MGW12N120D

Основные параметры:

• Маркировка: MGW12N120D

• Производитель: ON Semiconductor

• Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

• Напряжение вдоль канала: 1.2 кВ

• Разрядный ток: 20 А

Плюсы:

• Высокая надежность и долговечность

• Высокая скорость включения и выключения

• Высокая эффективность при работе в средних и больших токах

• Упрощенная схема управления по сравнению с MOSFET

• Хорошая термостойкость

Минусы:

• Высокие потери при низких токах

• Необходимо наличие дополнительного радиатора для охлаждения

• Сложнее в управлении при очень высоких частотах

Общее назначение:

• Используется в различных приборах и устройствах, где требуется управление большими токами и напряжениями

• Популярен в промышленных системах управления двигателей, преобразователях напряжения, солнечных батареях и других источниках энергии