Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MRF154
  • В избранное
  • В сравнение
MRF154

MRF154

MRF154
;
MRF154

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    MRF154
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 125V 100MHZ 368-03Все характеристики

Минимальная цена MRF154 при покупке от 1 шт 197837.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF154 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF154

MRF154 MACOM Technology Solutions Транзистор: FET RF 125В 100МГц 368-03

  • Основные параметры:
    • Тип: RF-FET (Радиочастотный полупроводниковый транзистор)
    • Номинальное напряжение коллектора: 125В
    • Частота: 100МГц
    • Модель: 368-03
  • Плюсы:
    • Высокая надежность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Компактный размер
    • Высокая скорость перехода
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специального охлаждения при высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоприемниках и передатчиках
    • Работа в системах спутниковой связи
    • Применение в тестовых станциях и измерительных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковые системы связи
    • Мобильные телефоны
    • Беспроводные устройства
    • Тестовое оборудование для радиочастотного диапазона
Выбрано: Показать

Характеристики MRF154

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    2MHz ~ 100MHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    60A
  • Тестовый ток
    800 mA
  • Мощность передачи
    600W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    368-03
  • Исполнение корпуса
    368-03, Style 2

Техническая документация

 MRF154.pdf
pdf. 0 kb
  • 16 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    197 837 ₽
  • 10
    175 230 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    MRF154
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 125V 100MHZ 368-03Все характеристики

Минимальная цена MRF154 при покупке от 1 шт 197837.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF154 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF154

MRF154 MACOM Technology Solutions Транзистор: FET RF 125В 100МГц 368-03

  • Основные параметры:
    • Тип: RF-FET (Радиочастотный полупроводниковый транзистор)
    • Номинальное напряжение коллектора: 125В
    • Частота: 100МГц
    • Модель: 368-03
  • Плюсы:
    • Высокая надежность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Компактный размер
    • Высокая скорость перехода
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специального охлаждения при высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоприемниках и передатчиках
    • Работа в системах спутниковой связи
    • Применение в тестовых станциях и измерительных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковые системы связи
    • Мобильные телефоны
    • Беспроводные устройства
    • Тестовое оборудование для радиочастотного диапазона
Выбрано: Показать

Характеристики MRF154

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    2MHz ~ 100MHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    60A
  • Тестовый ток
    800 mA
  • Мощность передачи
    600W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    368-03
  • Исполнение корпуса
    368-03, Style 2

Техническая документация

 MRF154.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MRF154Транзистор: FET RF 125V 100MHZ 368-03
    195 820Кешбэк 29 373 балла
    BF1005SE6327HTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143
    21Кешбэк 3 балла
    BF1009SRE6327HTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R
    7 220Кешбэк 1 083 балла
    MMBF4416AТранзистор: JFET N-CH 35V 15MA SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    3SK264-5-TG-EТранзистор: 3SK264 - N-CHANNNEL DUAL GATE MO
    33Кешбэк 4 балла
    MMBF4416Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3
    34.5Кешбэк 5 баллов
    MMBF5484Транзистор: RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
    35.4Кешбэк 5 баллов
    MMBF5485Транзистор: JFET N-CH 25V 10MA SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    MMBFJ309LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
    44Кешбэк 6 баллов
    MMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    44Кешбэк 6 баллов
    MMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    44Кешбэк 6 баллов
    SMMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    48Кешбэк 7 баллов
    BF256BТранзистор: JFET N-CH 30V 13MA TO92
    51Кешбэк 7 баллов
    SMMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    53Кешбэк 7 баллов
    SMMBFJ309LT1GТранзистор: JFET N-CH 25V 30MA SOT23
    54Кешбэк 8 баллов
    2SK3557-6-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    92Кешбэк 13 баллов
    2SK3557-7-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    106Кешбэк 15 баллов
    BLP7G22-05ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    1 248Кешбэк 187 баллов
    BLP25M705ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    3 566Кешбэк 534 балла
    BLP10H610ZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 752Кешбэк 712 баллов
    BLP10H610AZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 752Кешбэк 712 баллов
    BLM7G1822S-20PBGYRF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121
    5 424Кешбэк 813 баллов
    BLP8G10S-45PGYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP
    5 730Кешбэк 859 баллов
    BLF6G38-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    7 095Кешбэк 1 064 балла
    BLF6G38-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    7 095Кешбэк 1 064 балла
    BLF6G21-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
    7 578Кешбэк 1 136 баллов
    BLF6G27-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
    7 605Кешбэк 1 140 баллов
    BLM8G0710S-15PBGYRF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122
    8 680Кешбэк 1 302 балла
    BLF8G27LS-100JТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    11 697Кешбэк 1 754 балла
    BLF8G27LS-100UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    11 697Кешбэк 1 754 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП