Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки
NSVEMX1DXV6T1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVEMX1DXV6T1G

NSVEMX1DXV6T1G

NSVEMX1DXV6T1G
;
NSVEMX1DXV6T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVEMX1DXV6T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563Все характеристики

Минимальная цена NSVEMX1DXV6T1G при покупке от 1 шт 98.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVEMX1DXV6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVEMX1DXV6T1G

NSVEMX1DXV6T1G onsemi Транзистор: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальный ток: 0.1А
    • Пакет: SOT563
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость монтажа
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий уровень шума и искажений при работе
  • Минусы:
    • Умеренная мощность (только 0.1А)
    • Требует дополнительных компонентов для защиты
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками
    • Увеличение мощности в электронных схемах
    • Изменение уровня напряжения или тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Автомобильные системы
    • Мелкая бытовая техника
    • Электронные часы и другие небольшие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NSVEMX1DXV6T1G

  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    400mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Трансформация частоты
    180MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NSVEMX1

Техническая документация

 NSVEMX1DXV6T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 6645 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    98 ₽
  • 100
    38.5 ₽
  • 1000
    26 ₽
  • 4000
    20.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVEMX1DXV6T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563Все характеристики

Минимальная цена NSVEMX1DXV6T1G при покупке от 1 шт 98.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVEMX1DXV6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVEMX1DXV6T1G

NSVEMX1DXV6T1G onsemi Транзистор: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальный ток: 0.1А
    • Пакет: SOT563
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость монтажа
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий уровень шума и искажений при работе
  • Минусы:
    • Умеренная мощность (только 0.1А)
    • Требует дополнительных компонентов для защиты
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками
    • Увеличение мощности в электронных схемах
    • Изменение уровня напряжения или тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Автомобильные системы
    • Мелкая бытовая техника
    • Электронные часы и другие небольшие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NSVEMX1DXV6T1G

  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    400mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Трансформация частоты
    180MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NSVEMX1

Техническая документация

 NSVEMX1DXV6T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMMT3906-7-FТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT26
    100Кешбэк 15 баллов
    MMDT3904-7-FТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
    35Кешбэк 5 баллов
    BC857BS-13-FТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
    39Кешбэк 5 баллов
    DST857BDJ-7Транзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963
    65Кешбэк 9 баллов
    MMDT2222V-7Транзистор: TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT563
    83Кешбэк 12 баллов
    ZXTD619MCTAТранзистор
    237Кешбэк 35 баллов
    MMDT3946-7-FТранзистор: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363
    70Кешбэк 10 баллов
    DST847BPDP6-7Транзистор: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963
    70Кешбэк 10 баллов
    MMDTA42-7-FТранзистор: TRANS 2NPN 300V 0.5A SOT26
    82Кешбэк 12 баллов
    MMDTA06-7Транзистор: TRANS 2NPN 80V 0.5A SOT26
    120Кешбэк 18 баллов
    ZXTD09N50DE6TAТранзистор: TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6
    289Кешбэк 43 балла
    ULN2003V12S16-13Микросхема: IC PWR RELAY N-CHAN 1:1 16SO
    146Кешбэк 21 балл
    MMDT4146-7-FТранзистор: TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363
    65Кешбэк 9 баллов
    MMDT3904VC-7Транзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563
    83Кешбэк 12 баллов
    BC847CDLP-7Транзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A 6DFN
    94Кешбэк 14 баллов
    MMDT4401-7-FТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
    70Кешбэк 10 баллов
    DMMT3904WQ-7-FТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
    115Кешбэк 17 баллов
    DMMT5551S-7-FТранзистор: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
    82Кешбэк 12 баллов
    BC847PN-7-FТранзистор: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
    29Кешбэк 4 балла
    MMDT2222A-7-FТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
    57Кешбэк 8 баллов
    BC856AS-7Транзистор: TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
    43Кешбэк 6 баллов
    MMDT2907V-7Транзистор: TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    ZXTC2061E6TAТранзистор: TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23
    217Кешбэк 32 балла
    ULN2003V12T16-13Микросхема: IC PWR RELAY N-CHAN 1:1 16TSSOP
    143Кешбэк 21 балл
    MMDT3906VC-7Транзистор: TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563
    83Кешбэк 12 баллов
    MMDT2227-7-FТранзистор: TRANS NPN/PNP 40V/60V SOT363
    63Кешбэк 9 баллов
    MMDT2227M-7Транзистор: TRANS NPN/PNP 40V/60V 0.6A SOT26
    70Кешбэк 10 баллов
    ULN2004AS16-13Микросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
    152Кешбэк 22 балла
    MMDT4413-7-FТранзистор: TRANS NPN/PNP 40V 0.6A SOT363
    83Кешбэк 12 баллов
    ZXTD618MCTAТранзистор: TRANS 2NPN 20V 4.5A 8DFN
    232Кешбэк 34 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП