Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки
MC1413BDR2G
  • В избранное
  • В сравнение
MC1413BDR2G

MC1413BDR2G

MC1413BDR2G
;
MC1413BDR2G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MC1413BDR2G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOICВсе характеристики

Минимальная цена MC1413BDR2G при покупке от 1 шт 109.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MC1413BDR2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MC1413BDR2G

MC1413BDR2G наsemi Транзистор: TRANS 7NPN DARL 50В 0,5А 16SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: 7-канальный NPN дарlington-транзистор
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 50В
    • Номинальный ток коллектора: 0,5А
    • Количество каналов: 7
    • Монтажный корпус: 16 SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Высокое усиление (darlington-многоканальный)
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и компактная конструкция
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и подключению
    • Высокая стоимость по сравнению с одиночными транзисторами
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых цепях
    • Увеличение силы тока и напряжения
    • Регулирование и управление нагрузками
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Иllumination systems
    • Промышленном оборудовании
    • Игровой и домашний аудиооборудование
    • Видеосистемы
Выбрано: Показать

Характеристики MC1413BDR2G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    7 NPN Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.6V @ 500µA, 350mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 350mA, 2V
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    16-SOIC
  • Base Product Number
    MC1413

Техническая документация

 MC1413BDR2G.pdf
pdf. 0 kb
  • 18317 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    109 ₽
  • 25
    69 ₽
  • 250
    56 ₽
  • 1000
    52 ₽
  • 5000
    48 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MC1413BDR2G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOICВсе характеристики

Минимальная цена MC1413BDR2G при покупке от 1 шт 109.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MC1413BDR2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MC1413BDR2G

MC1413BDR2G наsemi Транзистор: TRANS 7NPN DARL 50В 0,5А 16SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: 7-канальный NPN дарlington-транзистор
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 50В
    • Номинальный ток коллектора: 0,5А
    • Количество каналов: 7
    • Монтажный корпус: 16 SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Высокое усиление (darlington-многоканальный)
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и компактная конструкция
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и подключению
    • Высокая стоимость по сравнению с одиночными транзисторами
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых цепях
    • Увеличение силы тока и напряжения
    • Регулирование и управление нагрузками
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Иllumination systems
    • Промышленном оборудовании
    • Игровой и домашний аудиооборудование
    • Видеосистемы
Выбрано: Показать

Характеристики MC1413BDR2G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    7 NPN Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.6V @ 500µA, 350mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 350mA, 2V
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    16-SOIC
  • Base Product Number
    MC1413

Техническая документация

 MC1413BDR2G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ULN2004AIDRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    213Кешбэк 31 балл
    ULQ2004ADRМикросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    213Кешбэк 31 балл
    ULQ2004ATDRG4Q1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    217Кешбэк 32 балла
    ULN2003AIDRG4Микросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
    217Кешбэк 32 балла
    ULN2004AINSRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
    224Кешбэк 33 балла
    ULQ2003AQDRQ1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    228Кешбэк 34 балла
    ULN2004AIDМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    232Кешбэк 34 балла
    ULN2003AIDRМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
    233Кешбэк 34 балла
    ULQ2004ANМикросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16DIP
    241Кешбэк 36 баллов
    ULN2003AINSRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
    245Кешбэк 36 баллов
    SN75468DТранзистор: TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO
    265Кешбэк 39 баллов
    ULQ2003ATPWRQ1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16TSSOP
    293Кешбэк 43 балла
    SN75468DRТранзистор: TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO
    300Кешбэк 45 баллов
    SN75469DRТранзистор: TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SOIC
    309Кешбэк 46 баллов
    SN75468NТранзистор: TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16DIP
    312Кешбэк 46 баллов
    SN75468NE4Транзистор: SN75468 HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRE
    328Кешбэк 49 баллов
    ULQ2003ATDQ1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    328Кешбэк 49 баллов
    ULQ2003ATDG4Q1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    339Кешбэк 50 баллов
    ULQ2003ADG4Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    356Кешбэк 53 балла
    SN75469NТранзистор: TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16DIP
    361Кешбэк 54 балла
    ULQ2004ADМикросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    378Кешбэк 56 баллов
    SN75469DТранзистор: TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO
    378Кешбэк 56 баллов
    SN75468NSRТранзистор: TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO
    530Кешбэк 79 баллов
    MMDT3904V-TPТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563
    69Кешбэк 10 баллов
    MMDT4401-TPТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
    69Кешбэк 10 баллов
    MMDT4403-TPТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.6A SOT363
    69Кешбэк 10 баллов
    MMDT3906-TPТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
    74Кешбэк 11 баллов
    MMDT3904-TPТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
    74Кешбэк 11 баллов
    HN1A01FU-GR,LFТранзистор
    43Кешбэк 6 баллов
    HN1A01FU-Y,LFТранзистор: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
    43Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП