Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
STGW30H65FB

STGW30H65FB

STGW30H65FB
;
STGW30H65FB

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена STGW30H65FB при покупке от 1 шт 734.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGW30H65FB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGW30H65FB

STGW30H65FB — это IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с напряжением ведущего поля 650 В, током непрерывного тока 30 А и мощностью 260 ВА, корпуса TO-247.

  • Основные параметры:
    • Напряжение ведущего поля (VCEO): 650 В
    • Ток непрерывного тока (IC): 30 А
    • Мощность (Ptot): 260 ВА
    • Корпус: TO-247
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к перегреву
    • Простота управления
    • Низкий коэффициент включения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость использования дополнительной охлаждения для больших нагрузок
    • Сложность в проектировании защитных схем при работе с высокими напряжениями
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Приводы электродвигателей
    • Инверторы для управления частотой
    • Электрооборудование
    • Автомобильные системы

Этот транзистор применяется в устройствах, требующих высокой эффективности и надежности при работе с высокими напряжениями и токами. Он широко используется в промышленных и бытовых приборах, где требуется высокая производительность и энергоэффективность.

Выбрано: Показать

Характеристики STGW30H65FB

Техническая документация

STGW30H65FB.pdf
pdf. 0 kb
  • 38 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    734 ₽
  • 5
    647 ₽
  • 10
    578 ₽
  • 30
    458 ₽
  • 120
    430 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена STGW30H65FB при покупке от 1 шт 734.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGW30H65FB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGW30H65FB

STGW30H65FB — это IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с напряжением ведущего поля 650 В, током непрерывного тока 30 А и мощностью 260 ВА, корпуса TO-247.

  • Основные параметры:
    • Напряжение ведущего поля (VCEO): 650 В
    • Ток непрерывного тока (IC): 30 А
    • Мощность (Ptot): 260 ВА
    • Корпус: TO-247
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к перегреву
    • Простота управления
    • Низкий коэффициент включения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость использования дополнительной охлаждения для больших нагрузок
    • Сложность в проектировании защитных схем при работе с высокими напряжениями
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Приводы электродвигателей
    • Инверторы для управления частотой
    • Электрооборудование
    • Автомобильные системы

Этот транзистор применяется в устройствах, требующих высокой эффективности и надежности при работе с высокими напряжениями и токами. Он широко используется в промышленных и бытовых приборах, где требуется высокая производительность и энергоэффективность.

Выбрано: Показать

Характеристики STGW30H65FB

Техническая документация

STGW30H65FB.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории