Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Сборки биполярных транзисторов
MC1413DR2G
  • В избранное
  • В сравнение
MC1413DR2G

MC1413DR2G

MC1413DR2G
;
MC1413DR2G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MC1413DR2G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOICВсе характеристики

Минимальная цена MC1413DR2G при покупке от 1 шт 102.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MC1413DR2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MC1413DR2G

MC1413DR2G onsemi Транзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: 7-ногий NPN дарlington транзистор
    • Максимальное напряжение междуCollector-Emitter (VCEO): 50В
    • Максимальный ток Collector (IC): 0.5А
    • Форм-фактор: 16-сигма (SOIC)
  • Плюсы:
    • Высокая коэффициент усиления (Darlington структура)
    • Устойчивость к перенапряжениям благодаря высокому VCEO
    • Низкое значение насыщения
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокий ток утечки при отключенном транзисторе
    • Высокая тепловая мощность потребления
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжений и токов
    • Изменение сигналов
    • Увеличение тока выхода
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах управления
    • Электронных цепях питания
    • Измерительной технике
    • Устройствах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики MC1413DR2G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    7 NPN Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.6V @ 500µA, 350mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 350mA, 2V
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    16-SOIC
  • Base Product Number
    MC1413

Техническая документация

 MC1413DR2G.pdf
pdf. 0 kb
  • 24705 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    102 ₽
  • 25
    64 ₽
  • 250
    51 ₽
  • 1000
    47 ₽
  • 5000
    44 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MC1413DR2G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOICВсе характеристики

Минимальная цена MC1413DR2G при покупке от 1 шт 102.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MC1413DR2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MC1413DR2G

MC1413DR2G onsemi Транзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: 7-ногий NPN дарlington транзистор
    • Максимальное напряжение междуCollector-Emitter (VCEO): 50В
    • Максимальный ток Collector (IC): 0.5А
    • Форм-фактор: 16-сигма (SOIC)
  • Плюсы:
    • Высокая коэффициент усиления (Darlington структура)
    • Устойчивость к перенапряжениям благодаря высокому VCEO
    • Низкое значение насыщения
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокий ток утечки при отключенном транзисторе
    • Высокая тепловая мощность потребления
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжений и токов
    • Изменение сигналов
    • Увеличение тока выхода
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах управления
    • Электронных цепях питания
    • Измерительной технике
    • Устройствах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики MC1413DR2G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    7 NPN Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.6V @ 500µA, 350mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 350mA, 2V
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    16-SOIC
  • Base Product Number
    MC1413

Техническая документация

 MC1413DR2G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MBT3946DW1T1GТранзистор: TRAN NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
    34Кешбэк 5 баллов
    BC857BDW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88/SC70-6
    35Кешбэк 5 баллов
    SBC847CDW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-363
    39Кешбэк 5 баллов
    MBT6429DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.2A SC88/SC70-6
    40Кешбэк 6 баллов
    SBC847BDW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
    41.6Кешбэк 6 баллов
    SBC856BDW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88/SC70-6
    44Кешбэк 6 баллов
    NST45010MW6T1GТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88/SC70-6
    96Кешбэк 14 баллов
    ULN2003ADR2GМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    147Кешбэк 22 балла
    ULN2003AIDRE4Микросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
    55Кешбэк 8 баллов
    ULN2003APWRМикросхема: TRAN 7NPN DARL 50V 0.5A 16TSSOP
    104Кешбэк 15 баллов
    ULN2003ADRМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
    106Кешбэк 15 баллов
    ULN2003APWМикросхема: TRAN 7NPN DARL 50V 0.5A 16TSSOP
    106Кешбэк 15 баллов
    ULN2004ANSRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
    117Кешбэк 17 баллов
    ULN2003ANSRМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
    134Кешбэк 20 баллов
    ULN2002ANМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
    140Кешбэк 21 балл
    ULQ2003ANМикросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16DIP
    153Кешбэк 22 балла
    ULN2004ADRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    156Кешбэк 23 балла
    ULN2003ANE4Микросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
    157Кешбэк 23 балла
    ULN2003BPWRМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16TSSOP
    174Кешбэк 26 баллов
    ULQ2003ATDRQ1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    185Кешбэк 27 баллов
    ULN2004ADRG4Микросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
    193Кешбэк 28 баллов
    ULN2004ANE4Транзистор: ULN2004A HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURR
    193Кешбэк 28 баллов
    ULQ2003ATDRG4Q1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    198Кешбэк 29 баллов
    ULN2004AINМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
    200Кешбэк 30 баллов
    ULN2003BDRМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
    202Кешбэк 30 баллов
    ULQ2004ATDRQ1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    204Кешбэк 30 баллов
    ULN2003AIPWМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16TSSOP
    210Кешбэк 31 балл
    ULN2003AIDМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    210Кешбэк 31 балл
    ULN2004AIDRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    217Кешбэк 32 балла
    ULQ2004ADRМикросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    217Кешбэк 32 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Одиночные триодные тиристоры
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП