MGW14N60ED

Маркировка MGW14N60ED от производителя ON Semiconductor:

• Тип устройства: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Рейтинг тока: 18A
• Рейтинг напряжения: 600В
• Направление канала: N-CHANNEL

Основные параметры:

• Эффективность: Высокий КПД благодаря низкому сопротивлению при прохождении тока и низкому вольт-амперному сопротивлению.
• Управляемость: Легкое управление с помощью сигнала ввода, который может быть получен от источника постоянного или переменного тока.
• Стабильность: Хорошая термическая стабильность и долговечность.
• Производительность: Высокая мощность и скорость переключения.

Плюсы:

• Высокая эффективность работы.
• Простота управления.
• Долговечность и надежность.
• Высокая скорость переключения.

Минусы:

• Высокие требования к охлаждению из-за тепловых потерь.
• Требуется дополнительное оборудование для защиты от обратного тока.

Общее назначение:

• Используется в различных приборах и системах, требующих высокой эффективности и точности управления током.
• Подходит для промышленных приложений, например, в системах преобразования энергии, электроприводах и инверторах.
• Способствует повышению энергоэффективности и снижению тепловых потерь.

В каких устройствах применяется:

• Преобразователи напряжения и частоты (ВЧИ).
• Электроприводы и системы управления им.
• Автомобильные системы питания и управления.
• Системы управления нагрузками в промышленной автоматизации.