Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MMBFJ309

MMBFJ309

MMBFJ309
;
MMBFJ309

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MMBFJ309 при покупке от 1 шт 80.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ309 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ309

MMBFJ309 onsemi Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: RF MOSFET N-канальный JFET
    • Рабочее напряжение (UDSONS): 10В
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Хорошая динамическая характеристика
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету SOT23-3
  • Минусы:
    • Умеренная токопassaющая способность по сравнению с BJT
    • Существует риск нарушения баланса при работе в режиме низких напряжений
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах высокой частоты
    • Компенсация температурных изменений
    • Фильтрация и усиление сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Мобильные устройства и беспроводные технологии
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ309

Техническая документация

MMBFJ309.pdf
pdf. 0 kb
  • 71498 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    80 ₽
  • 550
    169 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена MMBFJ309 при покупке от 1 шт 80.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ309 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ309

MMBFJ309 onsemi Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: RF MOSFET N-канальный JFET
    • Рабочее напряжение (UDSONS): 10В
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Хорошая динамическая характеристика
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету SOT23-3
  • Минусы:
    • Умеренная токопassaющая способность по сравнению с BJT
    • Существует риск нарушения баланса при работе в режиме низких напряжений
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах высокой частоты
    • Компенсация температурных изменений
    • Фильтрация и усиление сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Мобильные устройства и беспроводные технологии
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ309

Техническая документация

MMBFJ309.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории