Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
UF3N170400B7S
  • В избранное
  • В сравнение
UF3N170400B7S

UF3N170400B7S

UF3N170400B7S
;
UF3N170400B7S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Qorvo / UnitedSiC
  • Артикул:
    UF3N170400B7S
  • Описание:
    JFET 1700V SICВсе характеристики

Минимальная цена UF3N170400B7S при покупке от 1 шт 1990.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UF3N170400B7S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UF3N170400B7S

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Маркировка: UF3N170400B7S
    • Производитель: Qorvo / UnitedSiC
    • Описание: JFET (Junction Field-Effect Transistor) с напряжением срабатывания 1700В на SiC (Silicon Carbide)

    Основные параметры:

    • Напряжение срабатывания: 1700В
    • Ток срабатывания: 400А
    • Тип: JFET на SiC

    Плюсы:

    • Высокое напряжение: Подходит для высоковольтных приложений.
    • Высокий ток: Обеспечивает высокую проводимость при работе.
    • Устойчивость к перегреву: Способен выдерживать высокие температуры.
    • Эффективность: Низкое энергопотребление и высокая эффективность.

    Минусы:

    • Стоимость: Более высокая по сравнению с традиционными материалами.
    • Комплексность: Требует более сложной электроники управления.

    Общее назначение:

    • Применяется в высоковольтных системах питания.
    • Используется в промышленности для преобразователей напряжения.
    • Подходит для автономных систем, где важна устойчивость к перегреву и высокая эффективность.

    В каких устройствах применяется:

    • Преобразователи напряжения для солнечных панелей.
    • Промышленные преобразователи.
    • Автомобильные системы питания.
    • Большие электрические сети.
Выбрано: Показать

Характеристики UF3N170400B7S

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    1.7 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1.7 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2.2 µA @ 1.7 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    6.8 A
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    225pF @ 100V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    500 mOhms
  • Рассеивание мощности
    68 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Исполнение корпуса
    D2PAK-7

Техническая документация

 UF3N170400B7S.pdf
pdf. 0 kb
  • 1070 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 990 ₽
  • 10
    1 378 ₽
  • 100
    1 149 ₽
  • 500
    1 119 ₽
  • 800
    1 073 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Qorvo / UnitedSiC
  • Артикул:
    UF3N170400B7S
  • Описание:
    JFET 1700V SICВсе характеристики

Минимальная цена UF3N170400B7S при покупке от 1 шт 1990.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UF3N170400B7S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UF3N170400B7S

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Маркировка: UF3N170400B7S
    • Производитель: Qorvo / UnitedSiC
    • Описание: JFET (Junction Field-Effect Transistor) с напряжением срабатывания 1700В на SiC (Silicon Carbide)

    Основные параметры:

    • Напряжение срабатывания: 1700В
    • Ток срабатывания: 400А
    • Тип: JFET на SiC

    Плюсы:

    • Высокое напряжение: Подходит для высоковольтных приложений.
    • Высокий ток: Обеспечивает высокую проводимость при работе.
    • Устойчивость к перегреву: Способен выдерживать высокие температуры.
    • Эффективность: Низкое энергопотребление и высокая эффективность.

    Минусы:

    • Стоимость: Более высокая по сравнению с традиционными материалами.
    • Комплексность: Требует более сложной электроники управления.

    Общее назначение:

    • Применяется в высоковольтных системах питания.
    • Используется в промышленности для преобразователей напряжения.
    • Подходит для автономных систем, где важна устойчивость к перегреву и высокая эффективность.

    В каких устройствах применяется:

    • Преобразователи напряжения для солнечных панелей.
    • Промышленные преобразователи.
    • Автомобильные системы питания.
    • Большие электрические сети.
Выбрано: Показать

Характеристики UF3N170400B7S

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    1.7 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1.7 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2.2 µA @ 1.7 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    6.8 A
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    225pF @ 100V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    500 mOhms
  • Рассеивание мощности
    68 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Исполнение корпуса
    D2PAK-7

Техническая документация

 UF3N170400B7S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSVJ3910SB3T1GТиристор: IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
    152Кешбэк 22 балла
    NSVJ6904DSB6T1GТиристор: JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
    235Кешбэк 35 баллов
    NSVJ2394SA3T1GТиристор: IC JFET N-CH LNA SC59-3
    80Кешбэк 12 баллов
    UF3N170400B7SJFET 1700V SIC
    1 993Кешбэк 298 баллов
    J109-D26ZJFET N-CH 25V 625MW TO92
    113Кешбэк 16 баллов
    UJ3N120035K3S1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
    5 395Кешбэк 809 баллов
    NSVJ5908DSG5T1GNCH+NCH J-FET
    133Кешбэк 19 баллов
    UJ3N120065K3S1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3
    3 909Кешбэк 586 баллов
    UJ3N065080K3SТиристор: 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
    2 094Кешбэк 314 баллов
    UJ3N120070K3SТиристор: 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
    3 666Кешбэк 549 баллов
    J176-D74ZJFET P-CH 30V 0.35W TO92
    85Кешбэк 12 баллов
    UJ3N065025K3S650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
    3 794Кешбэк 569 баллов
    SST402 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    753Кешбэк 112 баллов
    LS3958 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 623Кешбэк 243 балла
    LS5911 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 320Кешбэк 348 баллов
    LS5911 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 320Кешбэк 348 баллов
    LSBF510 SOT-23 3L ROHSHIGH GAIN, SINGLE N-CHANNEL JFET
    924Кешбэк 138 баллов
    LS845 SOT-23 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    1 645Кешбэк 246 баллов
    SST204 SOT-23 3LLOW NOISE, SINGLE, N-CHANNEL JFE
    924Кешбэк 138 баллов
    LS841 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 936Кешбэк 290 баллов
    LS842 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 849Кешбэк 277 баллов
    SST441 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 392Кешбэк 358 баллов
    SST401 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 714Кешбэк 257 баллов
    LS3954 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 814Кешбэк 272 балла
    LS5912 TO-78 6LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 562Кешбэк 384 балла
    U403 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 825Кешбэк 273 балла
    LS842 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    2 012Кешбэк 301 балл
    2N5115 TO-18 3LP-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
    1 477Кешбэк 221 балл
    LS320 TO-72 4LBIFET AMPLIFIER - HIGH INPUT Z A
    1 729Кешбэк 259 баллов
    U406 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 634Кешбэк 245 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП