Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22 info@eicom.ru

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

% Акции Разъемы Реле Вентиляторы Микросхемы Датчики и сенсоры Транзисторы и диоды Конденсаторы Предохранители Весь каталог

Избранное

Войти

Дискретные полупроводники

Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)

MCAC80N06Y-TP

В избранное
В сравнение

MCAC80N06Y-TP

MCAC80N06Y-TP

MCAC80N06Y-TP

;

MCAC80N06Y-TP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Micro Commercial Components (MCC)
Артикул:
MCAC80N06Y-TP
Описание:
MOSFET N-CH 60V 80A DFN5060Все характеристики

Минимальная цена MCAC80N06Y-TP при покупке от 1 шт 407.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MCAC80N06Y-TP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики MCAC80N06Y-TP

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 40A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3980 pF @ 30 V
Рассеивание мощности (Макс)
85W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
DFN5060
Корпус
8-PowerTDFN
Base Product Number
MCAC80

Техническая документация

MCAC80N06Y-TP.pdf

pdf. 0 kb

4502 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
407 ₽
10
259 ₽
100
177 ₽
1000
125 ₽
5000
119 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Micro Commercial Components (MCC)
Артикул:
MCAC80N06Y-TP
Описание:
MOSFET N-CH 60V 80A DFN5060Все характеристики

Минимальная цена MCAC80N06Y-TP при покупке от 1 шт 407.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MCAC80N06Y-TP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики MCAC80N06Y-TP

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 40A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3980 pF @ 30 V
Рассеивание мощности (Макс)
85W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
DFN5060
Корпус
8-PowerTDFN
Base Product Number
MCAC80

Техническая документация

MCAC80N06Y-TP.pdf

pdf. 0 kb

Доставка

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

BSC220N20NSFDATMA1 MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8

1 117Кешбэк 167 баллов

IPTG011N08NM5ATMA1 MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8

1 121Кешбэк 168 баллов

IMBF170R650M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7

1 129Кешбэк 169 баллов

IPZ65R095C7 IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO

1 135Кешбэк 170 баллов

IPB015N04LGATMA1 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

1 139Кешбэк 170 баллов

IMBG120R220M1HXTMA1 SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263

1 145Кешбэк 171 балл

IMW65R107M1HXKSA1 MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

1 153Кешбэк 172 балла

IPB044N15N5ATMA1 MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7

1 155Кешбэк 173 балла

IPW65R115CFD7AXKSA1 MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41

1 155Кешбэк 173 балла

IPL60R065P7AUMA1 MOSFET N-CH 650V 41A 4VSON

1 157Кешбэк 173 балла

IAUT300N10S5N015ATMA1 MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

1 165Кешбэк 174 балла

IPP60R070CFD7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3

1 173Кешбэк 175 баллов

IPT039N15N5ATMA1 OPTIMOS 5 POWER MOSFET

1 175Кешбэк 176 баллов

IPW65R110CFDFKSA2 MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3

1 175Кешбэк 176 баллов

IPP65R110CFDXKSA2 MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3

1 177Кешбэк 176 баллов

IPBE65R099CFD7AATMA1 MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7

1 181Кешбэк 177 баллов

IPB025N10N3GATMA1 Транзистор: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

1 187Кешбэк 178 баллов

IAUS260N10S5N019TATMA1 MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2

1 189Кешбэк 178 баллов

IPT014N08NM5ATMA1 MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8

1 195Кешбэк 179 баллов

IAUT300N08S5N011ATMA1 MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8

1 199Кешбэк 179 баллов

IMW120R220M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3

1 199Кешбэк 179 баллов

IPP200N25N3GXKSA1 MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3

1 199Кешбэк 179 баллов

IPW60R060P7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3

1 213Кешбэк 181 балл

IPB65R110CFDATMA2 MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3

1 213Кешбэк 181 балл

SPW24N60C3FKSA1 Транзистор: MOSFET N-CH 650V 24.3A TO247-3

1 213Кешбэк 181 балл

IPDD60R075CFD7XTMA1 MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10

1 223Кешбэк 183 балла

IRFSL4127PBF MOSFET N-CH 200V 72A TO262

1 227Кешбэк 184 балла

IPB020N10N5LFATMA1 MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

1 229Кешбэк 184 балла

IPW60R070P6 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,

1 231Кешбэк 184 балла

IPA075N15N3GXKSA1 MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3

1 241Кешбэк 186 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Биполярные транзисторы

Диодные мосты

Диоды выпрямительные - Модули

IGBT транзисторы

Симисторы - Модули

Полевые транзисторы - Одиночные

Модули драйверов питания

Диоды силовые

Высокочастотные полевые транзисторы

Высокочастотные диоды

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Диоды - выпрямители - массивы

Транзисторы - IGBT - модули

Транзисторы специального назначения

Одиночные триодные тиристоры

Транзисторные модули

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Транзисторы - программируемые однопереходные

Диоды - мостовые выпрямители

Диоды - выпрямители - одиночные

Полевые транзисторы - Сборки

Транзисторы - JFET

Сборки биполярных транзисторов

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Диоды выпрямительные - Сборки

Диоды выпрямительные - Одиночные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Принадлежности для дискретных полупроводников

Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)

Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Модули триодных тиристоров

Симисторы

Варикапы и Варакторы

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением

IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Одиночные IGBT транзисторы

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Полевые транзисторы - Модули

Модули драйверов питания

Тиристоры - TRIACs

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Программируемые однопереходные транзисторы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диоды - ВЧ

Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Высокочастотные биполярные транзисторы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Диоды и транзисторы для регулирования тока

Одиночные биполярные транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Тиристоры - SCR - модули

Диодные мосты - Модули

Тиристоры - SCR

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали