Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
MUN2232T1G
  • В избранное
  • В сравнение
MUN2232T1G

MUN2232T1G

MUN2232T1G
;
MUN2232T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN2232T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59Все характеристики

Минимальная цена MUN2232T1G при покупке от 1 шт 26.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN2232T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN2232T1G

MUN2232T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VCEO): 50В
    • Максимальный ток (IC): 100мА
    • Тип: NPN
    • Пакет: SC59
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение блокировки (50В)
    • Устойчивость к перегреву благодаря пакету SC59
    • Низкий ток утечки
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Максимальный ток 100мА ограничивает его использование в некоторых приложениях
    • Стоимость может быть выше по сравнению с менее мощными транзисторами
  • Общее назначение:
    • Управляющее устройство для электрических цепей
    • Регулирование тока в различных приборах
    • Измерительные приборы
  • Применение:
    • Компьютерная периферия
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Электронные часы и другие небольшие электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики MUN2232T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    4.7 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    15 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    338 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SC-59
  • Base Product Number
    MUN2232

Техническая документация

 MUN2232T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 11730 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    26 ₽
  • 100
    10.7 ₽
  • 1000
    7.2 ₽
  • 9000
    4.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN2232T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59Все характеристики

Минимальная цена MUN2232T1G при покупке от 1 шт 26.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN2232T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN2232T1G

MUN2232T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VCEO): 50В
    • Максимальный ток (IC): 100мА
    • Тип: NPN
    • Пакет: SC59
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение блокировки (50В)
    • Устойчивость к перегреву благодаря пакету SC59
    • Низкий ток утечки
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Максимальный ток 100мА ограничивает его использование в некоторых приложениях
    • Стоимость может быть выше по сравнению с менее мощными транзисторами
  • Общее назначение:
    • Управляющее устройство для электрических цепей
    • Регулирование тока в различных приборах
    • Измерительные приборы
  • Применение:
    • Компьютерная периферия
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Электронные часы и другие небольшие электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики MUN2232T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    4.7 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    15 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    338 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SC-59
  • Base Product Number
    MUN2232

Техническая документация

 MUN2232T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DTC024EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTC023YMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTC023EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTA024EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTC014EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTC043TMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTA023JMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3F
    39Кешбэк 5 баллов
    DTA014EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTC123YKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    39.5Кешбэк 5 баллов
    DTC114EKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    40Кешбэк 6 баллов
    DTC144EKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    40Кешбэк 6 баллов
    DTC113ZKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    40Кешбэк 6 баллов
    DTC123JKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC143ZKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA124EUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC013ZEBTLТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.15W SC89
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC123EKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA044EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC114WUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC114YKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA013ZEBTLТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 0.15W SC89
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC124XKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC923TUBTLТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC114TKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC143XUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA123EUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC143ZUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC114YUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA114EUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA114EKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
    42Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Принадлежности
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП