Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки
MC1413DR2G
  • В избранное
  • В сравнение
MC1413DR2G

MC1413DR2G

MC1413DR2G
;
MC1413DR2G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MC1413DR2G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOICВсе характеристики

Минимальная цена MC1413DR2G при покупке от 1 шт 100.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MC1413DR2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MC1413DR2G

MC1413DR2G onsemi Транзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: 7-ногий NPN дарlington транзистор
    • Максимальное напряжение междуCollector-Emitter (VCEO): 50В
    • Максимальный ток Collector (IC): 0.5А
    • Форм-фактор: 16-сигма (SOIC)
  • Плюсы:
    • Высокая коэффициент усиления (Darlington структура)
    • Устойчивость к перенапряжениям благодаря высокому VCEO
    • Низкое значение насыщения
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокий ток утечки при отключенном транзисторе
    • Высокая тепловая мощность потребления
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжений и токов
    • Изменение сигналов
    • Увеличение тока выхода
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах управления
    • Электронных цепях питания
    • Измерительной технике
    • Устройствах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики MC1413DR2G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    7 NPN Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.6V @ 500µA, 350mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 350mA, 2V
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    16-SOIC
  • Base Product Number
    MC1413

Техническая документация

 MC1413DR2G.pdf
pdf. 0 kb
  • 24705 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    100 ₽
  • 25
    62 ₽
  • 250
    50 ₽
  • 1000
    46 ₽
  • 5000
    43 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MC1413DR2G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOICВсе характеристики

Минимальная цена MC1413DR2G при покупке от 1 шт 100.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MC1413DR2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MC1413DR2G

MC1413DR2G onsemi Транзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: 7-ногий NPN дарlington транзистор
    • Максимальное напряжение междуCollector-Emitter (VCEO): 50В
    • Максимальный ток Collector (IC): 0.5А
    • Форм-фактор: 16-сигма (SOIC)
  • Плюсы:
    • Высокая коэффициент усиления (Darlington структура)
    • Устойчивость к перенапряжениям благодаря высокому VCEO
    • Низкое значение насыщения
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокий ток утечки при отключенном транзисторе
    • Высокая тепловая мощность потребления
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжений и токов
    • Изменение сигналов
    • Увеличение тока выхода
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах управления
    • Электронных цепях питания
    • Измерительной технике
    • Устройствах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики MC1413DR2G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    7 NPN Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.6V @ 500µA, 350mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 350mA, 2V
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    16-SOIC
  • Base Product Number
    MC1413

Техническая документация

 MC1413DR2G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PBSS4160PANSXТранзистор
    176Кешбэк 26 баллов
    BC847BPN,165Транзистор: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A 6TSSOP
    43Кешбэк 6 баллов
    ULN2003F12FN-7Микросхема: IC PWR RELAY N-CHAN U-DFN3030-10
    104Кешбэк 15 баллов
    BC847CDXV6T1HТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563-6
    11.1Кешбэк 1 балл
    BC846UE6327HTSA1Транзистор: TRANS 2NPN 65V 0.1A SC74-6
    26Кешбэк 3 балла
    ULQ2003D1013TRYТранзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
    150Кешбэк 22 балла
    BC847BS,115Диод: TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    BC847BPN,115Транзистор: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    ULN2004AINМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
    196Кешбэк 29 баллов
    SMBT3946DW1T1GТранзистор: TRAN NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
    24Кешбэк 3 балла
    BC856UE6327HTSA1Транзистор: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC74-6
    28Кешбэк 4 балла
    2SC4207-Y(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV
    59Кешбэк 8 баллов
    BC817UPNE6327HTSA1Транзистор: TRANS NPN/PNP 45V 0.5A SC74
    63Кешбэк 9 баллов
    SBC847BDW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
    18.5Кешбэк 2 балла
    BCM847BS,135Транзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP
    89Кешбэк 13 баллов
    SMBT3906DW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88
    43Кешбэк 6 баллов
    FMB2227AТранзистор: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A 6SSOT
    119Кешбэк 17 баллов
    DMMT3906-7-FТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT26
    100Кешбэк 15 баллов
    MMDT3904-7-FТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
    35Кешбэк 5 баллов
    SCH2201-TL-EТранзистор: TRANSISTOR
    35Кешбэк 5 баллов
    MBT3906DW1T1Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    PMBT3904VS,115Транзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT666
    74Кешбэк 11 баллов
    EMT1DXV6T1GТранзистор: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
    87Кешбэк 13 баллов
    MC1413DR2GТранзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    100Кешбэк 15 баллов
    ULN2003APWRМикросхема: TRAN 7NPN DARL 50V 0.5A 16TSSOP
    102Кешбэк 15 баллов
    FFB5551Транзистор: TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6
    146Кешбэк 21 балл
    ULQ2003ATDG4Q1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    339Кешбэк 50 баллов
    FMB3904Транзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SUPERSOT-6
    115Кешбэк 17 баллов
    BC857QASZТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A DFN1010B-6
    59Кешбэк 8 баллов
    BC847PNH6327XTSA1Транзистор: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363-6
    72Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Принадлежности
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП