Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTMFD4C86NT3G

NTMFD4C86NT3G

NTMFD4C86NT3G
;
NTMFD4C86NT3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTMFD4C86NT3G при покупке от 124 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFD4C86NT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMFD4C86NT3G

NTMFD4C86NT3G на семиконтактной пакетике 8DFN — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) производства ON Semiconductor. Основные параметры:

  • Рейтинг напряжения (VDS(on)): 30В
  • Рейтинг тока (ID(on)): 11,3А / 18,1А
  • Пакетик: 8DFN

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком напряжении: хорошая характеристика для применения в схемах с высокой частотой.
  • Малый размер: удобен для компактного размещения на плате.
  • Низкий коэффициент тепловыделения: обеспечивает стабильную работу даже при интенсивном нагреве.

Минусы:

  • Высокий уровень шума: может вызывать помехи в электронных цепях.
  • Требует дополнительных компонентов: например, радиатора или термопасты для снижения температуры.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в блоках питания.
  • Переключение высоких токов в инверторах и преобразователях.
  • Защита от перегрузок и короткого замыкания.

Применяется в:

  • Автомобильных системах.
  • Инверторах для электроприборов.
  • Системах управления двигателем.
  • Блоках питания для ноутбуков и смартфонов.
Выбрано: Показать

Характеристики NTMFD4C86NT3G

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.3A, 18.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.4mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22.2nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1153pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    1.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x6)
  • Base Product Number
    NTMFD4

Техническая документация

NTMFD4C86NT3G.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 124 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NTMFD4C86NT3G при покупке от 124 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFD4C86NT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMFD4C86NT3G

NTMFD4C86NT3G на семиконтактной пакетике 8DFN — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) производства ON Semiconductor. Основные параметры:

  • Рейтинг напряжения (VDS(on)): 30В
  • Рейтинг тока (ID(on)): 11,3А / 18,1А
  • Пакетик: 8DFN

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком напряжении: хорошая характеристика для применения в схемах с высокой частотой.
  • Малый размер: удобен для компактного размещения на плате.
  • Низкий коэффициент тепловыделения: обеспечивает стабильную работу даже при интенсивном нагреве.

Минусы:

  • Высокий уровень шума: может вызывать помехи в электронных цепях.
  • Требует дополнительных компонентов: например, радиатора или термопасты для снижения температуры.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в блоках питания.
  • Переключение высоких токов в инверторах и преобразователях.
  • Защита от перегрузок и короткого замыкания.

Применяется в:

  • Автомобильных системах.
  • Инверторах для электроприборов.
  • Системах управления двигателем.
  • Блоках питания для ноутбуков и смартфонов.
Выбрано: Показать

Характеристики NTMFD4C86NT3G

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.3A, 18.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.4mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22.2nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1153pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    1.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x6)
  • Base Product Number
    NTMFD4

Техническая документация

NTMFD4C86NT3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 124 шт