Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MMRF1014NT1
  • В избранное
  • В сравнение
MMRF1014NT1

MMRF1014NT1

MMRF1014NT1
;
MMRF1014NT1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    MMRF1014NT1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5Все характеристики

Минимальная цена MMRF1014NT1 при покупке от 1 шт 3570.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMRF1014NT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMRF1014NT1

MMRF1014NT1 от NXP Semiconductors — это транзистор FET RF с параметрами:

  • Номинальное напряжение: 68В
  • Частота: 1.96ГГц
  • Пакет: PLD-1.5

Основные параметры:

  • Тип транзистора: FET (FET RF)
  • Номинальное напряжение: 68В, что обеспечивает стабильную работу при высоких напряжениях.
  • Частота: 1.96ГГц, что делает его подходящим для радиочастотных применений.
  • Пакет: PLD-1.5, компактный и надежный корпус.

Плюсы:

  • Высокая частота работы, что важно для радиочастотных систем.
  • Устойчивость к высоким напряжениям, что повышает надежность устройства.
  • Компактный размер, что удобно для монтажа в различных устройствах.

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению из-за высокой рабочей частоты.
  • Цена, которая может быть выше по сравнению с менее сложными транзисторами.

Общее назначение:

  • Радиочастотные системы, такие как беспроводные устройства, системы связи, радары и другие системы, требующие работы на высоких частотах.

Применяется в:

  • Беспроводных системах связи
  • Радиоуправляемых игрушках
  • Радарах и других измерительных приборах
  • Мобильных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики MMRF1014NT1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.96GHz
  • Усиление
    18dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    50 mA
  • Мощность передачи
    4W
  • Нормальное напряжение
    68 V
  • Корпус
    PLD-1.5
  • Исполнение корпуса
    PLD-1.5
  • Base Product Number
    MMRF1014

Техническая документация

 MMRF1014NT1.pdf
pdf. 0 kb
  • 985 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 570 ₽
  • 10
    2 666 ₽
  • 100
    2 371 ₽
  • 500
    2 351 ₽
  • 1000
    2 266 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    MMRF1014NT1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5Все характеристики

Минимальная цена MMRF1014NT1 при покупке от 1 шт 3570.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMRF1014NT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMRF1014NT1

MMRF1014NT1 от NXP Semiconductors — это транзистор FET RF с параметрами:

  • Номинальное напряжение: 68В
  • Частота: 1.96ГГц
  • Пакет: PLD-1.5

Основные параметры:

  • Тип транзистора: FET (FET RF)
  • Номинальное напряжение: 68В, что обеспечивает стабильную работу при высоких напряжениях.
  • Частота: 1.96ГГц, что делает его подходящим для радиочастотных применений.
  • Пакет: PLD-1.5, компактный и надежный корпус.

Плюсы:

  • Высокая частота работы, что важно для радиочастотных систем.
  • Устойчивость к высоким напряжениям, что повышает надежность устройства.
  • Компактный размер, что удобно для монтажа в различных устройствах.

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению из-за высокой рабочей частоты.
  • Цена, которая может быть выше по сравнению с менее сложными транзисторами.

Общее назначение:

  • Радиочастотные системы, такие как беспроводные устройства, системы связи, радары и другие системы, требующие работы на высоких частотах.

Применяется в:

  • Беспроводных системах связи
  • Радиоуправляемых игрушках
  • Радарах и других измерительных приборах
  • Мобильных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики MMRF1014NT1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.96GHz
  • Усиление
    18dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    50 mA
  • Мощность передачи
    4W
  • Нормальное напряжение
    68 V
  • Корпус
    PLD-1.5
  • Исполнение корпуса
    PLD-1.5
  • Base Product Number
    MMRF1014

Техническая документация

 MMRF1014NT1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SKY65050-372LFТранзистор: IC PHEMT 2.4GHZ 70MA LN SC70-4
    548Кешбэк 82 балла
    2SK209-BL(TE85L,F)Транзистор: TRANS SJT N-CH 10MA SC59
    115Кешбэк 17 баллов
    2SK209-Y(TE85L,F)MOSFET N-CH 10V 14MA SC59
    115Кешбэк 17 баллов
    RFM01U7P(TE12L,F)Транзистор: MOSFET N-CH PW-MINI
    645Кешбэк 96 баллов
    RFM04U6P(TE12L,F)Транзистор: MOSFET N-CH PW-MINI
    689Кешбэк 103 балла
    2SK209-GR(TE85L,F)Тиристор: TRANS SJT N-CH 10MA SC59
    99Кешбэк 14 баллов
    BF1202WR,135Транзистор: MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1201WR,135MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
    65Кешбэк 9 баллов
    BF1201WR,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1100WR,115Транзистор: MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1205,115Транзистор: FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP
    67Кешбэк 10 баллов
    BF1108,215Транзистор: IC RF SWITCH SOT143B
    74Кешбэк 11 баллов
    AFT05MS004NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    719Кешбэк 107 баллов
    BF1102,115Транзистор: FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP
    74Кешбэк 11 баллов
    AFT09MS007NT1Транзистор: FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
    1 925Кешбэк 288 баллов
    BF1216,115Транзистор: FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    43Кешбэк 6 баллов
    BF1206,115Транзистор: FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    89Кешбэк 13 баллов
    BF1210,115Транзистор: FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    61Кешбэк 9 баллов
    BF1100R,215Транзистор: MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1109WR,115Транзистор: MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1203,115Транзистор: FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP
    76Кешбэк 11 баллов
    BF1202R,215Транзистор: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R
    52Кешбэк 7 баллов
    BF904AR,215Транзистор: MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143
    46Кешбэк 6 баллов
    MW6S004NT1Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    4 617Кешбэк 692 балла
    MMRF1014NT1Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    3 570Кешбэк 535 баллов
    MRFE6S9060NR1Транзистор: FET RF 66V 880MHZ TO270-2
    16 472Кешбэк 2 470 баллов
    AFT27S006NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V PLD1.5W
    3 474Кешбэк 521 балл
    MW7IC2020NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V 24PQFN
    11 653Кешбэк 1 747 баллов
    AFT05MP075GNR1Транзистор: FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4
    5 951Кешбэк 892 балла
    AFT09MP055NR1Транзистор: FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270
    6 866Кешбэк 1 029 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП