MMRF1023HSR5

MMRF1023HSR5 NXP USA Inc. Транзистор: FET RF 65V 2.3GHz NI-1230-4LS2L

• Основные параметры:
• Тип: полупроводниковый резистивный транзистор (FET)
• Диапазон частот: до 2.3 ГГц
• Номинальное напряжение: 65 В
• Монтаж: NI-1230-4LS2L
• Плюсы:
• Высокая стабильность при работе в радиочастотном диапазоне
• Устойчивость к высоким напряжениям
• Высокая надежность и долговечность
• Компактный размер
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
• Требует специализированного оборудования для монтажа и тестирования
• Общее назначение:
• Используется в радиоэлектронных устройствах, особенно в системах связи и радиоприемниках
• Подходит для работы в условиях высоких температур и воздействия внешних электромагнитных полей
• В каких устройствах применяется:
• Системы мобильной связи (например, смартфоны, базовые станции)
• Радиоприемники и передатчики
• Автомобильные системы навигации и контроля скорости
• Устройства беспроводной связи