Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки
MBT6429DW1T1G
  • В избранное
  • В сравнение
MBT6429DW1T1G

MBT6429DW1T1G

MBT6429DW1T1G
;
MBT6429DW1T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MBT6429DW1T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN 45V 0.2A SC88/SC70-6Все характеристики

Минимальная цена MBT6429DW1T1G при покупке от 1 шт 40.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MBT6429DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MBT6429DW1T1G

MBT6429DW1T1G ON SEMICONDUCTOR Транзистор: TRANS 2NPN 45В 0,2А SC88/SC70-6

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Номинальное напряжение: 45В
    • Номинальный ток: 0,2А
    • Форм-фактор: SC88/SC70-6
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Долгий срок службы
    • Компактные размеры
  • Минусы:
    • Низкий ток
    • Невысокая мощность
  • Общее назначение:
    • Распределение тока в электронных схемах
    • Усиление сигнала
    • Контроль тока в различных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Приборы измерений
    • Автомобильная электроника
    • Микросхемы
    • Электронные часы
Выбрано: Показать

Характеристики MBT6429DW1T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    200mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    45V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    600mV @ 5mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    500 @ 100µA, 5V
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Трансформация частоты
    700MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    MBT6429

Техническая документация

 MBT6429DW1T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 3 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    40 ₽
  • 100
    16.2 ₽
  • 1000
    9.8 ₽
  • 6000
    7.2 ₽
  • 21000
    6.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MBT6429DW1T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN 45V 0.2A SC88/SC70-6Все характеристики

Минимальная цена MBT6429DW1T1G при покупке от 1 шт 40.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MBT6429DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MBT6429DW1T1G

MBT6429DW1T1G ON SEMICONDUCTOR Транзистор: TRANS 2NPN 45В 0,2А SC88/SC70-6

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Номинальное напряжение: 45В
    • Номинальный ток: 0,2А
    • Форм-фактор: SC88/SC70-6
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Долгий срок службы
    • Компактные размеры
  • Минусы:
    • Низкий ток
    • Невысокая мощность
  • Общее назначение:
    • Распределение тока в электронных схемах
    • Усиление сигнала
    • Контроль тока в различных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Приборы измерений
    • Автомобильная электроника
    • Микросхемы
    • Электронные часы
Выбрано: Показать

Характеристики MBT6429DW1T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    200mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    45V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    600mV @ 5mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    500 @ 100µA, 5V
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Трансформация частоты
    700MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    MBT6429

Техническая документация

 MBT6429DW1T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SN75469DRТранзистор: TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SOIC
    309Кешбэк 46 баллов
    ULN2004ANSRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
    115Кешбэк 17 баллов
    BC857BS-7-FТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
    38Кешбэк 5 баллов
    ZXTC6717MCTAТранзистор: TRANS NPN/PNP 15V/12V 8DFN
    232Кешбэк 34 балла
    MMDT4401-TPТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
    69Кешбэк 10 баллов
    DMG204A00RТранзистор: TRANS NPN/PNP 20V/10V 0.5A MINI6
    80Кешбэк 12 баллов
    NSVT3906DXV6T1GТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563
    91Кешбэк 13 баллов
    DST847BDJ-7Транзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT963
    65Кешбэк 9 баллов
    QS5Y1TRТранзистор: TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT5
    207Кешбэк 31 балл
    UMX18NTNТранзистор: TRANS 2NPN 12V 0.5A 6UMT
    128Кешбэк 19 баллов
    MMDT4403-TPТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.6A SOT363
    69Кешбэк 10 баллов
    MMDT4403-7-FТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.6A SOT363
    70Кешбэк 10 баллов
    DMMT2907A-7Транзистор: TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT26
    107Кешбэк 16 баллов
    XP0555300LТранзистор: TRANS 2NPN 100V 0.02A SMINI6
    61Кешбэк 9 баллов
    SSM2212RZТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC
    2 016Кешбэк 302 балла
    NSV40302PDR2GТранзистор: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
    233Кешбэк 34 балла
    SSM2212RZ-R7Транзистор: TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC
    2 016Кешбэк 302 балла
    SBC846BDW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88/SC70-6
    22Кешбэк 3 балла
    BC857BDW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88/SC70-6
    30Кешбэк 4 балла
    ULN2004AIDRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    213Кешбэк 31 балл
    PBSS4130PANP,115Транзистор: TRANS NPN/PNP 30V 1A 6HUSON
    145Кешбэк 21 балл
    BC817DPN,125Транзистор: TRANS NPN/PNP 45V 0.5A 6TSOP
    53Кешбэк 7 баллов
    ULN2003AS16-13Микросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
    141Кешбэк 21 балл
    ULN2802AТранзистор: TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
    582Кешбэк 87 баллов
    PBSS5160DS,115Транзистор: TRANS 2PNP 60V 0.77A 6TSOP
    100Кешбэк 15 баллов
    ULQ2004ADRМикросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    213Кешбэк 31 балл
    ZHB6790TAТранзистор: TRANS 2NPN/2PNP 40V 2A SOT223
    504Кешбэк 75 баллов
    ZDT617TAТранзистор: TRANS 2NPN 15V 3A SM8
    60Кешбэк 9 баллов
    ZDT694TAТранзистор: TRANS 2NPN 120V 0.5A SM8
    279Кешбэк 41 балл
    BC847BVN,115Транзистор: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT666
    74Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Драйверы питания - Модули
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП