Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
SI2101A-TP
  • В избранное
  • В сравнение
SI2101A-TP

SI2101A-TP

SI2101A-TP
;
SI2101A-TP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Micro Commercial Components (MCC)
  • Артикул:
    SI2101A-TP
  • Описание:
    P-CHANNEL MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена SI2101A-TP при покупке от 1 шт 84.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2101A-TP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2101A-TP

Основные параметры:

  • Тип MOSFET: P-канальный (P-Channel)
  • Производитель: Micro Commercial Components (MCC)
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): Обычно от -20В до -30В (типично -20В или -30В для таких компактных MOSFET, точное значение зависит от конкретной версии SI2101A-TP)
  • Максимальный ток стока (Id): Обычно от -1А до -3А (типично -1.6А или -2.5А)
  • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): Низкое, обычно в пределах нескольких десятков или сотен миллиом (например, 100-200 мОм при Vgs=-4.5V)
  • Напряжение отсечки затвора (Vgs(th)): Обычно от -0.4В до -1.0В
  • Корпус: SOT-23 (стандартный для таких маломощных MOSFET)

Плюсы:

  • Компактный размер: Корпус SOT-23 позволяет использовать его в малогабаритных устройствах.
  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает низкие потери мощности при работе в качестве ключа.
  • Низкое пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): Позволяет управлять им от низковольтных логических сигналов (например, 2.5В или 3.3В).
  • Высокая скорость переключения: Характерно для MOSFET, что делает его пригодным для импульсных схем.
  • P-канальный тип: Упрощает управление в некоторых схемах, особенно при коммутации "верхней стороны" нагрузки (High-Side Switch), так как затвор управляется относительно истока.

Минусы:

  • Ограниченная мощность: Не предназначен для коммутации высоких токов или напряжений.
  • Чувствительность к статическому электричеству: Как и все MOSFET, требует осторожного обращения из-за чувствительности затвора к электростатическому разряду.
  • Потери мощности: Хотя Rds(on) низкое, при больших токах все равно будут потери, приводящие к нагреву.
  • Для P-канальных MOSFET требуется отрицательное напряжение на затворе относительно истока для открытия, что может быть менее интуитивно, чем для N-канальных.

Общее назначение:

  • SI2101A-TP — это маломощный P-канальный MOSFET, предназначенный для использования в качестве электронного ключа или драйвера нагрузки в низковольтных и малоточных приложениях.
  • Он идеально подходит для управления питанием, коммутации сигналов и управления небольшими нагрузками.

В каких устройствах применяется:

  • Портативная электроника: Смартфоны, планшеты, носимые устройства (для управления питанием, подсветкой, батареями).
  • Схемы управления питанием: Коммутация батарей, управление питанием различных блоков встраиваемых систем.
  • Драйверы светодиодов: Управление яркостью или включением/выключением небольших светодиодных индикаторов или подсветок.
  • DC/DC преобразователи: В качестве коммутирующего элемента в некоторых топологиях, особенно в схемах с низким током.
  • Логические преобразователи уровня: Для согласования напряжений в цифровых схемах.
  • Схемы защиты: Защита от обратной полярности или превышения тока (в сочетании с другими компонентами).
  • Управление двигателями: Для небольших двигателей постоянного тока, требующих коммутации в одном направлении.
Выбрано: Показать

Характеристики SI2101A-TP

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2A
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.9 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    290 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    450mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Корпус
    SC-70, SOT-323

Техническая документация

 SI2101A-TP.pdf
pdf. 0 kb
  • 1720 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    84 ₽
  • 100
    32 ₽
  • 1000
    22.3 ₽
  • 6000
    14 ₽
  • 24000
    12 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Micro Commercial Components (MCC)
  • Артикул:
    SI2101A-TP
  • Описание:
    P-CHANNEL MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена SI2101A-TP при покупке от 1 шт 84.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2101A-TP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2101A-TP

Основные параметры:

  • Тип MOSFET: P-канальный (P-Channel)
  • Производитель: Micro Commercial Components (MCC)
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): Обычно от -20В до -30В (типично -20В или -30В для таких компактных MOSFET, точное значение зависит от конкретной версии SI2101A-TP)
  • Максимальный ток стока (Id): Обычно от -1А до -3А (типично -1.6А или -2.5А)
  • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): Низкое, обычно в пределах нескольких десятков или сотен миллиом (например, 100-200 мОм при Vgs=-4.5V)
  • Напряжение отсечки затвора (Vgs(th)): Обычно от -0.4В до -1.0В
  • Корпус: SOT-23 (стандартный для таких маломощных MOSFET)

Плюсы:

  • Компактный размер: Корпус SOT-23 позволяет использовать его в малогабаритных устройствах.
  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает низкие потери мощности при работе в качестве ключа.
  • Низкое пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): Позволяет управлять им от низковольтных логических сигналов (например, 2.5В или 3.3В).
  • Высокая скорость переключения: Характерно для MOSFET, что делает его пригодным для импульсных схем.
  • P-канальный тип: Упрощает управление в некоторых схемах, особенно при коммутации "верхней стороны" нагрузки (High-Side Switch), так как затвор управляется относительно истока.

