    LS3958 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 623Кешбэк 243 балла
    LS5911 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 320Кешбэк 348 баллов
    LS5911 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 320Кешбэк 348 баллов
    LSBF510 SOT-23 3L ROHSHIGH GAIN, SINGLE N-CHANNEL JFET
    924Кешбэк 138 баллов
    LS845 SOT-23 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    1 645Кешбэк 246 баллов
    SST204 SOT-23 3LLOW NOISE, SINGLE, N-CHANNEL JFE
    924Кешбэк 138 баллов
    LS841 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 936Кешбэк 290 баллов
    LS842 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 849Кешбэк 277 баллов
    SST441 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 392Кешбэк 358 баллов
    SST401 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 714Кешбэк 257 баллов
    LS3954 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 814Кешбэк 272 балла
    LS5912 TO-78 6LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 562Кешбэк 384 балла
    U403 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 825Кешбэк 273 балла
    LS842 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    2 012Кешбэк 301 балл
    2N5115 TO-18 3LP-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
    1 477Кешбэк 221 балл
    LS320 TO-72 4LBIFET AMPLIFIER - HIGH INPUT Z A
    1 729Кешбэк 259 баллов
    U406 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 634Кешбэк 245 баллов
    LSK389C SOIC 8LLOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    1 853Кешбэк 277 баллов
    LS5912 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 205Кешбэк 330 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП