SSVMUN5312DW1T2G

SSVMUN5312DW1T2G от On Semiconductor — это полупроводниковый транзистор.

• Основные параметры:
• Максимальное напряжениеcollector-emitter (V_CEO) — 530 В
• Максимальный ток collector (I_CMAX) — 12 А
• Тип транзистора — N-канальный MOSFET
• Стандартная технология производства — Si
• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность
• Малый размер и вес
• Низкий уровень шума и искажений
• Высокая скорость включения и выключения
• Энергетическая эффективность
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
• Необходимость использования дополнительного радиатора для охлаждения при больших нагрузках
• Общее назначение:
• Регулировка напряжения в электронных устройствах
• Переключение высоких токов
• Управление мощными нагрузками
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника
• Инверторы и преобразователи
• Промышленное оборудование
• Мощные источники питания
• Системы управления двигателем