NGTB40N65IHRTG

Разрешенные параметры:

• Название и описание: Транзистор IGBT 650В 40А от производителя ON Semiconductor

• Основные параметры:

  • Диодное напряжение (UDRM): 650В

  • Разрядное напряжение (UDSS): 3.5В

  • Максимальный ток (IT(RMS)): 40А

  • Коэффициент силы (Coss): 1800 пФ

  • Температурный коэффициент силы (dCoss/dT): -2.5 пФ/°C

  • Коэффициент теплового сопротивления (θj-c): 75°C/W

• Плюсы:

  • Высокая эффективность в широком диапазоне рабочих температур

  • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения

  • Малый размер и легкий вес

  • Высокая надежность и долгий срок службы

  • Минимальная тепловая нагрузка

• Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов

  • Требуется дополнительное охлаждение для работы при высоких мощностях

  • Сложность в проектировании и монтаже

• Общее назначение:

  • Использование в инверторах и преобразователях напряжения

  • Применение в электротранспорте и электроприводах

  • Использование в источниках бесперебойного питания (ИБП)

  • Применение в системах управления двигателем

• В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания и управления

  • Промышленные преобразователи и управляющие системы

  • Электроприводы и системы автоматизации

  • Инверторы для бытовых приборов и электроприборов

  • Источники бесперебойного питания