Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
UPA2815T1S-E2-AT
  • В избранное
  • В сравнение
UPA2815T1S-E2-AT

UPA2815T1S-E2-AT

UPA2815T1S-E2-AT
;
UPA2815T1S-E2-AT

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    UPA2815T1S-E2-AT
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSONВсе характеристики

Минимальная цена UPA2815T1S-E2-AT при покупке от 1 шт 285.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UPA2815T1S-E2-AT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UPA2815T1S-E2-AT

UPA2815T1S-E2-AT — это полупроводниковый транзистор от компании Renesas Electronics Corporation. Он относится к типу MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с положительным проводимостью (P-CH).

  • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 30В
  • Рейтингный ток при VDS(on) = 10В ID: 21А
  • Количество пакетов: 8HWSON (8-разъемный пакет без оболочки)

Плюсы:

  • Высокая токовая способность
  • Малый размер и легкий вес за счет компактного пакета
  • Устойчивость к перегрузкам
  • Низкий коэффициент теплового сопротивления

Минусы:

  • Требует дополнительных мер охлаждения для работы на максимальных значениях тока
  • Не подходит для высокочастотных приложений из-за низкой скорости перехода

Общее назначение: Этот MOSFET используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая токовая способность и низкое сопротивление включенного состояния. Он применим в системах питания, преобразователях напряжения, драйверах двигателей и других приборах.

Применение: Устройства, требующие управления мощными токами, такие как:

  • Автомобильные системы питания и регулирования напряжения
  • Преобразователи напряжения для компьютеров и серверов
  • Драйверы двигателей для промышленного оборудования
  • Системы управления энергией для домашней автоматизации
Выбрано: Показать

Характеристики UPA2815T1S-E2-AT

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11mOhm @ 21A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    47 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1760 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-HWSON (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN
  • Base Product Number
    UPA2815

Техническая документация

 UPA2815T1S-E2-AT.pdf
pdf. 0 kb
  • 10000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    285 ₽
  • 5000
    92 ₽
  • 10000
    90 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    UPA2815T1S-E2-AT
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSONВсе характеристики

Минимальная цена UPA2815T1S-E2-AT при покупке от 1 шт 285.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UPA2815T1S-E2-AT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UPA2815T1S-E2-AT

UPA2815T1S-E2-AT — это полупроводниковый транзистор от компании Renesas Electronics Corporation. Он относится к типу MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с положительным проводимостью (P-CH).

  • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 30В
  • Рейтингный ток при VDS(on) = 10В ID: 21А
  • Количество пакетов: 8HWSON (8-разъемный пакет без оболочки)

Плюсы:

  • Высокая токовая способность
  • Малый размер и легкий вес за счет компактного пакета
  • Устойчивость к перегрузкам
  • Низкий коэффициент теплового сопротивления

Минусы:

  • Требует дополнительных мер охлаждения для работы на максимальных значениях тока
  • Не подходит для высокочастотных приложений из-за низкой скорости перехода

Общее назначение: Этот MOSFET используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая токовая способность и низкое сопротивление включенного состояния. Он применим в системах питания, преобразователях напряжения, драйверах двигателей и других приборах.

Применение: Устройства, требующие управления мощными токами, такие как:

  • Автомобильные системы питания и регулирования напряжения
  • Преобразователи напряжения для компьютеров и серверов
  • Драйверы двигателей для промышленного оборудования
  • Системы управления энергией для домашней автоматизации
Выбрано: Показать

Характеристики UPA2815T1S-E2-AT

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11mOhm @ 21A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    47 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1760 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-HWSON (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN
  • Base Product Number
    UPA2815

Техническая документация

 UPA2815T1S-E2-AT.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CPC5602CTRТранзистор: MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
    243Кешбэк 36 баллов
    CPC3703CTRТранзистор: MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
    245Кешбэк 36 баллов
    IXTA08N50D2MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
    287Кешбэк 43 балла
    IXFA26N50P3MOSFET N-CH 500V 26A TO263
    347Кешбэк 52 балла
    IXTP4N80PMOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB
    370Кешбэк 55 баллов
    IXTA4N65X2MOSFET N-CH 650V 4A TO263
    370Кешбэк 55 баллов
    IXTY01N100MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
    413Кешбэк 61 балл
    IXTY8N65X2MOSFET N-CH 650V 8A TO252
    415Кешбэк 62 балла
    IXTY02N120PMOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
    420Кешбэк 63 балла
    IXTP44N10TMOSFET N-CH 100V 44A TO220AB
    420Кешбэк 63 балла
    IXTA8N65X2MOSFET N-CH 650V 8A TO263
    438Кешбэк 65 баллов
    IXTY08N50D2MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
    448Кешбэк 67 баллов
    IXFA16N60P3MOSFET N-CH 600V 16A TO263
    451Кешбэк 67 баллов
    IXTY1N120PMOSFET N-CH 1200V 1A TO252
    457Кешбэк 68 баллов
    IXTP10P15TMOSFET P-CH 150V 10A TO220AB
    459Кешбэк 68 баллов
    IXTP4N65X2MOSFET N-CH 650V 4A TO220
    477Кешбэк 71 балл
    IXTP08N100PMOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
    478Кешбэк 71 балл
    IXTP60N10TMOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
    484Кешбэк 72 балла
    IXFP20N85XMOSFET N-CH 850V 20A TO220AB
    486Кешбэк 72 балла
    IXFA18N60XMOSFET N-CH 600V 18A TO263AA
    492Кешбэк 73 балла
    IXTP2N65X2MOSFET N-CH 650V 2A TO220
    492Кешбэк 73 балла
    IXFP7N80PMOSFET N-CH 800V 7A TO220AB
    509Кешбэк 76 баллов
    IXTY44N10TMOSFET N-CH 100V 44A TO252
    511Кешбэк 76 баллов
    IXTU02N50DMOSFET N-CH 500V 200MA TO251
    523Кешбэк 78 баллов
    IXTP100N04T2MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
    535Кешбэк 80 баллов
    IXFA16N50P3MOSFET N-CH 500V 16A TO263
    537Кешбэк 80 баллов
    IXTA2N100PMOSFET N-CH 1000V 2A TO263
    542Кешбэк 81 балл
    IXFP10N60PMOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
    544Кешбэк 81 балл
    IXTY4N65X2MOSFET N-CH 650V 4A TO252
    550Кешбэк 82 балла
    IXTY2N65X2MOSFET N-CH 650V 2A TO252
    554Кешбэк 83 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП