Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SIS488DN-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3
;
SIS488DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIS488DN-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8Все характеристики

Минимальная цена SIS488DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 301.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS488DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-Ч 40В 40А PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 40В
    • Номинальный ток: 40А
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Малый динамический ток затухания
    • Низкое значение Rds(on)
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Контроль тока
    • Преобразование напряжения
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Беспроводные устройства
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики SIS488DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    40A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1330 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SIS488

Техническая документация

 SIS488DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3197 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    301 ₽
  • 10
    145 ₽
  • 500
    88 ₽
  • 5000
    79 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIS488DN-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8Все характеристики

Минимальная цена SIS488DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 301.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS488DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-Ч 40В 40А PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 40В
    • Номинальный ток: 40А
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Малый динамический ток затухания
    • Низкое значение Rds(on)
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Контроль тока
    • Преобразование напряжения
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Беспроводные устройства
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики SIS488DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    40A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1330 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SIS488

Техническая документация

 SIS488DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI2337DS-T1-GE3MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
    245Кешбэк 36 баллов
    SI4431CDY-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
    245Кешбэк 36 баллов
    IRFU9110PBFMOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA
    247Кешбэк 37 баллов
    IRFU9024PBFТранзистор: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
    249Кешбэк 37 баллов
    IRF634PBFMOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB
    251Кешбэк 37 баллов
    SI4835DDY-T1-E3MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
    252Кешбэк 37 баллов
    IRF510SPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
    257Кешбэк 38 баллов
    IRFR9310PBFMOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
    262Кешбэк 39 баллов
    IRFI540GPBFMOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
    264Кешбэк 39 баллов
    SIRA06DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    265Кешбэк 39 баллов
    IRL510PBFMOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    265Кешбэк 39 баллов
    SIHU5N50D-GE3MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251
    269Кешбэк 40 баллов
    SIHU7N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
    269Кешбэк 40 баллов
    SI7655ADN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
    270Кешбэк 40 баллов
    IRFIBC30GPBFMOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
    270Кешбэк 40 баллов
    IRF830BPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
    271Кешбэк 40 баллов
    IRF710STRLPBFMOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
    274Кешбэк 41 балл
    IRFZ14PBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
    276Кешбэк 41 балл
    SIA432DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
    278Кешбэк 41 балл
    SIS407ADN-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
    280Кешбэк 42 балла
    SUD23N06-31-GE3MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
    280Кешбэк 42 балла
    IRF730APBFMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
    287Кешбэк 43 балла
    SUD08P06-155L-GE3MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
    289Кешбэк 43 балла
    SIS862DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
    292Кешбэк 43 балла
    SI4848DY-T1-E3MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
    294Кешбэк 44 балла
    IRFBE30PBFТранзистор: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
    294Кешбэк 44 балла
    IRF9610PBFMOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
    296Кешбэк 44 балла
    SI4491EDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
    299Кешбэк 44 балла
    SI4401BDY-T1-E3MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
    300Кешбэк 45 баллов
    SIS488DN-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
    301Кешбэк 45 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП