Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
STGWT30V60DF
  • В избранное
  • В сравнение
STGWT30V60DF

STGWT30V60DF

STGWT30V60DF
;
STGWT30V60DF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGWT30V60DF
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 600V 60A 258W TO3P-3Все характеристики

Минимальная цена STGWT30V60DF при покупке от 1 шт 704.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWT30V60DF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWT30V60DF

STGWT30V60DF — это IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании STMicroelectronics. Этот транзистор предназначен для использования в различных электронных устройствах.

  • Номинальное напряжение: 600 В
  • Номинальный ток: 60 А
  • Мощность: 258 ВАтт
  • Коллекторный сопротивление: TO3P-3

Плюсы:

  • Высокая эффективность благодаря низкому коэффициенту потерь при работе.
  • Долгий срок службы из-за высокой термостойкости и надежности.
  • Простота управления за счет использования индуктивного каскада.

Минусы:

  • Высокие требования к проектированию из-за необходимости использования дополнительных компонентов для защиты и улучшения работы.
  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Требует осторожности при работе из-за возможного возникновения электромагнитных помех.

Общее назначение: IGBT STGWT30V60DF используется в различных устройствах, требующих управления мощными токами, таких как:

  • Моторные системы
  • Солнечные батареи и системы хранения энергии
  • Автомобильные системы
  • Устройства для управления тепловыми насосами
  • Измерительные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики STGWT30V60DF

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    60 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    258 W
  • Энергия переключения
    383µJ (on), 233µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    163 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    45ns/189ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    53 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3P
  • Base Product Number
    STGWT30

Техническая документация

 STGWT30V60DF.pdf
pdf. 0 kb
  • 78 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    704 ₽
  • 30
    391 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGWT30V60DF
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 600V 60A 258W TO3P-3Все характеристики

Минимальная цена STGWT30V60DF при покупке от 1 шт 704.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWT30V60DF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWT30V60DF

STGWT30V60DF — это IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании STMicroelectronics. Этот транзистор предназначен для использования в различных электронных устройствах.

  • Номинальное напряжение: 600 В
  • Номинальный ток: 60 А
  • Мощность: 258 ВАтт
  • Коллекторный сопротивление: TO3P-3

Плюсы:

  • Высокая эффективность благодаря низкому коэффициенту потерь при работе.
  • Долгий срок службы из-за высокой термостойкости и надежности.
  • Простота управления за счет использования индуктивного каскада.

Минусы:

  • Высокие требования к проектированию из-за необходимости использования дополнительных компонентов для защиты и улучшения работы.
  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Требует осторожности при работе из-за возможного возникновения электромагнитных помех.

Общее назначение: IGBT STGWT30V60DF используется в различных устройствах, требующих управления мощными токами, таких как:

  • Моторные системы
  • Солнечные батареи и системы хранения энергии
  • Автомобильные системы
  • Устройства для управления тепловыми насосами
  • Измерительные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики STGWT30V60DF

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    60 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    258 W
  • Энергия переключения
    383µJ (on), 233µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    163 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    45ns/189ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    53 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3P
  • Base Product Number
    STGWT30

Техническая документация

 STGWT30V60DF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGWT40H60DLFBТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
    813Кешбэк 121 балл
    STGB30H60DLFBТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
    815Кешбэк 122 балла
    STGP40V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO220AB
    819Кешбэк 122 балла
    STGW30NC60VDТранзистор: IGBT 600V 80A 250W TO247
    823Кешбэк 123 балла
    STGP19NC60SТранзистор: IGBT 600V 40A 130W TO220
    832Кешбэк 124 балла
    STGW30V60FТранзистор: IGBT 600V 60A 260W TO247
    835Кешбэк 125 баллов
    STGFW40V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
    837Кешбэк 125 баллов
    STGW40H65FBТранзистор: IGBT 650V 80A 283W TO247
    852Кешбэк 127 баллов
    STGWT40V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
    852Кешбэк 127 баллов
    STGWT60H65DFBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
    856Кешбэк 128 баллов
    STGWA60H65DFBТранзистор: IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
    858Кешбэк 128 баллов
    STGWA60V60DFТранзистор: IGBT BIPO 600V 60A TO247-3
    871Кешбэк 130 баллов
    STGW25H120DF2Транзистор: IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
    882Кешбэк 132 балла
    STGW60V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 375W TO247
    884Кешбэк 132 балла
    STGW60V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 375W TO247
    891Кешбэк 133 балла
    STGW60H65DFBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO-247
    930Кешбэк 139 баллов
    STGWF30NC60SТранзистор: IGBT 600V 35A 79W TO3P
    936Кешбэк 140 баллов
    STGWT40H65DFBТранзистор: IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
    938Кешбэк 140 баллов
    STGW40NC60KDТранзистор: IGBT 600V 70A 250W TO247
    947Кешбэк 142 балла
    STGWA15M120DF3Транзистор: IGBT 1200V 30A 259W
    954Кешбэк 143 балла
    STGWA25M120DF3Транзистор: IGBT 1200V 50A 375W TO247
    971Кешбэк 145 баллов
    STGW60H65FBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO247
    976Кешбэк 146 баллов
    STGW40H60DLFBТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO-247
    976Кешбэк 146 баллов
    STGW30NC60WDТранзистор: IGBT 600V 60A 200W TO247
    1 004Кешбэк 150 баллов
    STGP19NC60HТранзистор: IGBT 600V 40A 130W TO220
    1 012Кешбэк 151 балл
    STGWT80V60FТранзистор: IGBT 600V 120A 469W TO-3P
    1 012Кешбэк 151 балл
    STGW30NC120HDТранзистор: IGBT 1200V 60A 220W TO247
    1 034Кешбэк 155 баллов
    STGW30NC60KDТранзистор: IGBT 600V 60A 200W TO247
    1 056Кешбэк 158 баллов
    STGWA40H120DF2Транзистор: TRENCH GATE IGBT TO247 PKG
    1 073Кешбэк 160 баллов
    STGWT80H65FBТранзистор: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
    1 088Кешбэк 163 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП