Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
PDTA123JMB,315

PDTA123JMB,315

PDTA123JMB,315
;
PDTA123JMB,315

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PDTA123JMB,315
  • Описание:
    Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA123JMB - SMALLВсе характеристики

Минимальная цена PDTA123JMB,315 при покупке от 3915 шт 14.80 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTA123JMB,315 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDTA123JMB,315

PDTA123JMB - это неблокирующий диод с низким напряжением срабатывания, выпущенный компанией Nexperia. Основные характеристики:

  • Напряжение срабатывания: 0,6 В
  • Максимальный ток: 20 А
  • Температурный диапазон: -40°C до +150°C
  • Форм-фактор: SOD-123

Плюсы:

  • Высокая скорость восстановления
  • Низкое напряжение срабатывания
  • Устойчивость к шумам
  • Малый размер и легкость интеграции

Минусы:

  • Могут быть чувствительны к электрическому шуму при высоких токах
  • Не подходит для постоянного включения под нагрузкой

Общее назначение:

  • Защита от обратного напряжения в электронных устройствах
  • Импульсная защита
  • Сглаживание пульсовых сигналов

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Радиоэлектронных устройствах
  • Компьютерах и периферии
  • Степперных двигателях
  • Инверторах и преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики PDTA123JMB,315

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    100mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Трансформация частоты
    180 MHz
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    DFN1006B-3
  • Base Product Number
    PDTA123

Техническая документация

PDTA123JMB,315.pdf
pdf. 0 kb
  • 190000 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 3915 шт
  • Количество
    Цена
  • 3915
    14.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PDTA123JMB,315
  • Описание:
    Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA123JMB - SMALLВсе характеристики

Минимальная цена PDTA123JMB,315 при покупке от 3915 шт 14.80 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTA123JMB,315 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDTA123JMB,315

PDTA123JMB - это неблокирующий диод с низким напряжением срабатывания, выпущенный компанией Nexperia. Основные характеристики:

  • Напряжение срабатывания: 0,6 В
  • Максимальный ток: 20 А
  • Температурный диапазон: -40°C до +150°C
  • Форм-фактор: SOD-123

Плюсы:

  • Высокая скорость восстановления
  • Низкое напряжение срабатывания
  • Устойчивость к шумам
  • Малый размер и легкость интеграции

Минусы:

  • Могут быть чувствительны к электрическому шуму при высоких токах
  • Не подходит для постоянного включения под нагрузкой

Общее назначение:

  • Защита от обратного напряжения в электронных устройствах
  • Импульсная защита
  • Сглаживание пульсовых сигналов

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Радиоэлектронных устройствах
  • Компьютерах и периферии
  • Степперных двигателях
  • Инверторах и преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики PDTA123JMB,315

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    100mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Трансформация частоты
    180 MHz
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    DFN1006B-3
  • Base Product Number
    PDTA123

Техническая документация

PDTA123JMB,315.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 3915 шт