Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Сборки биполярных транзисторов
NCV1413BDR2G
  • В избранное
  • В сравнение
NCV1413BDR2G

NCV1413BDR2G

NCV1413BDR2G
;
NCV1413BDR2G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NCV1413BDR2G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOICВсе характеристики

Минимальная цена NCV1413BDR2G при покупке от 1 шт 113.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NCV1413BDR2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NCV1413BDR2G

NCV1413BDR2G ONSEMI Транзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Мощность: 50В
    • Рейтингный ток: 0.5А
    • Пакет: 16SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость установки
    • Низкий ток утечки
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не подходит для всех типов применений без дополнительной схемотехники
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение нагрузок
    • Умножение сигнала
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах
    • Автомобильных системах
    • Инверторах
    • Электронных устройствах управления
Выбрано: Показать

Характеристики NCV1413BDR2G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    7 NPN Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.6V @ 500µA, 350mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 350mA, 2V
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    16-SOIC
  • Base Product Number
    NCV1413

Техническая документация

 NCV1413BDR2G.pdf
pdf. 0 kb
  • 11210 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    113 ₽
  • 100
    61 ₽
  • 1000
    57 ₽
  • 5000
    50 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NCV1413BDR2G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOICВсе характеристики

Минимальная цена NCV1413BDR2G при покупке от 1 шт 113.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NCV1413BDR2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NCV1413BDR2G

NCV1413BDR2G ONSEMI Транзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Мощность: 50В
    • Рейтингный ток: 0.5А
    • Пакет: 16SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость установки
    • Низкий ток утечки
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не подходит для всех типов применений без дополнительной схемотехники
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение нагрузок
    • Умножение сигнала
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах
    • Автомобильных системах
    • Инверторах
    • Электронных устройствах управления
Выбрано: Показать

Характеристики NCV1413BDR2G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    7 NPN Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.6V @ 500µA, 350mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 350mA, 2V
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    16-SOIC
  • Base Product Number
    NCV1413

Техническая документация

 NCV1413BDR2G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MBT3946DW1T1GТранзистор: TRAN NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
    34Кешбэк 5 баллов
    BC857BDW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88/SC70-6
    35Кешбэк 5 баллов
    SBC847CDW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-363
    39Кешбэк 5 баллов
    MBT6429DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.2A SC88/SC70-6
    40Кешбэк 6 баллов
    SBC847BDW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
    41.6Кешбэк 6 баллов
    SBC856BDW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88/SC70-6
    44Кешбэк 6 баллов
    NST45010MW6T1GТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88/SC70-6
    96Кешбэк 14 баллов
    ULN2003ADR2GМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    147Кешбэк 22 балла
    ULN2003AIDRE4Микросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
    55Кешбэк 8 баллов
    ULN2003APWRМикросхема: TRAN 7NPN DARL 50V 0.5A 16TSSOP
    104Кешбэк 15 баллов
    ULN2003ADRМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
    106Кешбэк 15 баллов
    ULN2003APWМикросхема: TRAN 7NPN DARL 50V 0.5A 16TSSOP
    106Кешбэк 15 баллов
    ULN2004ANSRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
    117Кешбэк 17 баллов
    ULN2003ANSRМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
    134Кешбэк 20 баллов
    ULN2002ANМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
    140Кешбэк 21 балл
    ULQ2003ANМикросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16DIP
    153Кешбэк 22 балла
    ULN2004ADRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    156Кешбэк 23 балла
    ULN2003ANE4Микросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
    157Кешбэк 23 балла
    ULN2003BPWRМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16TSSOP
    174Кешбэк 26 баллов
    ULQ2003ATDRQ1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    185Кешбэк 27 баллов
    ULN2004ADRG4Микросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
    193Кешбэк 28 баллов
    ULN2004ANE4Транзистор: ULN2004A HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURR
    193Кешбэк 28 баллов
    ULQ2003ATDRG4Q1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    198Кешбэк 29 баллов
    ULN2004AINМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
    200Кешбэк 30 баллов
    ULN2003BDRМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
    202Кешбэк 30 баллов
    ULQ2004ATDRQ1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    204Кешбэк 30 баллов
    ULN2003AIPWМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16TSSOP
    210Кешбэк 31 балл
    ULN2003AIDМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    210Кешбэк 31 балл
    ULN2004AIDRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    217Кешбэк 32 балла
    ULQ2004ADRМикросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    217Кешбэк 32 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП