Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
STGWT30V60DF
  • В избранное
  • В сравнение
STGWT30V60DF

STGWT30V60DF

STGWT30V60DF
;
STGWT30V60DF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGWT30V60DF
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 600V 60A 258W TO3P-3Все характеристики

Минимальная цена STGWT30V60DF при покупке от 1 шт 722.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWT30V60DF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWT30V60DF

STGWT30V60DF — это IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании STMicroelectronics. Этот транзистор предназначен для использования в различных электронных устройствах.

  • Номинальное напряжение: 600 В
  • Номинальный ток: 60 А
  • Мощность: 258 ВАтт
  • Коллекторный сопротивление: TO3P-3

Плюсы:

  • Высокая эффективность благодаря низкому коэффициенту потерь при работе.
  • Долгий срок службы из-за высокой термостойкости и надежности.
  • Простота управления за счет использования индуктивного каскада.

Минусы:

  • Высокие требования к проектированию из-за необходимости использования дополнительных компонентов для защиты и улучшения работы.
  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Требует осторожности при работе из-за возможного возникновения электромагнитных помех.

Общее назначение: IGBT STGWT30V60DF используется в различных устройствах, требующих управления мощными токами, таких как:

  • Моторные системы
  • Солнечные батареи и системы хранения энергии
  • Автомобильные системы
  • Устройства для управления тепловыми насосами
  • Измерительные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики STGWT30V60DF

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    60 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    258 W
  • Энергия переключения
    383µJ (on), 233µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    163 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    45ns/189ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    53 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3P
  • Base Product Number
    STGWT30

Техническая документация

 STGWT30V60DF.pdf
pdf. 0 kb
  • 78 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    722 ₽
  • 30
    401 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGWT30V60DF
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 600V 60A 258W TO3P-3Все характеристики

Минимальная цена STGWT30V60DF при покупке от 1 шт 722.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWT30V60DF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWT30V60DF

STGWT30V60DF — это IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании STMicroelectronics. Этот транзистор предназначен для использования в различных электронных устройствах.

  • Номинальное напряжение: 600 В
  • Номинальный ток: 60 А
  • Мощность: 258 ВАтт
  • Коллекторный сопротивление: TO3P-3

Плюсы:

  • Высокая эффективность благодаря низкому коэффициенту потерь при работе.
  • Долгий срок службы из-за высокой термостойкости и надежности.
  • Простота управления за счет использования индуктивного каскада.

Минусы:

  • Высокие требования к проектированию из-за необходимости использования дополнительных компонентов для защиты и улучшения работы.
  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Требует осторожности при работе из-за возможного возникновения электромагнитных помех.

Общее назначение: IGBT STGWT30V60DF используется в различных устройствах, требующих управления мощными токами, таких как:

  • Моторные системы
  • Солнечные батареи и системы хранения энергии
  • Автомобильные системы
  • Устройства для управления тепловыми насосами
  • Измерительные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики STGWT30V60DF

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    60 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    258 W
  • Энергия переключения
    383µJ (on), 233µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    163 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    45ns/189ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    53 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3P
  • Base Product Number
    STGWT30

Техническая документация

 STGWT30V60DF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGWT30V60DFТранзистор: IGBT 600V 60A 258W TO3P-3
    722Кешбэк 108 баллов
    STGW15H120DF2Транзистор: IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
    728Кешбэк 109 баллов
    STGB20NB41LZT4Транзистор: IGBT 442V 40A 200W D2PAK
    735Кешбэк 110 баллов
    STGW60V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 375W TO247
    735Кешбэк 110 баллов
    STGW40V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO247
    743Кешбэк 111 баллов
    STGW30H65FBТранзистор: IGBT 650V 30A 260W TO-247
    743Кешбэк 111 баллов
    STGWA19NC60HDТранзистор: IGBT 600V 52A 208W TO247
    750Кешбэк 112 баллов
    STGFW40V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
    762Кешбэк 114 баллов
    STGFW40H65FBТранзистор: IGBT HB 650V 40A ISOWATT218
    762Кешбэк 114 баллов
    STGW20V60FТранзистор: IGBT 600V 40A 167W TO247
    764Кешбэк 114 баллов
    STGW28IH125DFТранзистор: IGBT 1250V 60A 375W TO-247
    773Кешбэк 115 баллов
    STGW20V60DFТранзистор: IGBT 600V 40A 167W TO247
    778Кешбэк 116 баллов
    STGP20NC60VТранзистор: IGBT 600V 60A 200W TO220
    788Кешбэк 118 баллов
    STGW40V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO247
    789Кешбэк 118 баллов
    STGB30H60DLFBТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
    818Кешбэк 122 балла
    STGWA15H120DF2Транзистор: IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3
    819Кешбэк 122 балла
    STGWT60H65FBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
    821Кешбэк 123 балла
    STGP40V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO220AB
    824Кешбэк 123 балла
    STGWT40H60DLFBТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
    834Кешбэк 125 баллов
    STGFW40V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
    840Кешбэк 126 баллов
    STGW30NC60VDТранзистор: IGBT 600V 80A 250W TO247
    843Кешбэк 126 баллов
    STGWT60H65DFBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
    849Кешбэк 127 баллов
    STGW39NC60VDТранзистор: IGBT 600V 80A 250W TO247
    861Кешбэк 129 баллов
    STGWT40V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
    874Кешбэк 131 балл
    STGW40H65FBТранзистор: IGBT 650V 80A 283W TO247
    876Кешбэк 131 балл
    STGW30V60FТранзистор: IGBT 600V 60A 260W TO247
    877Кешбэк 131 балл
    STGWA60H65DFBТранзистор: IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
    880Кешбэк 132 балла
    STGWA60V60DFТранзистор: IGBT BIPO 600V 60A TO247-3
    893Кешбэк 133 балла
    STGW25H120DF2Транзистор: IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
    904Кешбэк 135 баллов
    STGW30NC60WDТранзистор: IGBT 600V 60A 200W TO247
    908Кешбэк 136 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды силовые
    Транзисторные модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП