Вход/Регистрация
SI7629DN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
SI4477DY-T1-GE3
SI4477DY-T1-GE3
- Производитель:Vishay Semiconductors
- Артикул:SI4477DY-T1-GE3
- Описание:MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SOВсе характеристики
Минимальная цена SI4477DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 412.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4477DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 10872 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1412 ₽
- 10241 ₽
- 100189 ₽
- 5000157 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Vishay Semiconductors
- Артикул:SI4477DY-T1-GE3
- Описание:MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SOВсе характеристики
Минимальная цена SI4477DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 412.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4477DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание SI4477DY-T1-GE3
SI4477DY-T1-GE3 — это полевое транзисторное устройство с каналом N, выпущенное компанией Vishay Semiconductors. Основные характеристики:
- Номинальное напряжение питания (VDS(on)): 20В
- Номинальный ток при VDS(on): 26.6А
- Количество выводов: 8
- Тип: P-канальный MOSFET
Плюсы:
- Высокая проводимость при низком напряжении на включении (VGS(th))
- Устойчивость к избыточному нагреву благодаря эффективной системе охлаждения
- Низкое сопротивление в наntaglении (RD(on))
Минусы:
- Требуется дополнительное охлаждение для работы при максимальных токах и напряжениях
- Не подходит для использования в высокочастотных цепях из-за низкой скорости перехода
Общее назначение:
- Использование в источниках питания
- Применение в системах управления мощностью
- Работа в драйверах для индуктивных нагрузок
В каких устройствах применяется:
- Автомобильные системы
- Мощные электронные устройства
- Источники бесперебойного питания
- Системы управления двигателем
Выбрано: Показать
Характеристики SI4477DY-T1-GE3
Техническая документация
SI4477DY-T1-GE3.pdf pdf. 0 kb