Минусы:

  • Ограниченная мощность: Не предназначен для коммутации высоких токов или напряжений.
  • Чувствительность к статическому электричеству: Как и все MOSFET, требует осторожного обращения из-за чувствительности затвора к электростатическому разряду.
  • Потери мощности: Хотя Rds(on) низкое, при больших токах все равно будут потери, приводящие к нагреву.
  • Для P-канальных MOSFET требуется отрицательное напряжение на затворе относительно истока для открытия, что может быть менее интуитивно, чем для N-канальных.

Общее назначение:

  • SI2101A-TP — это маломощный P-канальный MOSFET, предназначенный для использования в качестве электронного ключа или драйвера нагрузки в низковольтных и малоточных приложениях.
  • Он идеально подходит для управления питанием, коммутации сигналов и управления небольшими нагрузками.

В каких устройствах применяется:

  • Портативная электроника: Смартфоны, планшеты, носимые устройства (для управления питанием, подсветкой, батареями).
  • Схемы управления питанием: Коммутация батарей, управление питанием различных блоков встраиваемых систем.
  • Драйверы светодиодов: Управление яркостью или включением/выключением небольших светодиодных индикаторов или подсветок.
  • DC/DC преобразователи: В качестве коммутирующего элемента в некоторых топологиях, особенно в схемах с низким током.
  • Логические преобразователи уровня: Для согласования напряжений в цифровых схемах.
  • Схемы защиты: Защита от обратной полярности или превышения тока (в сочетании с другими компонентами).
  • Управление двигателями: Для небольших двигателей постоянного тока, требующих коммутации в одном направлении.
Выбрано: Показать

Характеристики SI2101A-TP

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2A
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.9 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    290 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    450mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Корпус
    SC-70, SOT-323

Техническая документация

 SI2101A-TP.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSC220N20NSFDATMA1MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
    1 117Кешбэк 167 баллов
    IPTG011N08NM5ATMA1MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8
    1 121Кешбэк 168 баллов
    IMBF170R650M1XTMA1SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
    1 129Кешбэк 169 баллов
    IPZ65R095C7IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
    1 135Кешбэк 170 баллов
    IPB015N04LGATMA1MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
    1 139Кешбэк 170 баллов
    IMBG120R220M1HXTMA1SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
    1 145Кешбэк 171 балл
    IMW65R107M1HXKSA1MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
    1 153Кешбэк 172 балла
    IPB044N15N5ATMA1MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
    1 155Кешбэк 173 балла
    IPW65R115CFD7AXKSA1MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
    1 155Кешбэк 173 балла
    IPL60R065P7AUMA1MOSFET N-CH 650V 41A 4VSON
    1 157Кешбэк 173 балла
    IAUT300N10S5N015ATMA1MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
    1 165Кешбэк 174 балла
    IPP60R070CFD7XKSA1MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
    1 173Кешбэк 175 баллов
    IPT039N15N5ATMA1OPTIMOS 5 POWER MOSFET
    1 175Кешбэк 176 баллов
    IPW65R110CFDFKSA2MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
    1 175Кешбэк 176 баллов
    IPP65R110CFDXKSA2MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
    1 177Кешбэк 176 баллов
    IPBE65R099CFD7AATMA1MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
    1 181Кешбэк 177 баллов
    IPB025N10N3GATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    1 187Кешбэк 178 баллов
    IAUS260N10S5N019TATMA1MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
    1 189Кешбэк 178 баллов
    IPT014N08NM5ATMA1MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
    1 195Кешбэк 179 баллов
    IAUT300N08S5N011ATMA1MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
    1 199Кешбэк 179 баллов
    IMW120R220M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
    1 199Кешбэк 179 баллов
    IPP200N25N3GXKSA1MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
    1 199Кешбэк 179 баллов
    IPW60R060P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
    1 213Кешбэк 181 балл
    IPB65R110CFDATMA2MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
    1 213Кешбэк 181 балл
    SPW24N60C3FKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 24.3A TO247-3
    1 213Кешбэк 181 балл
    IPDD60R075CFD7XTMA1MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10
    1 223Кешбэк 183 балла
    IRFSL4127PBFMOSFET N-CH 200V 72A TO262
    1 227Кешбэк 184 балла
    IPB020N10N5LFATMA1MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
    1 229Кешбэк 184 балла
    IPW60R070P6600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,
    1 231Кешбэк 184 балла
    IPA075N15N3GXKSA1MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
    1 241Кешбэк 186 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторные модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Симисторы - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП