Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G
;
MMBFJ309LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MMBFJ309LT1G при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ309LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G onsemi Транзистор:

  • RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3

Основные параметры:

  • VGS(th) (V): 4.0 V
  • ID(on) (A): 500 mA
  • RDS(on) (mΩ): 16.8 mΩ @ 5 V, 25°C
  • TCase(max) (°C): 150°C
  • Qg (nC): 15 nC

Плюсы:

  • Низкий напряжения включения (VGS(th)): Основной фактор для использования в широком диапазоне приложений.
  • Малый ток дrain-on: Энергетически эффективный.
  • Небольшой размер (SOT23-3): Удобен для монтажа на печатных платах.
  • Высокая температура работы: Максимальная температура корпуса до 150°C обеспечивает надежную работу в жарких условиях.

Минусы:

  • Малый ток дrain-on: Может ограничивать его применение в высокотоковых приложениях.
  • Ток дrain-on зависит от напряжения: Поведение может быть нестабильным при изменении напряжения питания.

Общее назначение:

  • Блокировки питания: Используется для регулирования напряжения и управления током.
  • Измерительные приборы: Подходит для измерения низкого тока.
  • Электронные устройства: Входит в состав различных электронных схем, где требуется управление током.

Применяется в:

  • Системах питания.
  • Устройствах контроля напряжения.
  • Измерительных приборах.
  • Драйверах тока для LED-лент.
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ309LT1G

Техническая документация

MMBFJ309LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 450597 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    41 ₽
  • 100
    20 ₽
  • 1000
    17.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена MMBFJ309LT1G при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ309LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G onsemi Транзистор:

  • RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3

Основные параметры:

  • VGS(th) (V): 4.0 V
  • ID(on) (A): 500 mA
  • RDS(on) (mΩ): 16.8 mΩ @ 5 V, 25°C
  • TCase(max) (°C): 150°C
  • Qg (nC): 15 nC

Плюсы:

  • Низкий напряжения включения (VGS(th)): Основной фактор для использования в широком диапазоне приложений.
  • Малый ток дrain-on: Энергетически эффективный.
  • Небольшой размер (SOT23-3): Удобен для монтажа на печатных платах.
  • Высокая температура работы: Максимальная температура корпуса до 150°C обеспечивает надежную работу в жарких условиях.

Минусы:

  • Малый ток дrain-on: Может ограничивать его применение в высокотоковых приложениях.
  • Ток дrain-on зависит от напряжения: Поведение может быть нестабильным при изменении напряжения питания.

Общее назначение:

  • Блокировки питания: Используется для регулирования напряжения и управления током.
  • Измерительные приборы: Подходит для измерения низкого тока.
  • Электронные устройства: Входит в состав различных электронных схем, где требуется управление током.

Применяется в:

  • Системах питания.
  • Устройствах контроля напряжения.
  • Измерительных приборах.
  • Драйверах тока для LED-лент.
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ309LT1G

Техническая документация

MMBFJ309LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории