Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SIS410DN-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3
;
SIS410DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SIS410DN-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8Все характеристики

Минимальная цена SIS410DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 360.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS410DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 — это полупроводниковый транзистор N-канального типа, используемый в различных электронных устройствах для управления током.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)) - 20В
    • Номинальная токовая характеристика (ID(on)) - 35А
    • Пакет (Package) - PPAK 1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
    • Компактный размер
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Необходимо учесть термическую нагрузку при работе с высокими токами
    • Требуется дополнительное охлаждение при длительной эксплуатации под нагрузкой
  • Общее назначение:
    • Регулировка тока в электрических цепях
    • Переключение высоких токов
    • Снижение потерь энергии в электронных устройствах
  • Применяется в:
    • Источниках питания
    • Электронных преобразователях
    • Мощных драйверах
    • Автомобильных системах
    • Медицинской технике
Выбрано: Показать

Характеристики SIS410DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    41 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1600 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SIS410

Техническая документация

 SIS410DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 28041 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    360 ₽
  • 10
    218 ₽
  • 100
    176 ₽
  • 500
    163 ₽
  • 3000
    138 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SIS410DN-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8Все характеристики

Минимальная цена SIS410DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 360.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS410DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 — это полупроводниковый транзистор N-канального типа, используемый в различных электронных устройствах для управления током.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)) - 20В
    • Номинальная токовая характеристика (ID(on)) - 35А
    • Пакет (Package) - PPAK 1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
    • Компактный размер
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Необходимо учесть термическую нагрузку при работе с высокими токами
    • Требуется дополнительное охлаждение при длительной эксплуатации под нагрузкой
  • Общее назначение:
    • Регулировка тока в электрических цепях
    • Переключение высоких токов
    • Снижение потерь энергии в электронных устройствах
  • Применяется в:
    • Источниках питания
    • Электронных преобразователях
    • Мощных драйверах
    • Автомобильных системах
    • Медицинской технике
Выбрано: Показать

Характеристики SIS410DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    41 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1600 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SIS410

Техническая документация

 SIS410DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI2312CDS-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
    114Кешбэк 17 баллов
    SI3443CDV-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
    114Кешбэк 17 баллов
    SI8806DB-T2-E1MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
    114Кешбэк 17 баллов
    IRFR310PBFMOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
    114Кешбэк 17 баллов
    SI2301CDS-T1-E3MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
    116Кешбэк 17 баллов
    SI2333DDS-T1-GE3MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
    116Кешбэк 17 баллов
    SI2367DS-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
    116Кешбэк 17 баллов
    SUD20N10-66L-GE3MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
    117Кешбэк 17 баллов
    SI2377EDS-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
    119Кешбэк 17 баллов
    SI2338DS-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
    119Кешбэк 17 баллов
    SI2399DS-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
    121Кешбэк 18 баллов
    IRFR120PBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
    123Кешбэк 18 баллов
    SIA456DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
    123Кешбэк 18 баллов
    IRFR110TRPBFMOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
    123Кешбэк 18 баллов
    SIA462DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
    125Кешбэк 18 баллов
    SI3424CDV-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
    125Кешбэк 18 баллов
    SI1302DL-T1-E3MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
    125Кешбэк 18 баллов
    SI2303CDS-T1-E3MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
    125Кешбэк 18 баллов
    SIS412DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
    127Кешбэк 19 баллов
    SIA436DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
    127Кешбэк 19 баллов
    SI2323CDS-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
    127Кешбэк 19 баллов
    IRFU420PBFMOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
    127Кешбэк 19 баллов
    SI3437DV-T1-E3MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
    127Кешбэк 19 баллов
    SI2303CDS-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
    131Кешбэк 19 баллов
    SI2392ADS-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
    131Кешбэк 19 баллов
    2N7002E-T1-E3MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
    133Кешбэк 19 баллов
    SI7617DN-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
    133Кешбэк 19 баллов
    SI2309CDS-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
    133Кешбэк 19 баллов
    SI9407BDY-T1-E3MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
    133Кешбэк 19 баллов
    IRFR310TRPBFMOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
    133Кешбэк 19 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Сборки биполярных транзисторов
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторные модули
    Диодные мосты
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП