Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3
;
SIS412DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIS412DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 117.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS412DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30В
    • Номинальный ток (ID(on)): 12А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая conductive эффективность
    • Малый тепловой сопротивление
    • Малые размеры и легкость
    • Прочность на удар
  • Минусы:
    • Небольшой ток при высоких напряжениях
    • Необходимо дополнительное охлаждение для больших токов
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Эффективное управление током
    • Изменение уровня напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Переходники
    • Блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики SIS412DN-T1-GE3

Техническая документация

SIS412DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2816 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    117 ₽
  • 10
    73 ₽
  • 25
    68 ₽
  • 100
    67 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIS412DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 117.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS412DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30В
    • Номинальный ток (ID(on)): 12А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая conductive эффективность
    • Малый тепловой сопротивление
    • Малые размеры и легкость
    • Прочность на удар
  • Минусы:
    • Небольшой ток при высоких напряжениях
    • Необходимо дополнительное охлаждение для больших токов
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Эффективное управление током
    • Изменение уровня напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Переходники
    • Блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики SIS412DN-T1-GE3

Техническая документация

SIS412DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории