Вход/Регистрация
STGWT30V60DFТранзистор: IGBT 600V 60A 258W TO3P-3
STGWT60H65DFB
STGWT60H65DFB
- Производитель:STMicroelectronics
- Артикул:STGWT60H65DFB
- Описание:Транзистор: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3LВсе характеристики
Минимальная цена STGWT60H65DFB при покупке от 1 шт 849.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWT60H65DFB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 124 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1849 ₽
- 3771 ₽
- 5699 ₽
- 10674 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:STMicroelectronics
- Артикул:STGWT60H65DFB
- Описание:Транзистор: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3LВсе характеристики
Минимальная цена STGWT60H65DFB при покупке от 1 шт 849.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWT60H65DFB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание STGWT60H65DFB
STGWT60H65DFB — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства STMicroelectronics. Основные параметры:
- Номинальное напряжение блокировки (UDSS): 650В
- Номинальный ток коллектора (IC): 80А
- Номинальная мощность (Ptot): 375ВА
- Форм-фактор корпуса: TO3P-3L
Плюсы:
- Высокая эффективность при работе в режиме волны синусоидальной формы.
- Малый ток тока включения (Ig)
- Высокая скорость переключения
- Устойчивость к перегреву
Минусы:
- Высокие потери при работе в режиме прямоугольной формы сигнала.
- Требуется дополнительное охлаждение при длительной работе.
- Сложность в проектировании системы управления.
Общее назначение:
- Применяется в промышленных преобразователях частоты (inverters)
- Используется в системах управления двигателей
- Входит в состав источников бесперебойного питания (UPS)
- Реализует функции управления в электроприводах
Выбрано: Показать
Характеристики STGWT60H65DFB
Техническая документация
STGWT60H65DFB.pdf pdf. 0 kb