Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Сборки биполярных транзисторов
NSVEMX1DXV6T1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVEMX1DXV6T1G

NSVEMX1DXV6T1G

NSVEMX1DXV6T1G
;
NSVEMX1DXV6T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVEMX1DXV6T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563Все характеристики

Минимальная цена NSVEMX1DXV6T1G при покупке от 1 шт 100.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVEMX1DXV6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVEMX1DXV6T1G

NSVEMX1DXV6T1G onsemi Транзистор: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальный ток: 0.1А
    • Пакет: SOT563
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость монтажа
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий уровень шума и искажений при работе
  • Минусы:
    • Умеренная мощность (только 0.1А)
    • Требует дополнительных компонентов для защиты
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками
    • Увеличение мощности в электронных схемах
    • Изменение уровня напряжения или тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Автомобильные системы
    • Мелкая бытовая техника
    • Электронные часы и другие небольшие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NSVEMX1DXV6T1G

  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    400mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Трансформация частоты
    180MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NSVEMX1

Техническая документация

 NSVEMX1DXV6T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 6645 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    100 ₽
  • 100
    39 ₽
  • 1000
    26.5 ₽
  • 4000
    22.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVEMX1DXV6T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563Все характеристики

Минимальная цена NSVEMX1DXV6T1G при покупке от 1 шт 100.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVEMX1DXV6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVEMX1DXV6T1G

NSVEMX1DXV6T1G onsemi Транзистор: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальный ток: 0.1А
    • Пакет: SOT563
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость монтажа
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий уровень шума и искажений при работе
  • Минусы:
    • Умеренная мощность (только 0.1А)
    • Требует дополнительных компонентов для защиты
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками
    • Увеличение мощности в электронных схемах
    • Изменение уровня напряжения или тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Автомобильные системы
    • Мелкая бытовая техника
    • Электронные часы и другие небольшие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NSVEMX1DXV6T1G

  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    400mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Трансформация частоты
    180MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NSVEMX1

Техническая документация

 NSVEMX1DXV6T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MBT3946DW1T1GТранзистор: TRAN NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
    34Кешбэк 5 баллов
    BC857BDW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88/SC70-6
    35Кешбэк 5 баллов
    SBC847CDW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-363
    39Кешбэк 5 баллов
    MBT6429DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.2A SC88/SC70-6
    40Кешбэк 6 баллов
    SBC847BDW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
    41.6Кешбэк 6 баллов
    SBC856BDW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88/SC70-6
    44Кешбэк 6 баллов
    NST45010MW6T1GТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88/SC70-6
    96Кешбэк 14 баллов
    ULN2003ADR2GМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    147Кешбэк 22 балла
    ULN2003AIDRE4Микросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
    55Кешбэк 8 баллов
    ULN2003APWRМикросхема: TRAN 7NPN DARL 50V 0.5A 16TSSOP
    104Кешбэк 15 баллов
    ULN2003ADRМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
    106Кешбэк 15 баллов
    ULN2003APWМикросхема: TRAN 7NPN DARL 50V 0.5A 16TSSOP
    106Кешбэк 15 баллов
    ULN2004ANSRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
    117Кешбэк 17 баллов
    ULN2003ANSRМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
    134Кешбэк 20 баллов
    ULN2002ANМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
    140Кешбэк 21 балл
    ULQ2003ANМикросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16DIP
    153Кешбэк 22 балла
    ULN2004ADRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    156Кешбэк 23 балла
    ULN2003ANE4Микросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
    157Кешбэк 23 балла
    ULN2003BPWRМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16TSSOP
    174Кешбэк 26 баллов
    ULQ2003ATDRQ1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    185Кешбэк 27 баллов
    ULN2004ADRG4Микросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
    193Кешбэк 28 баллов
    ULN2004ANE4Транзистор: ULN2004A HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURR
    193Кешбэк 28 баллов
    ULQ2003ATDRG4Q1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    198Кешбэк 29 баллов
    ULN2004AINМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
    200Кешбэк 30 баллов
    ULN2003BDRМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
    202Кешбэк 30 баллов
    ULQ2004ATDRQ1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    204Кешбэк 30 баллов
    ULN2003AIPWМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16TSSOP
    210Кешбэк 31 балл
    ULN2003AIDМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    210Кешбэк 31 балл
    ULN2004AIDRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    217Кешбэк 32 балла
    ULQ2004ADRМикросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    217Кешбэк 32 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторные модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП