Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
STGW25H120DF2
  • В избранное
  • В сравнение
STGW25H120DF2

STGW25H120DF2

STGW25H120DF2
;
STGW25H120DF2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGW25H120DF2
  • Описание:
    Транзистор: IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247Все характеристики

Минимальная цена STGW25H120DF2 при покупке от 1 шт 904.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGW25H120DF2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGW25H120DF2

STGW25H120DF2 STMicroelectronics

  • Тип: IGBT (Игбит)
  • Серия: H-SERIES
  • Номинальное напряжение: 1200В
  • Номинальный ток: 25А
  • Оболочка: TO-247

Основные параметры:

  • Эффективность: Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями и токами.
  • Практическое применение: Подходит для широкого спектра приложений, требующих управления мощными электрическими токами.
  • Минимальная вольт-амперная характеристика: Хорошая производительность при низких вольт-амперных характеристиках.

Плюсы:

  • Высокая надежность: Игбиты известны своей стабильностью и долговечностью.
  • Экономичность: Энергосберегающие свойства позволяют экономить электроэнергию.
  • Удобство использования: Простота в установке и подключении.

Минусы:

  • Тепловые потери: При высоких нагрузках могут возникать значительные тепловые потери.
  • Требование к охлаждению: Для обеспечения надежной работы может потребоваться дополнительное охлаждение.

Общее назначение:

  • Переключение высоких напряжений: Используется для переключения высоковольтных цепей.
  • Мощные преобразователи: Участвует в работе мощных электропитаний и преобразователей.
  • Драйверы: Используется в качестве драйвера для управления электроприводами и другими устройствами.

Применяется в:

  • Автомобильных системах управления двигателем
  • Промышленных преобразователях и электропитаниях
  • Системах управления электродвигателями
  • Маршрутизаторах и сетевых устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики STGW25H120DF2

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    100 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.6V @ 15V, 25A
  • Рассеивание мощности
    375 W
  • Энергия переключения
    600µJ (on), 700µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    100 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    29ns/130ns
  • Условие испытаний
    600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    303 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    STGW25

Техническая документация

 STGW25H120DF2.pdf
pdf. 0 kb
  • 298 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    904 ₽
  • 30
    504 ₽
  • 120
    415 ₽
  • 510
    351 ₽
  • 1020
    327 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGW25H120DF2
  • Описание:
    Транзистор: IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247Все характеристики

Минимальная цена STGW25H120DF2 при покупке от 1 шт 904.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGW25H120DF2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGW25H120DF2

STGW25H120DF2 STMicroelectronics

  • Тип: IGBT (Игбит)
  • Серия: H-SERIES
  • Номинальное напряжение: 1200В
  • Номинальный ток: 25А
  • Оболочка: TO-247

Основные параметры:

  • Эффективность: Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями и токами.
  • Практическое применение: Подходит для широкого спектра приложений, требующих управления мощными электрическими токами.
  • Минимальная вольт-амперная характеристика: Хорошая производительность при низких вольт-амперных характеристиках.

Плюсы:

  • Высокая надежность: Игбиты известны своей стабильностью и долговечностью.
  • Экономичность: Энергосберегающие свойства позволяют экономить электроэнергию.
  • Удобство использования: Простота в установке и подключении.

Минусы:

  • Тепловые потери: При высоких нагрузках могут возникать значительные тепловые потери.
  • Требование к охлаждению: Для обеспечения надежной работы может потребоваться дополнительное охлаждение.

Общее назначение:

  • Переключение высоких напряжений: Используется для переключения высоковольтных цепей.
  • Мощные преобразователи: Участвует в работе мощных электропитаний и преобразователей.
  • Драйверы: Используется в качестве драйвера для управления электроприводами и другими устройствами.

Применяется в:

  • Автомобильных системах управления двигателем
  • Промышленных преобразователях и электропитаниях
  • Системах управления электродвигателями
  • Маршрутизаторах и сетевых устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики STGW25H120DF2

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    100 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.6V @ 15V, 25A
  • Рассеивание мощности
    375 W
  • Энергия переключения
    600µJ (on), 700µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    100 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    29ns/130ns
  • Условие испытаний
    600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    303 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    STGW25

Техническая документация

 STGW25H120DF2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGWT30V60DFТранзистор: IGBT 600V 60A 258W TO3P-3
    722Кешбэк 108 баллов
    STGW15H120DF2Транзистор: IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
    728Кешбэк 109 баллов
    STGB20NB41LZT4Транзистор: IGBT 442V 40A 200W D2PAK
    735Кешбэк 110 баллов
    STGW60V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 375W TO247
    735Кешбэк 110 баллов
    STGW40V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO247
    743Кешбэк 111 баллов
    STGW30H65FBТранзистор: IGBT 650V 30A 260W TO-247
    743Кешбэк 111 баллов
    STGWA19NC60HDТранзистор: IGBT 600V 52A 208W TO247
    750Кешбэк 112 баллов
    STGFW40V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
    762Кешбэк 114 баллов
    STGFW40H65FBТранзистор: IGBT HB 650V 40A ISOWATT218
    762Кешбэк 114 баллов
    STGW20V60FТранзистор: IGBT 600V 40A 167W TO247
    764Кешбэк 114 баллов
    STGW28IH125DFТранзистор: IGBT 1250V 60A 375W TO-247
    773Кешбэк 115 баллов
    STGW20V60DFТранзистор: IGBT 600V 40A 167W TO247
    778Кешбэк 116 баллов
    STGP20NC60VТранзистор: IGBT 600V 60A 200W TO220
    788Кешбэк 118 баллов
    STGW40V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO247
    789Кешбэк 118 баллов
    STGB30H60DLFBТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
    818Кешбэк 122 балла
    STGWA15H120DF2Транзистор: IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3
    819Кешбэк 122 балла
    STGWT60H65FBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
    821Кешбэк 123 балла
    STGP40V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO220AB
    824Кешбэк 123 балла
    STGWT40H60DLFBТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
    834Кешбэк 125 баллов
    STGFW40V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
    840Кешбэк 126 баллов
    STGW30NC60VDТранзистор: IGBT 600V 80A 250W TO247
    843Кешбэк 126 баллов
    STGWT60H65DFBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
    849Кешбэк 127 баллов
    STGW39NC60VDТранзистор: IGBT 600V 80A 250W TO247
    861Кешбэк 129 баллов
    STGWT40V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
    874Кешбэк 131 балл
    STGW40H65FBТранзистор: IGBT 650V 80A 283W TO247
    876Кешбэк 131 балл
    STGW30V60FТранзистор: IGBT 600V 60A 260W TO247
    877Кешбэк 131 балл
    STGWA60H65DFBТранзистор: IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
    880Кешбэк 132 балла
    STGWA60V60DFТранзистор: IGBT BIPO 600V 60A TO247-3
    893Кешбэк 133 балла
    STGW25H120DF2Транзистор: IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
    904Кешбэк 135 баллов
    STGW30NC60WDТранзистор: IGBT 600V 60A 200W TO247
    908Кешбэк 136 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторные модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП