Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
NP60N04VUK-E1-AY
  • В избранное
  • В сравнение
NP60N04VUK-E1-AY

NP60N04VUK-E1-AY

NP60N04VUK-E1-AY
;
NP60N04VUK-E1-AY

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    NP60N04VUK-E1-AY
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 60A TO252Все характеристики

Минимальная цена NP60N04VUK-E1-AY при покупке от 1 шт 459.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NP60N04VUK-E1-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NP60N04VUK-E1-AY

NP60N04VUK-E1-AY — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Renesas Electronics Corporation. Этот тип MOSFET относится к категории N-канальных полупроводниковых транзисторов с напряжением верхней части 40В и током прямого тока 60А.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение верхней части (VDS(on)): 40В
    • Ток прямого тока (ID(on)): 60А
    • Коллектор-эмиттерный сопротивление (RDS(on)): 3.8мΩ при 25°C
    • Температура: -40°C до +175°C
    • Пакет: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое сопротивление RDS(on)
    • Высокие рабочие температурные пределы
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше, чем у аналогичных транзисторов меньшей мощности
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих высокой мощности
    • Применяется в системах управления двигателей
    • Используется в источниках питания
    • Подходит для трансформаторных блоков питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие системы
    • Инверторы
    • Блоки питания для периферийного оборудования
Выбрано: Показать

Характеристики NP60N04VUK-E1-AY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.85mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    63 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3680 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.2W (Ta), 105W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    NP60N04

Техническая документация

 NP60N04VUK-E1-AY.pdf
pdf. 0 kb
  • 4171 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    459 ₽
  • 10
    295 ₽
  • 100
    201 ₽
  • 500
    161 ₽
  • 2500
    128 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    NP60N04VUK-E1-AY
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 60A TO252Все характеристики

Минимальная цена NP60N04VUK-E1-AY при покупке от 1 шт 459.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NP60N04VUK-E1-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NP60N04VUK-E1-AY

NP60N04VUK-E1-AY — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Renesas Electronics Corporation. Этот тип MOSFET относится к категории N-канальных полупроводниковых транзисторов с напряжением верхней части 40В и током прямого тока 60А.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение верхней части (VDS(on)): 40В
    • Ток прямого тока (ID(on)): 60А
    • Коллектор-эмиттерный сопротивление (RDS(on)): 3.8мΩ при 25°C
    • Температура: -40°C до +175°C
    • Пакет: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое сопротивление RDS(on)
    • Высокие рабочие температурные пределы
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше, чем у аналогичных транзисторов меньшей мощности
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих высокой мощности
    • Применяется в системах управления двигателей
    • Используется в источниках питания
    • Подходит для трансформаторных блоков питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие системы
    • Инверторы
    • Блоки питания для периферийного оборудования
Выбрано: Показать

Характеристики NP60N04VUK-E1-AY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.85mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    63 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3680 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.2W (Ta), 105W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    NP60N04

Техническая документация

 NP60N04VUK-E1-AY.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CPC5602CTRТранзистор: MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
    243Кешбэк 36 баллов
    CPC3703CTRТранзистор: MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
    245Кешбэк 36 баллов
    IXTA08N50D2MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
    287Кешбэк 43 балла
    IXFA26N50P3MOSFET N-CH 500V 26A TO263
    347Кешбэк 52 балла
    IXTP4N80PMOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB
    370Кешбэк 55 баллов
    IXTA4N65X2MOSFET N-CH 650V 4A TO263
    370Кешбэк 55 баллов
    IXTY01N100MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
    413Кешбэк 61 балл
    IXTY8N65X2MOSFET N-CH 650V 8A TO252
    415Кешбэк 62 балла
    IXTY02N120PMOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
    420Кешбэк 63 балла
    IXTP44N10TMOSFET N-CH 100V 44A TO220AB
    420Кешбэк 63 балла
    IXTA8N65X2MOSFET N-CH 650V 8A TO263
    438Кешбэк 65 баллов
    IXTY08N50D2MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
    448Кешбэк 67 баллов
    IXFA16N60P3MOSFET N-CH 600V 16A TO263
    451Кешбэк 67 баллов
    IXTY1N120PMOSFET N-CH 1200V 1A TO252
    457Кешбэк 68 баллов
    IXTP10P15TMOSFET P-CH 150V 10A TO220AB
    459Кешбэк 68 баллов
    IXTP4N65X2MOSFET N-CH 650V 4A TO220
    477Кешбэк 71 балл
    IXTP08N100PMOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
    478Кешбэк 71 балл
    IXTP60N10TMOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
    484Кешбэк 72 балла
    IXFP20N85XMOSFET N-CH 850V 20A TO220AB
    486Кешбэк 72 балла
    IXFA18N60XMOSFET N-CH 600V 18A TO263AA
    492Кешбэк 73 балла
    IXTP2N65X2MOSFET N-CH 650V 2A TO220
    492Кешбэк 73 балла
    IXFP7N80PMOSFET N-CH 800V 7A TO220AB
    509Кешбэк 76 баллов
    IXTY44N10TMOSFET N-CH 100V 44A TO252
    511Кешбэк 76 баллов
    IXTU02N50DMOSFET N-CH 500V 200MA TO251
    523Кешбэк 78 баллов
    IXTP100N04T2MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
    535Кешбэк 80 баллов
    IXFA16N50P3MOSFET N-CH 500V 16A TO263
    537Кешбэк 80 баллов
    IXTA2N100PMOSFET N-CH 1000V 2A TO263
    542Кешбэк 81 балл
    IXFP10N60PMOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
    544Кешбэк 81 балл
    IXTY4N65X2MOSFET N-CH 650V 4A TO252
    550Кешбэк 82 балла
    IXTY2N65X2MOSFET N-CH 650V 2A TO252
    554Кешбэк 83 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторные модули
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП