Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22 info@eicom.ru

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

% Акции Разъемы Реле Вентиляторы Микросхемы Датчики и сенсоры Транзисторы и диоды Конденсаторы Предохранители Весь каталог

Избранное

Войти

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

SIS892DN-T1-GE3

В избранное
В сравнение

SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

;

SIS892DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Vishay Semiconductors
Артикул:
SIS892DN-T1-GE3
Описание:
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8Все характеристики

Минимальная цена SIS892DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 387.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS892DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SIS892DN-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
611 pF @ 50 V
Рассеивание мощности (Макс)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® 1212-8
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SIS892

Техническая документация

SIS892DN-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

8642 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
387 ₽
10
252 ₽
100
177 ₽
1000
138 ₽
6000
111 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Vishay Semiconductors
Артикул:
SIS892DN-T1-GE3
Описание:
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8Все характеристики

Минимальная цена SIS892DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 387.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS892DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SIS892DN-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
611 pF @ 50 V
Рассеивание мощности (Макс)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® 1212-8
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SIS892

Техническая документация

SIS892DN-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

SI7629DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

358Кешбэк 53 балла

SI5418DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK

358Кешбэк 53 балла

SIRA04DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

358Кешбэк 53 балла

SI8409DB-T1-E1 MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT

358Кешбэк 53 балла

IRFR214TRPBF MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK

358Кешбэк 53 балла

SIS410DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

360Кешбэк 54 балла

IRFR024TRPBF Транзистор: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

360Кешбэк 54 балла

IRF630STRLPBF Транзистор: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

372Кешбэк 55 баллов

IRF510STRRPBF Транзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263

375Кешбэк 56 баллов

SUD19P06-60-E3 MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252

379Кешбэк 56 баллов

SIR462DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

379Кешбэк 56 баллов

SIR460DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

379Кешбэк 56 баллов

SIR464DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

379Кешбэк 56 баллов

SI4420BDY-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO

383Кешбэк 57 баллов

SI7421DN-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK1212-8

385Кешбэк 57 баллов

SIS892DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8

387Кешбэк 58 баллов

IRFU9214PBF Транзистор: MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA

399Кешбэк 59 баллов

IRF840BPBF Транзистор: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

400Кешбэк 60 баллов

IRFU214PBF MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA

400Кешбэк 60 баллов

SI3430DV-T1-E3 MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP

402Кешбэк 60 баллов

IRFR014TRLPBF MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

402Кешбэк 60 баллов

IRLR120PBF MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

402Кешбэк 60 баллов

IRL510STRLPBF MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

404Кешбэк 60 баллов

SIR402DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

406Кешбэк 60 баллов

IRFR024TRLPBF MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

408Кешбэк 61 балл

IRFR310TRLPBF MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

410Кешбэк 61 балл

SI4477DY-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO

412Кешбэк 61 балл

SI7423DN-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8

412Кешбэк 61 балл

SI4420BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO

412Кешбэк 61 балл

IRFBF20PBF MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB

416Кешбэк 62 балла

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Модули драйверов питания

Тиристоры - TRIACs

Диоды и транзисторы для регулирования тока

Диоды силовые

Транзисторы - IGBT - модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Модули драйверов питания

Модули триодных тиристоров

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Симисторы - Модули

Принадлежности для дискретных полупроводников

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Варикапы и Варакторы

IGBT транзисторы

Диоды - выпрямители - массивы

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Диоды - ВЧ

Диоды выпрямительные - Одиночные

Диодные мосты - Модули

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы - Одиночные

Полевые транзисторы - Сборки

Тиристоры - SCR

Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Диоды выпрямительные - Сборки

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Симисторы

Транзисторы специального назначения

Одиночные IGBT транзисторы

Диоды выпрямительные - Модули

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Сборки биполярных транзисторов

Одиночные триодные тиристоры

Одиночные биполярные транзисторы

Полевые транзисторы - Модули

Диоды - выпрямители - одиночные

Диодные мосты

Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Высокочастотные биполярные транзисторы

IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Транзисторные модули

Высокочастотные диоды

Транзисторы - программируемые однопереходные

Диоды - мостовые выпрямители

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Тиристоры - SCR - модули

Транзисторы - JFET

Программируемые однопереходные транзисторы

Высокочастотные полевые транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали