Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
UJ3N065080K3S

UJ3N065080K3S

UJ3N065080K3S
;
UJ3N065080K3S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена UJ3N065080K3S при покупке от 1 шт 2094.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3N065080K3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UJ3N065080K3S

UJ3N065080K3S onsemi Тиристор: 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Максимальный откатной сопротивление: 80 МОм
    • Технология: SiC (silicon carbide)
    • Тип: JFET (junction field-effect transistor)
    • Стандарт: G3, N-ON
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в высоких температурах
    • Устойчивость к алигативным перенапряжениям
    • Низкий уровень шума и импульсных воздействий
    • Компактные размеры
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
    • Требуется специфическое оборудование для производства и монтажа
    • Управление требует более сложного регулирования
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях и инверторах
    • Работа в системах управления промышленными электродвигателями
    • Применение в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления промышленными оборудованием
    • Источники бесперебойного питания
    • Энергосберегающие системы
Выбрано: Показать

Характеристики UJ3N065080K3S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    650 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    32 A
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    630pF @ 100V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    95 mOhms
  • Рассеивание мощности
    190 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    UJ3N065080

Техническая документация

UJ3N065080K3S.pdf
pdf. 0 kb
  • 1895 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 094 ₽
  • 30
    1 251 ₽
  • 120
    1 067 ₽
  • 510
    1 000 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена UJ3N065080K3S при покупке от 1 шт 2094.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3N065080K3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UJ3N065080K3S

UJ3N065080K3S onsemi Тиристор: 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Максимальный откатной сопротивление: 80 МОм
    • Технология: SiC (silicon carbide)
    • Тип: JFET (junction field-effect transistor)
    • Стандарт: G3, N-ON
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в высоких температурах
    • Устойчивость к алигативным перенапряжениям
    • Низкий уровень шума и импульсных воздействий
    • Компактные размеры
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
    • Требуется специфическое оборудование для производства и монтажа
    • Управление требует более сложного регулирования
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях и инверторах
    • Работа в системах управления промышленными электродвигателями
    • Применение в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления промышленными оборудованием
    • Источники бесперебойного питания
    • Энергосберегающие системы
Выбрано: Показать

Характеристики UJ3N065080K3S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    650 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    32 A
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    630pF @ 100V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    95 mOhms
  • Рассеивание мощности
    190 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    UJ3N065080

Техническая документация

UJ3N065080K3S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории