Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
ZXMN10A08DN8TA
  • В избранное
  • В сравнение
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA
;
ZXMN10A08DN8TA

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    ZXMN10A08DN8TA
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена ZXMN10A08DN8TA при покупке от 1 шт 262.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZXMN10A08DN8TA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 2 N-channel MOSFET
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS): 100 В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 1.6 А
    • Количество выводов: 8-SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме нахождения в ON
    • Малый ток утечки при отключенном транзисторе
    • Компактный размер благодаря 8-SOIC пакетированию
    • Высокий коэффициент надежности
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное управление для обеспечения точного управления током
    • Возможны проблемы с термическим управлением при длительной работе под нагрузкой
  • Общее назначение:
    • Управление токами в различных электронных устройствах
    • Регулирование напряжений
    • Изоляция сигналов
  • Применение:
    • Мощные источники питания
    • Переходные устройства
    • Электронные системы управления
    • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики ZXMN10A08DN8TA

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    250mOhm @ 3.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.7nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    405pF @ 50V
  • Рассеивание мощности
    1.25W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Base Product Number
    ZXMN10

Техническая документация

 ZXMN10A08DN8TA.pdf
pdf. 0 kb
  • 920 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    262 ₽
  • 10
    163 ₽
  • 500
    85 ₽
  • 2500
    68 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    ZXMN10A08DN8TA
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена ZXMN10A08DN8TA при покупке от 1 шт 262.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZXMN10A08DN8TA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 2 N-channel MOSFET
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS): 100 В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 1.6 А
    • Количество выводов: 8-SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме нахождения в ON
    • Малый ток утечки при отключенном транзисторе
    • Компактный размер благодаря 8-SOIC пакетированию
    • Высокий коэффициент надежности
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное управление для обеспечения точного управления током
    • Возможны проблемы с термическим управлением при длительной работе под нагрузкой
  • Общее назначение:
    • Управление токами в различных электронных устройствах
    • Регулирование напряжений
    • Изоляция сигналов
  • Применение:
    • Мощные источники питания
    • Переходные устройства
    • Электронные системы управления
    • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики ZXMN10A08DN8TA

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    250mOhm @ 3.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.7nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    405pF @ 50V
  • Рассеивание мощности
    1.25W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Base Product Number
    ZXMN10

Техническая документация

 ZXMN10A08DN8TA.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BUK9M10-30EXMOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33
    245Кешбэк 36 баллов
    BUK9M17-30EXMOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33
    256Кешбэк 38 баллов
    BUK9M43-100EXMOSFET N-CH 100V 25A LFPAK33
    275Кешбэк 41 балл
    BUK9K8R7-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
    279Кешбэк 41 балл
    BUK9M34-100EXMOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33
    285Кешбэк 42 балла
    BUK9M23-80EXMOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33
    310Кешбэк 46 баллов
    BUK9M6R6-30EXMOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
    317Кешбэк 47 баллов
    BUK9K25-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A 56LFPAK
    342Кешбэк 51 балл
    BUK7K8R7-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
    437Кешбэк 65 баллов
    BUK9K5R1-30EXТранзистор: BUK9K5R1-30E - DUAL N-CHANNEL 30
    473Кешбэк 70 баллов
    BUK9K6R2-40E,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
    581Кешбэк 87 баллов
    VT6M1T2CRТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
    72Кешбэк 10 баллов
    UM6K33NTNТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
    73Кешбэк 10 баллов
    EM6K34T2CRТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
    78Кешбэк 11 баллов
    UM6K34NTCNТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
    78Кешбэк 11 баллов
    UM6K31NTNТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
    84Кешбэк 12 баллов
    EM6M2T2RТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
    92Кешбэк 13 баллов
    EM6K31GT2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
    95Кешбэк 14 баллов
    UM6K1NTNТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
    101Кешбэк 15 баллов
    EM6K6T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
    113Кешбэк 16 баллов
    EM6K33T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
    120Кешбэк 18 баллов
    EM5K5T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5
    122Кешбэк 18 баллов
    EM6K7T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
    125Кешбэк 18 баллов
    EM6J1T2RТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
    131Кешбэк 19 баллов
    SM6K2T110Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457
    131Кешбэк 19 баллов
    EM6K1T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6
    137Кешбэк 20 баллов
    UM6J1NTNТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
    139Кешбэк 20 баллов
    EM6K31T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
    146Кешбэк 21 балл
    TT8M1TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
    154Кешбэк 23 балла
    QS6M3TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
    167Кешбэк 25 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП