Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
NSVF5501SKT3G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVF5501SKT3G

NSVF5501SKT3G

NSVF5501SKT3G
;
NSVF5501SKT3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVF5501SKT3G
  • Описание:
    Транзистор: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZВсе характеристики

Минимальная цена NSVF5501SKT3G при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVF5501SKT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVF5501SKT3G

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: NSVF5501SKT3G
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Тип: Транзистор
      • Номинальное напряжение: 10В
      • Номинальный ток: 70мА
      • Частота передачи (FT): 5.5ГГц
    • Плюсы:
      • Высокая частота передачи
      • Устойчивость к высоким напряжениям
      • Высокий коэффициент усиления
    • Минусы:
      • Ограниченная мощность
      • Высокие требования к охлаждению при работе на максимальных частотах
    • Общее назначение:
      • Использование в радиоуправляемых системах
      • Коммуникационных устройствах
      • Системах связи
    • В каких устройствах применяется:
      • Радиостанции
      • Мобильные телефоны
      • Игровые приставки
      • Автомобильные системы навигации
Выбрано: Показать

Характеристики NSVF5501SKT3G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    10V
  • Трансформация частоты
    5.5GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.9dB @ 1GHz
  • Усиление
    11dB
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 10mA, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    70mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-623F
  • Исполнение корпуса
    SOT-623/SSFP
  • Base Product Number
    NSVF5501

Техническая документация

 NSVF5501SKT3G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2310 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    67 ₽
  • 100
    33 ₽
  • 1000
    30 ₽
  • 8000
    28 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVF5501SKT3G
  • Описание:
    Транзистор: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZВсе характеристики

Минимальная цена NSVF5501SKT3G при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVF5501SKT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVF5501SKT3G

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: NSVF5501SKT3G
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Тип: Транзистор
      • Номинальное напряжение: 10В
      • Номинальный ток: 70мА
      • Частота передачи (FT): 5.5ГГц
    • Плюсы:
      • Высокая частота передачи
      • Устойчивость к высоким напряжениям
      • Высокий коэффициент усиления
    • Минусы:
      • Ограниченная мощность
      • Высокие требования к охлаждению при работе на максимальных частотах
    • Общее назначение:
      • Использование в радиоуправляемых системах
      • Коммуникационных устройствах
      • Системах связи
    • В каких устройствах применяется:
      • Радиостанции
      • Мобильные телефоны
      • Игровые приставки
      • Автомобильные системы навигации
Выбрано: Показать

Характеристики NSVF5501SKT3G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    10V
  • Трансформация частоты
    5.5GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.9dB @ 1GHz
  • Усиление
    11dB
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 10mA, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    70mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-623F
  • Исполнение корпуса
    SOT-623/SSFP
  • Base Product Number
    NSVF5501

Техническая документация

 NSVF5501SKT3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFR92PE6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3
    57Кешбэк 8 баллов
    BFR106E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3
    57Кешбэк 8 баллов
    BFR193L3E6327XTMA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
    57Кешбэк 8 баллов
    BFP405H6740XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343
    76Кешбэк 11 баллов
    BFR750L3RHE6327Транзистор: RF BIPOLAR TRANSISTOR
    87Кешбэк 13 баллов
    BFR460L3E6327XTMA1Транзистор: RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ TSLP-3-1
    96Кешбэк 14 баллов
    BFP196WNH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
    113Кешбэк 16 баллов
    BFR740L3RHE6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3
    117Кешбэк 17 баллов
    15GN03F-TL-EТранзистор: BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSVF3007SG3T1GТранзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
    29.6Кешбэк 4 балла
    NSVF5501SKT3GТранзистор: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
    67Кешбэк 10 баллов
    NSVMMBTH81LT3GТранзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
    70Кешбэк 10 баллов
    NSVMMBTH81LT1GТранзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
    70Кешбэк 10 баллов
    NSVF5488SKT3GТранзистор: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
    76Кешбэк 11 баллов
    CPH6074-TL-EТранзистор: TRANSISTOR
    80Кешбэк 12 баллов
    NSVF4015SG4T1GТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
    82Кешбэк 12 баллов
    NSVF4020SG4T1GТранзистор: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
    91Кешбэк 13 баллов
    NSVF6003SB6T1GТранзистор: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
    91Кешбэк 13 баллов
    NSVF6001SB6T1GТранзистор: RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
    102Кешбэк 15 баллов
    MX0912B351YТранзистор: RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E
    46 557Кешбэк 6 983 балла
    MZ0912B50YТранзистор: RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E
    52 810Кешбэк 7 921 балл
    BLS3135-65IТранзистор: MICROWAVE POWER TRANSISTOR (AMPL
    84 063Кешбэк 12 609 баллов
    NTE54Транзистор: RF TRANS NPN 150V 30MHZ TO220
    317Кешбэк 47 баллов
    NTE319Транзистор: RF TRANS NPN 20V TO72
    556Кешбэк 83 балла
    NTE224Транзистор: RF TRANS NPN 60V 300MHZ TO39
    741Кешбэк 111 баллов
    NTE2401Транзистор: RF TRANS PNP 30V 450MHZ SOT23
    1 112Кешбэк 166 баллов
    NTE64Транзистор: RF TRANS NPN 15V 4.5GHZ 4SMD
    1 375Кешбэк 206 баллов
    NTE237Транзистор: RF TRANS NPN 60V 300MHZ TO39
    1 667Кешбэк 250 баллов
    NTE236Транзистор: RF TRANS NPN 25V TO220
    1 723Кешбэк 258 баллов
    NTE55Транзистор: RF TRANS PNP 150V 30MHZ TO220
    1 926Кешбэк 288 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Драйверы питания - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП