Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22 info@eicom.ru

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

% Акции Разъемы Реле Вентиляторы Микросхемы Датчики и сенсоры Транзисторы и диоды Конденсаторы Предохранители Весь каталог

Избранное

Войти

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

SIS892DN-T1-GE3

В избранное
В сравнение

SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

;

SIS892DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Vishay Semiconductors
Артикул:
SIS892DN-T1-GE3
Описание:
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8Все характеристики

Минимальная цена SIS892DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 387.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS892DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SIS892DN-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
611 pF @ 50 V
Рассеивание мощности (Макс)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® 1212-8
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SIS892

Техническая документация

SIS892DN-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

8642 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
387 ₽
10
252 ₽
100
177 ₽
1000
138 ₽
6000
111 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Vishay Semiconductors
Артикул:
SIS892DN-T1-GE3
Описание:
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8Все характеристики

Минимальная цена SIS892DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 387.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS892DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SIS892DN-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
611 pF @ 50 V
Рассеивание мощности (Макс)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® 1212-8
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SIS892

Техническая документация

SIS892DN-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

SI2312CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3

114Кешбэк 17 баллов

SI3443CDV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP

114Кешбэк 17 баллов

SI8806DB-T2-E1 MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT

114Кешбэк 17 баллов

IRFR310PBF MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

114Кешбэк 17 баллов

SI2301CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

116Кешбэк 17 баллов

SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3

116Кешбэк 17 баллов

SI2367DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3

116Кешбэк 17 баллов

SUD20N10-66L-GE3 MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252

117Кешбэк 17 баллов

SI2377EDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3

119Кешбэк 17 баллов

SI2338DS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 6A SOT23

119Кешбэк 17 баллов

SI2399DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3

121Кешбэк 18 баллов

IRFR120PBF Транзистор: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

123Кешбэк 18 баллов

SIA456DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70

123Кешбэк 18 баллов

IRFR110TRPBF MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

123Кешбэк 18 баллов

SIA462DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

125Кешбэк 18 баллов

SI3424CDV-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

125Кешбэк 18 баллов

SI1302DL-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3

125Кешбэк 18 баллов

SI2303CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

125Кешбэк 18 баллов

SIS412DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

127Кешбэк 19 баллов

SIA436DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6

127Кешбэк 19 баллов

SI2323CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3

127Кешбэк 19 баллов

IRFU420PBF MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA

127Кешбэк 19 баллов

SI3437DV-T1-E3 MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP

127Кешбэк 19 баллов

SI2303CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

131Кешбэк 19 баллов

SI2392ADS-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3

131Кешбэк 19 баллов

2N7002E-T1-E3 MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3

133Кешбэк 19 баллов

SI7617DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8

133Кешбэк 19 баллов

SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

133Кешбэк 19 баллов

SI9407BDY-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO

133Кешбэк 19 баллов

IRFR310TRPBF MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

133Кешбэк 19 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением

Транзисторы - программируемые однопереходные

Диоды выпрямительные - Модули

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Принадлежности для дискретных полупроводников

Высокочастотные диоды

Одиночные IGBT транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Полевые транзисторы - Одиночные

Диодные мосты

Тиристоры - SCR - модули

Диоды - выпрямители - одиночные

Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)

Тиристоры - TRIACs

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Симисторы - Модули

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Одиночные биполярные транзисторы

Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)

Модули триодных тиристоров

Модули драйверов питания

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды - ВЧ

Диодные мосты - Модули

Модули драйверов питания

Симисторы

Транзисторы - IGBT - модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Одиночные триодные тиристоры

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Биполярные транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Варикапы и Варакторы

IGBT транзисторы

Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Диоды и транзисторы для регулирования тока

IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Полевые транзисторы - Сборки

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Диоды - выпрямители - массивы

Диоды - мостовые выпрямители

Программируемые однопереходные транзисторы

Тиристоры - SCR

Транзисторы - JFET

Диоды силовые

Диоды выпрямительные - Одиночные

Высокочастотные биполярные транзисторы

Транзисторы специального назначения

Высокочастотные полевые транзисторы

Диоды выпрямительные - Сборки

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Сборки биполярных транзисторов

Полевые транзисторы - Модули

Транзисторные модули

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали