Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
NVTJD4001NT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NVTJD4001NT1G

NVTJD4001NT1G

NVTJD4001NT1G
;
NVTJD4001NT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    NVTJD4001NT1G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88Все характеристики

Минимальная цена NVTJD4001NT1G при покупке от 1 шт 64.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVTJD4001NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVTJD4001NT1G

NVTJD4001NT1G ON SEMICONDUCTOR Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS)
    • Количество каналов: 2N-CH (два канала)
    • Рабочее напряжение: 30В
    • Разрядный ток: 0.25А
    • Форма корпуса: SC-88
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкий коэффициент тока вольтажа (Vgs)
    • Малые потери энергии при работе
    • Нет необходимости в дополнительных компонентах для управления током
  • Минусы:
    • Уязвимость к электрическим шумам
    • Необходимость соблюдения правил размещения компонентов для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Управление током в различных электронных устройствах
    • Изменение частоты тока
    • Защита от перегрузок и скачков напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Медицинское оборудование
    • Измерительные приборы
    • Электроприборы
    • Инверторы и преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики NVTJD4001NT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    250mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5Ohm @ 10mA, 4V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.3nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    33pF @ 5V
  • Рассеивание мощности
    272mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    NVTJD4001

Техническая документация

 NVTJD4001NT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2712 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    64 ₽
  • 10
    48 ₽
  • 100
    28.6 ₽
  • 1000
    20.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    NVTJD4001NT1G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88Все характеристики

Минимальная цена NVTJD4001NT1G при покупке от 1 шт 64.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVTJD4001NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVTJD4001NT1G

NVTJD4001NT1G ON SEMICONDUCTOR Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS)
    • Количество каналов: 2N-CH (два канала)
    • Рабочее напряжение: 30В
    • Разрядный ток: 0.25А
    • Форма корпуса: SC-88
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкий коэффициент тока вольтажа (Vgs)
    • Малые потери энергии при работе
    • Нет необходимости в дополнительных компонентах для управления током
  • Минусы:
    • Уязвимость к электрическим шумам
    • Необходимость соблюдения правил размещения компонентов для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Управление током в различных электронных устройствах
    • Изменение частоты тока
    • Защита от перегрузок и скачков напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Медицинское оборудование
    • Измерительные приборы
    • Электроприборы
    • Инверторы и преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики NVTJD4001NT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    250mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5Ohm @ 10mA, 4V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.3nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    33pF @ 5V
  • Рассеивание мощности
    272mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    NVTJD4001

Техническая документация

 NVTJD4001NT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRL6372TRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
    127Кешбэк 19 баллов
    BSL308PEH6327XTSA1Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
    129Кешбэк 19 баллов
    BSL215CH6327XTSA1Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6
    139Кешбэк 20 баллов
    IRF9389TRPBFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
    140Кешбэк 21 балл
    IRF7316GTRPBFТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
    146Кешбэк 21 балл
    IRF7105TRPBFТранзистор: MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
    156Кешбэк 23 балла
    BSL308CH6327XTSA1Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
    156Кешбэк 23 балла
    BSO203PHXUMA1Транзистор
    158Кешбэк 23 балла
    IRLHS6276TRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
    158Кешбэк 23 балла
    IRF7313TRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
    195Кешбэк 29 баллов
    IRFHS9351TRPBFТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
    196Кешбэк 29 баллов
    IRF7309TRPBFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
    220Кешбэк 33 балла
    BSC0921NDIATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
    228Кешбэк 34 балла
    IRF9952TRPBFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
    230Кешбэк 34 балла
    IRF9362TRPBFТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
    235Кешбэк 35 баллов
    IRF7351TRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
    241Кешбэк 36 баллов
    IRF9956TRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
    247Кешбэк 37 баллов
    IRF7341TRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
    249Кешбэк 37 баллов
    IRF7306TRPBFТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
    256Кешбэк 38 баллов
    IRF7316TRPBFТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
    270Кешбэк 40 баллов
    IPG20N06S4L14AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
    274Кешбэк 41 балл
    IRF7389TRPBFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
    278Кешбэк 41 балл
    IRF7907TRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
    284Кешбэк 42 балла
    IRF7343TRPBFТранзистор: MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
    286Кешбэк 42 балла
    IPG16N10S461AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
    311Кешбэк 46 баллов
    IRF7342TRPBFТранзистор: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
    313Кешбэк 46 баллов
    BSC0923NDIATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
    315Кешбэк 47 баллов
    IPG20N06S4L26ATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
    319Кешбэк 47 баллов
    IPG20N04S412AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
    323Кешбэк 48 баллов
    IPG20N06S4L26AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
    327Кешбэк 49 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные триодные тиристоры
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП